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公开(公告)号:CN101232952B
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200680027597.2
申请日:2006-07-13
Applicant: 肖特股份公司
Inventor: 约尔格·舒马赫 , 因卡·亨策 , 托德·古杰尔 , 加布里埃莱·勒默尔-朔伊尔曼
CPC classification number: B05D1/322 , B05D1/40 , B05D3/0254 , B05D5/02 , F24C15/04 , Y10T428/24802 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明涉及一种衬底,包括至少一个部分表面的或全表面的宏观结构化的涂层,可通过方法(a)获得:以结构化的形式将溶胶-凝胶-溶液涂覆到衬底上,并且干燥和/或烘烤得到的溶胶-凝胶-涂层;或者方法(b):在应用保护漆的情况下,将涂覆在衬底上的溶胶-凝胶-涂层结构化。本发明的目的还在于提供制造该衬底的方法。本发明在应用溶胶-凝胶-技术的情况下,使任意衬底的涂覆成为可能。
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公开(公告)号:CN1745487B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200380109431.1
申请日:2003-12-12
Applicant: 造型逻辑有限公司
CPC classification number: B05D5/12 , B05D1/322 , B05D3/145 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0016 , H01L51/0017 , H01L51/0021 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/052 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/057 , H01L51/105 , H01L2251/105 , Y10S977/887
Abstract: 一种用于在多层结构中形成电子器件的方法,包括以下步骤:在横向延伸的第一层中限定表面形状分布;在所述第一层上沉积至少一个非平面化层,以使所述或每个非平面化层的表面的所述表面形状分布与所述横向延伸的第一层的表面形状分布一致;以及在所述最上非平面化层上沉积至少一个附加层的图案,从而通过所述非平面化层的所述表面形状分布的形状限定所述附加层的横向位置,并由此所述附加层与在所述第一层中的所述表面形状分布横向对准。
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公开(公告)号:CN100549735C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200580046044.7
申请日:2005-12-06
Applicant: ARC工程学院
CPC classification number: G02B3/12 , B01D67/0032 , B01D67/0034 , B01D69/122 , B01D71/44 , B01D2323/10 , B05D1/322 , B05D1/60 , B29C41/003 , B29C41/02 , B29K2065/00 , B29L2031/755 , G02B1/06 , Y10T428/23 , Y10T428/24273 , Y10T428/24521 , Y10T428/24562 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明涉及膜装置的制备方法,该方法在于:提供基体(24);沉积液体(16)到该基体;并且通过低压沉积方法,用形成所述膜的塑性材料的均匀连续薄膜(18)覆盖所述液体(16)和至少与所述液体(16)邻接的基体部分。
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