一种铈、铽单/共掺杂的磷酸钇钠荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN104974756B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510376061.2

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明一种铈、铽单/共掺杂的磷酸钇钠荧光粉,其化学通式为Na3Y2(1-x-y)(PO4)3:xCe3+,yTb3+,其中0≤x≤0.1,0≤y≤0.2,x,y不同时为零。本发明还提供了上述荧光粉的制备方法,按化学计量比将Na、Y对应的碳酸盐或氧化物、磷酸的铵盐与Ce、Tb的氧化物或硝酸盐混合均匀进行研磨,加入酒精或丙酮再次研磨,将混合物放入刚玉坩埚中并置于高温炉中,在还原气氛下高温煅烧,冷却并研磨成粉末,即得到磷酸钇钠荧光粉。本发明的荧光粉在紫外光激发下,发出蓝到绿颜色可调的光,单掺Ce3+时发蓝光,单掺Tb3+时发绿光,Ce3+和Tb3+共掺时发绿光,且绿光强度比单掺Tb3+时强。

    一种复合电极的制备方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105869909A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610374113.7

    申请日:2016-05-31

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/30 H01G11/36 H01G11/46 H01G11/86

    Abstract: 本发明提供了一种复合电极的制备方法,先利用NaOH、HCl、乙醇对泡沫镍进行预处理;然后利用传统的Hummers法制备氧化石墨烯水溶液;利用浸渍法制备单层石墨烯的泡沫Ni;再准备石墨烯/MnO2纳米片前驱体溶液,前驱体溶液包括水合肼溶液、无水氯化锰/异丙醇溶液和高锰酸钾水溶液;然后通过循环浸渍法制备(MnO2纳米片/氧化石墨烯)n/单层石墨烯/泡沫Ni;将上述所得电极浸泡在水合肼溶液中,进行还原反应,获得(MnO2纳米片/石墨烯)n/单层石墨烯/泡沫Ni复合电极。本发明的复合电极可用于超级电容器电极材料,制备工艺简单快速,无需使用粘结剂,成本低。

    一种CaO-SiO2-B2O3富钙双基团体系荧光粉

    公开(公告)号:CN105602555A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510836628.X

    申请日:2015-11-26

    Abstract: 本发明公开了一种CaO-SiO2-B2O3富钙双基团体系荧光粉。该体系荧光粉同时含有硅酸根和硼酸根,且11:4>CaO:SiO2≥10:4,CaO:B2O3≥10:1,4≤SiO2:B2O3≤4.8。在365nm紫外光激发下,CaO-SiO2-B2O3-Ce2O3,CaO-SiO2-B2O3-EuO,CaO-SiO2-B2O3-Eu2O3荧光粉,分别表现出强烈的蓝,绿,红三基色发光,表明该体系荧光粉具有与标准365nm紫外芯片搭配组装LED器件的价值。另外,该体系富钙的特点不仅大大提高了荧光粉的稳定性,同时能够降低荧光粉的生产成本,是一种性能优异的荧光粉基质体系。

    一种硅钢级氧化镁的回收再制备方法

    公开(公告)号:CN105540622A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201511014319.0

    申请日:2015-12-31

    Abstract: 本发明一种硅钢级氧化镁的回收再制备方法,以生产硅钢剩余的废弃涂层材料氧化镁作为原料,经过煅烧、酸解、除铁及硅、加盐酸是酸解等纯化处理操作得到高纯度氯化镁溶液,以此高纯度氯化镁为反应溶液,加碳酸氢铵和氨水为双沉淀剂,同时引入有机表面活性剂,在40-80℃制备得到前驱体—碱式碳酸镁Mg2(OH)2CO3,最后经过洗涤、抽滤、干燥、粉碎、空气鼓入法煅烧制备得到硅钢级氧化镁。本发明将硅钢生产过程中产生的含有大量氧化镁的废弃物回收再利用,经过纯化处理、双相沉淀剂法制备前驱体、空气鼓入法煅烧等工序制备得到高比表面积和粒径分布均匀的高品质硅钢级氧化镁。

    一种黄色荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN103923646B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201410140016.2

    申请日:2014-04-10

    Abstract: 本发明提出一种黄色荧光粉及其制备方法,所述的黄色荧光粉的化学表达式为Ca0.37,Sr0.53-x-y,Bax)7(SiO3)6Cl2:0.10Eu2+,yDy3+,其中0.05≤x≤0.15,0.01≤y≤0.09;其制备方法即采用自助溶剂法,将CaCO3,SrCl2.6H2O,BaCl2,SiO2,Eu2O3和Dy2O3在950℃恒温烧结10h,烧结过程采用埋炭法进行还原,烧结得到的产物用去离子水洗涤以去除多余的SrCl2.6H2O,然后控制温度为80℃真空干燥即得黄色荧光粉,该黄色荧光粉是紫外光激发的黄色荧光粉用于白光LED,具有发光面积大,不刺眼、发光效率高等优点。

    一种多元节能薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103113744B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201310053882.3

    申请日:2013-02-20

    Abstract: 本发明公开一种多元节能薄膜及其制备方法和应用,所述的多元节能薄膜按摩尔百分比计算由93~96%聚酰胺酸、1.5~2.5%SiO2、1.0~2.0%VO2和1.5~2.5%TiO2组成。其制备方法即首先制备聚酰胺酸溶胶,然后制备含有SiO2、VO2、TiO2多元无机组分前驱体溶液,最后将聚酰胺酸溶胶与含有SiO2、VO2、TiO2多元无机组分前驱体溶液混合均匀后在基板上涂膜,干燥即得到多元节能薄膜。该多元节能薄膜应用于夹层玻璃中,最终得到的一种带有多元节能薄膜的夹层玻璃具有冬季加热保温,夏季隔热的效果,即同时具有低辐射玻璃节能功能与阳光控制玻璃节能功能。

    一种空气中的臭氧净化用的陶瓷净化器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104353355A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410642022.8

    申请日:2014-11-14

    Abstract: 本发明公开一种空气中的臭氧净化用的陶瓷净化器及制备方法,所述空气中的臭氧净化用的陶瓷净化器,即在多孔陶瓷载体上负载有按重量比计算为7-8%的Mn3O4/CuO或Mn3O4/Fe2O3复合催化剂。其制备方法按复合催化剂、水性聚丙烯酸树脂和水混合后放入砂磨机中研磨,然后过325目标准筛,得到催化剂悬浊液;然后将羟基氧化铝溶胶与所得催化剂悬浊液进行混合,利用压缩空气喷枪将得到的催化剂浆料控制压力为5-10MPa喷射到多孔陶瓷载体上,然后放入100-180℃烘箱中进行烘干10-20min;重复喷涂、烘干的过程直至多孔陶瓷载体增重7-8%时停止,即得空气中的臭氧净化用的陶瓷净化器。

    一种石英纤维增强SiO2气凝胶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103992089A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410160979.9

    申请日:2014-04-22

    Abstract: 本发明公开一种石英纤维增强SiO2气凝胶材料及其制备方法,所述石英纤维增强SiO2气凝胶材料即以正硅酸乙酯为前驱体,无水乙醇为溶剂,正庚烷为网络凝胶的诱导剂,三甲基氯硅烷为修饰剂,通过一步溶胶-凝胶法制备的由正硅酸乙酯与石英纤维组成的石英纤维增强SiO2气凝胶材料,按质量比计算,即石英纤维:正硅酸乙酯为1:3334-7758。其制备方法包括A溶液、B溶液、C溶液的配制、溶胶制备,然后将得到的凝胶经老化、溶剂交换、表面烷基化修饰等步骤即得石英纤维增强SiO2气凝胶材料,其制备过程简单,且前驱物使用的是廉价的正硅酸乙酯,因此具有生产成本低等特点。其在防裂等方面表现出优于普通SiO2气凝胶的性能。

    一种多元节能薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103113744A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201310053882.3

    申请日:2013-02-20

    Abstract: 本发明公开一种多元节能薄膜及其制备方法和应用,所述的多元节能薄膜按摩尔百分比计算由93~96%聚酰胺酸、1.5~2.5%SiO2、1.0~2.0%VO2和1.5~2.5%TiO2组成。其制备方法即首先制备聚酰胺酸溶胶,然后制备含有SiO2、VO2、TiO2多元无机组分前驱体溶液,最后将聚酰胺酸溶胶与含有SiO2、VO2、TiO2多元无机组分前驱体溶液混合均匀后在基板上涂膜,干燥即得到多元节能薄膜。该多元节能薄膜应用于夹层玻璃中,最终得到的一种带有多元节能薄膜的夹层玻璃具有冬季加热保温,夏季隔热的效果,即同时具有低辐射玻璃节能功能与阳光控制玻璃节能功能。

    一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法

    公开(公告)号:CN102363897A

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN201110346402.3

    申请日:2011-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法,属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状,直径大小为50-150mm,高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程中,与PBN坩埚直径相同的GaAs籽晶安装于坩埚底部,熔体在籽晶的基础上不断析晶生长,省去了传统PBN坩埚生长GaAs晶体必需的放肩过程,因而在晶体生长过程中消除了由于放肩引起的热应力及GaAs小面的快速发育,大大降低了GaAs晶体中出现多晶或孪晶的几率。

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