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公开(公告)号：CN111615507A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980009090.1
申请日：2019-01-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供：能应用湿式工艺、为了形成耐热性、溶解性和耐蚀刻性优异的光致抗蚀剂和光致抗蚀剂用下层膜而有用的化合物等。前述课题可以通过下述式(1)所示的化合物而解决。
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公开(公告)号：CN110325500A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013601.2
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07C37/82 , C07C39/15 , C07C39/367 , C07D311/82 , C07D311/92 , G03F7/022
Abstract: 一种物质的纯化方法，其包括：制备溶液的工序，所述溶液包含选自下述式(1A)所示的化合物及具有下述式(2A)所示结构的树脂中的1种以上的物质、和溶剂；及使前述溶液通过过滤器而进行纯化的工序。(式(1A)中，X为氧原子、硫原子、单键或无桥接，Ra为碳数1～40的2n价的基团或单键，Rb各自独立地为各种官能团，m各自独立地为0～9的整数，n为1～4的整数，p各自独立地为0～2的整数。此处，Rb中的至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种的基团，全部的m不同时为0。)(式(2A)中，X、Ra、Rb、n及p与前述式(1A)中说明的含义相同，Rc为单键或碳数1～40的亚烷基，m2各自独立地为0～8的整数。此处，Rb中，至少1个为包含选自羟基及巯基中的1种以上的基团，全部的m2不同时为0。)
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公开(公告)号：CN104981463B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480007952.4
申请日：2014-02-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C07D311/82 , C07D311/86 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的烯基或羟基，在此，R2的至少一个是羟基，m各自独立地是1～4的整数，n是1～4的整数，p是0或1。)
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公开(公告)号：CN106462072A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024203.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的光刻用膜形成材料，其含有下述式有氧原子的一价基团、含有硫原子的一价基团、含有氮原子的一价基团、烃基或卤原子，p各自独立地是0～4的整数。)(1)所示的化合物。(式(1)中，R0各自独立地是含
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公开(公告)号：CN104969127A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007892.6
申请日：2014-02-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07D493/04 , H01L21/027
Abstract: 本发明的光刻用下层膜形成材料，其含有具有下述通式(1)所示结构的化合物。式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R1是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基可以具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R2是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基，碳原子数为6～10的芳基，碳原子数为2～10的烯基或羟基，m是0～3的整数，n是1～4的整数，p是0或1，q是1～100的整数。
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