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公开(公告)号：CN102466491B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110364924.6
申请日：2011-11-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及旋转磁场传感器，旋转磁场传感器具备：第1检测电路，输出表示旋转磁场的第1方向的分量的强度的第1信号；第2检测电路，输出表示旋转磁场的第2方向的分量的强度的第2信号；以及运算电路，基于第1以及第2信号计算角度检测值。第1以及第2检测电路分别包含至少1个MR元件列。各MR元件列通过串联连接的多个MR元件构成。各MR元件具有磁化固定层。构成各MR元件列的多个MR元件包含1个以上的MR元件对。构成对的2个MR元件的磁化固定层的磁化方向形成除了0°以及180°之外的规定的相对角度。
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公开(公告)号：CN101995558B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201010249210.6
申请日：2010-08-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01D3/036 , G01D5/24476
Abstract: 磁性传感器具备：算出第一位置上的外部磁场的方向相对于第一方向所成的第一角度的检测值即第一检测角度的第一检测部、以及算出第二位置上的外部磁场的方向相对于第二方向所成的第二角度的检测值即第二检测角度的第二检测部。第一检测角度包含第一角度误差，第二检测角度包含第二角度误差。第一检测角度的相位与第二检测角度的相位之间的相位差为误差周期的1/2的奇数倍。
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公开(公告)号：CN102445221A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110325796.4
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 向具有第1～第3运算部的角度检测部输入与旋转磁场的互不相同的方向的成分的强度对应的第1和第2信号。第1运算部生成第1信号与第2信号的平方和信号。第2运算部根据平方和信号，计算第1信号中包含的第1误差成分的推定值即第1误差成分推定值与第2信号中包含的第2误差成分的推定值即第2误差成分推定值。第3运算部从第1信号减去第1误差成分推定值之后生成第1修正后信号，从第2信号减去第2误差成分推定值之后生成第2修正后信号，根据第1和第2修正后信号计算出角度检测值。
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公开(公告)号：CN102384758A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110252342.9
申请日：2011-08-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路，第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位，相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位，相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，基于第1和第2信号计算角度检测值。
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公开(公告)号：CN101373598B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810146838.6
申请日：2008-08-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及一种热辅助磁头。一边使来自光波导路的出射光的出射位置和磁极端部靠近，一边实现对磁记录介质的高密度的写入。热辅助磁头包括：主磁极层，具有露出于与磁记录介质相对的介质相对面的磁极端部；以及光波导路，使入射的激光向层叠方向偏转。主磁极层位于光因光波导路而发生偏转的一侧。磁极端部向光因光波导路而发生偏转的一侧突出。光波导路在介质相对面侧比磁极端部更突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100373455C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610080345.8
申请日：2006-05-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。
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公开(公告)号：CN119986486A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411607260.5
申请日：2024-11-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场产生器构成为产生对磁传感器施加的磁场。磁场产生器的导体层包含：第一端、第二端、多个主配线、第一副配线、以及第二副配线。第一副配线包含从第一端经由多个第一连结部到达多个主配线31中的各个的多个第一路径。第二副配线包含从第二端经由多个第二连结部到达多个主配线中的各个的多个第二路径。任意两个第一路径各自所经由的多个第一连结部的数量相同。任意两个第二路径各自所经由的多个第二连结部的数量相同。
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公开(公告)号：CN112051524B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010504222.2
申请日：2020-06-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种磁传感器。检测对象磁场在第一平面内的基准位置，具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含MR元件。MR元件包含具有在第二平面内可变的方向的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成除90°以外的二面角α并交叉。检测对象磁场能够被分为平行于第二平面的面内分量和垂直于第二平面的垂直分量。面内分量具有相应于第一方向的变化而变化的第二方向。第一磁化的方向相应于第二方向的变化而变化。检测值取决于第一磁化的方向。
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公开(公告)号：CN112068048B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010517993.5
申请日：2020-06-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁、和磁传感器。磁传感器对检测对象磁场进行检测，从而生成与磁铁的位置对应的检测值。磁传感器包含MR元件和基板。基板包含主面。MR元件接受的检测对象磁场具有在第一平面内变化的第一方向。MR元件含有具有方向可在与主面平行的第二平面内变化的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成90°之外的二面角而交叉。检测值依存于第一磁化的方向。
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