公开(公告)号：CN106797698A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480082514.4

申请日：2014-10-29

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  田畑要一郎 ,  西村真一

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的目的在于，在远程等离子体型成膜处理系统中，提供一种即便为例如大面积的被处理体、也能够均匀地实施使用原子团气体的处理的原子团气体产生系统。而且，在本发明的原子团气体产生系统(500)中，处理室装置(200)具有使被处理体(202)旋转的转台(201)。原子团气体生成装置(100)具有多个放电单元(70)。此外，放电单元(70)具有开口部(102)，该开口部(102)与处理室装置(200)内连接，且与被处理体(202)相面对，并且输出原子团气体(G2)。而且，在俯视观察下，越是远离所述旋转的中心位置而配设的放电单元(70)，越增大第一电极构件(1)与第二电极构件(31)对置的区域即对置面积。

公开(公告)号：CN102067291B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200880130098.5

申请日：2008-06-24

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  山田义人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3143 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/67207

Abstract: 本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。