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公开(公告)号：CN114488391B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210158902.2
申请日：2022-02-21
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/036 , G02B6/02 , C03B37/027 , C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种传输及放大涡旋光的环形芯双包层光纤及其制备方法，光纤由内向外依次包括纤芯(1)、高折射率环(2)、内包层(3)和外包层(4)，其中高折射率环(2)的折射率最高，外包层(4)次之。本发明设计了一种传输及放大涡旋光的PbSe掺杂环形芯双包层光纤，该光纤通过高折射率环的内外层掺杂了低于包层折射率的外部材料，增加折射率的对比度。本光纤应用于光纤传感器中，可实现高分辨率应变测量、提高温度传感器灵敏度等；应用于涡旋光光纤放大器中，可降低放大器系统损耗，提高增益，增加通信距离等，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN111665374B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010505914.9
申请日：2020-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到微区测温领域，公开了一种基于量子点的光纤探针及其检测系统。光纤探针由锥形光纤的尖端耦合量子点构成，将光纤探针固定在音叉上以实现近场检测，结合光学仪器及原子力显微镜，构成了近场检测系统。本发明的检测方法实现了同一区域内局域温度分布图像、表面形貌图像、近场光学图像的同时获取，为样品多角度分析提供了技术手段。检测方法突破了衍射极限的限制，实现了非光学技术及传统光学技术不能实现的高分辨率温度检测。
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公开(公告)号：CN109669232B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910041853.2
申请日：2019-01-17
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明涉及一种单晶半导体芯光纤及其制备方法。本发明以玻璃毛细管做包层对未熔单晶纤芯实现全包裹，从而形成单晶纤芯光纤结构，制备的光纤具有单晶半导体的优异性能。纤芯的结晶质量是决定半导体芯光纤性能优劣的关键，单晶形态的纤芯相比其他的拥有更出色的表现。本发明制备的半导体芯光纤纤芯为单晶状态，单晶连续长度可达2cm左右，提高了半导体芯光纤实际运用的可能，是一种快速、便捷、可定制性强的单晶半导体芯光纤制备方法。
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公开(公告)号：CN110187432B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910365060.6
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/02 , C03B37/10 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种有源微晶光纤的制备方法及装置，将预制棒放置于拉丝炉中进行拉丝，拉制出的光纤在未涂覆状态下引入磁场诱导作用并结合激光处理技术，激光光束经过聚焦整形作用在光纤上，经激光处理再结晶后获得有源微晶光纤。合适的激光处理功率直接影响着硅酸盐玻璃光纤中晶体结构、种类、结晶度、晶粒尺寸、含量和玻璃残余相的多少。外加磁场诱导，改变了结晶过程的热力学与动力学，使得到的晶体粒度分布更佳均匀，减小了凝聚现象，使得晶粒尺寸更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111665374A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010505914.9
申请日：2020-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到微区测温领域，公开了一种基于量子点的光纤探针及其检测系统。光纤探针由锥形光纤的尖端耦合量子点构成，将光纤探针固定在音叉上以实现近场检测，结合光学仪器及原子力显微镜，构成了近场检测系统。本发明的检测方法实现了同一区域内局域温度分布图像、表面形貌图像、近场光学图像的同时获取，为样品多角度分析提供了技术手段。检测方法突破了衍射极限的限制，实现了非光学技术及传统光学技术不能实现的高分辨率温度检测。
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公开(公告)号：CN111548005A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010449247.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 上海大学
IPC: C03B37/027 , C03B37/025
Abstract: 本发明属于光纤技术领域，尤其涉及一种激光拉丝制备硅锗芯光纤的制备方法；包括石英管处理、预制棒组装、预制棒处理、激光拉丝步骤。本发明采用单晶硅、单晶锗组成内填充材料，填充到一端预先封闭的石英空芯管，组装成制成预制棒；单晶硅、单晶锗可采用半圆柱棒拼接、薄片交替叠加和粉末均匀混合的组合结构，灵活性高。本发明采用激光对预制棒进行加热直至石英管软化拉丝，硅材料和锗材料通过石英传导热达到熔融态，两种材料混合后为无限固溶体，可形成硅锗合金。本发明提供的制备方法，解决了现有技术中硅锗合金偏析的问题，实现了组分均匀的二元单相合金材料，制得了单晶形态的硅锗纤芯，改善了硅锗芯光纤的性能。
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公开(公告)号：CN111293581A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010108529.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01S3/067
Abstract: 本发明属于光纤技术领域，尤其是涉及一种用于放大的少模光纤及其应用。所述的少模光纤包括有掺杂PbS纤芯和包层；掺杂PbS纤芯为掺有PbS的石英，包层为纯石英玻璃层，PbS纤芯的直径为9～10μm，包层的裸光纤直径为125μm，掺杂PbS纤芯和包层的折射率差值为1.7％。本发明提供的少模光纤，可以从传输和放大LP模式，具有高折射率差、模式容量多、低损耗和高增益等优点；用于光纤放大器中，可以极大地提高光纤放大器的增益，降低信号衰减，增加通信距离。
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公开(公告)号：CN111090142A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN202010073619.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海大学
IPC: G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/018
Abstract: 本发明涉及一种基于高温掺杂改进化学气相沉积法（MCVD）和原子层沉积技术（ALD）结合，MCVD工艺与液相掺杂工艺结合，MCVD工艺与高温蒸发掺杂工艺结合或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合的Bi/Er/La/Al共掺L波段(1565-1625nm)或C+L波段(1530nm-1625nm)石英光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。所述光纤由纤芯、内包层和包层组成，其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成，内包层由Bi/Er/La/Al共掺材料，包层由纯石英构成。利用高温掺杂MCVD和ALD技术交替沉积不同掺杂离子，沉积浓度为0.01~15.0mol%，或MCVD工艺与液相掺杂结合工艺，或MCVD工艺与外部气相沉积（OVD）结合。本发明的光纤具有掺杂浓度可控，掺杂组分均匀，荧光强度强，增益谱宽，增益高等优点，在宽带光纤通信传输与光放大及光传感领域等有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110247291A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910501826.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01S3/067 , C03B37/018 , C03B37/027
Abstract: 本发明公开了一种放大OAM光束的PbS环形芯光纤，所述PbS环形芯光纤包括光纤空气芯(1)、PbS掺杂环(2)和包层(3)，所述PbS掺杂环(2)的主要成分为PbS和石英，该PbS环形芯光纤在改进的化学气相沉积工艺中增加PbS粉末高温汽化沉积工艺进行制备，并改变PbS粉末汽化时机来制备环状PbS掺杂石英光纤，获得所述放大OAM光束的PbS环形芯光纤。本发明设计了放大OAM光束的PbS量子点环芯石英光纤，该光纤具有高折射率差、模式容量多、带宽大、低损耗和高增益等优点，将该PbS量子点石英光纤应用于光纤放大器中，可以极大地提高光纤放大器的增益。
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