公开(公告)号：CN102623632B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201110031815.2

申请日：2011-01-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭程 ,  吴良才 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  周夕淋 ,  朱敏 ,  刘波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。

公开(公告)号：CN102569652B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210076528.8

申请日：2012-03-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  朱敏 ,  宋志棠 ,  饶峰 ,  宋三年 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。

公开(公告)号：CN102945924A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210537556.5

申请日：2012-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  朱敏 ,  纪兴龙 ,  宋志棠 ,  饶峰 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用，按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射，其中，共溅射时，通入惰性气体和掺杂源，获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料；所述Ti1-x-ySbxTey中，0