-
公开(公告)号：CN1178266C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01119606.8
申请日：2001-04-30
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 金成大
CPC classification number: H01J29/073 , H01J2229/0722
Abstract: 本发明涉及阴极射线管中的框架，特别涉及用于支撑荫罩的张力罩型装置的框架，以向阴极射线管中的荫罩施加张力。阴极射线管中的框架包括用于固定荫罩的主框架，和用于支撑主框架的副框架，借此以作用其上的张力支撑荫罩，其中副框架有向荫罩突出的部分，以使荫罩上的张力引起的主框架的变形最小，副框架相对于副框架的中心在左右方向对称。
-
公开(公告)号：CN101025980B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710005829.0
申请日：2003-09-30
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/10009 , G11B20/22 , G11B2020/1288 , G11B2020/1873 , G11B2220/20 , G11B2220/2541
Abstract: 本发明公开了一种一次写入型光记录介质，以及用于将管理信息记录到该记录介质上的方法和设备，该方法包括：将该记录介质正在使用时所产生的管理信息记录在临时缺陷管理区(TDMA)中；以及在该记录介质的DMA填充阶段将TDMA的最新管理信息转移并记录入该记录介质的最终缺陷管理区(DMA)中。
-
公开(公告)号：CN100543844C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200380110147.6
申请日：2003-10-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B7/00375 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/00745 , G11B7/24038 , G11B2020/1873 , G11B2220/20 , G11B2220/218 , G11B2220/2541
Abstract: 揭示了一种管理具有至少一个记录层的只写一次的光学记录介质上的缺陷的方法。管理至少一记录层上缺陷的方法包括以下步骤：将至少一个替换区域和多个临时缺陷管理区域分配到光学记录介质，其中临时缺陷管理区域分开提供，并将缺陷管理信息记录在多个临时缺陷管理区域的至少一个上。
-
公开(公告)号：CN101261867A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083209.3
申请日：2003-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G11B20/18
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 本发明提供了一次性写入光学记录介质，用于分配所述一次性写入光学记录介质的缺陷管理区的方法，以及用于分配所述一次性写入光学记录介质的备用区的方法。这里提供的具有至少一个记录层的一次性写入光学记录介质上的缺陷的管理方法包括下列步骤：分别分配至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区至所述光学记录介质，将缺陷管理信息记录在所述至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和所述至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区上；以及使用所述至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和所述至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区。
-
公开(公告)号：CN1311434C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03821405.9
申请日：2003-09-30
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/10009 , G11B20/22 , G11B2020/1288 , G11B2020/1873 , G11B2220/20 , G11B2220/2541
Abstract: 本发明公开了一种一次写入型光记录介质，以及用于将管理信息记录到该记录介质上的方法和设备，该方法包括：将该记录介质正在使用时所产生的管理信息记录在临时缺陷管理区(TDMA)中；以及在该记录介质的DMA填充阶段将TDMA的最新管理信息转移并记录入该记录介质的最终缺陷管理区(DMA)中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1754206A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200380109904.8
申请日：2003-10-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 本发明提供了一次性写入光学记录介质，用于分配所述一次性写入光学记录介质的缺陷管理区的方法，以及用于分配所述一次性写入光学记录介质的备用区的方法。这里提供的具有至少一个记录层的一次性写入光学记录介质上的缺陷的管理方法包括下列步骤：分别分配至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区至所述光学记录介质，将缺陷管理信息记录在所述至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和所述至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区上；以及使用所述至少一个具有固定大小的临时缺陷管理区和所述至少一个具有可变大小的临时缺陷管理区。
-
公开(公告)号：CN1751339A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200380109805.X
申请日：2003-10-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 一种一次写入型光盘和在一次写入型光盘分配备用区的设备和方法。所述方法包括在一次写入型记录介质上分配数据区和在记录介质上在该数据区内分配用户数据区和至少一个备用区。所述至少一个备用区具有可变大小，其中记录介质上的所述至少一个备用区的最大记录容量比在可重写型光盘上的至少一个可变备用区的最大记录容量小。
-
公开(公告)号：CN1745412A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200380109313.0
申请日：2003-10-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B7/00745 , G11B2007/0013 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 利用临时缺陷管理区(TDMA)提供了一种一次写入型光盘、一种用于管理该一次写入光盘，例如，BD－WO上的缺陷信息的方法和设备。该方法包括：准备临时缺陷管理区(TDMA)，在该临时缺陷管理区上，将临时缺陷列表(TDFL)记录为用于管理光盘上的缺陷区的缺陷管理信息；在临时缺陷管理区上，利用先前的临时缺陷列表累积记录最近临时缺陷列表；以及除了临时缺陷列表，还在临时缺陷管理区上记录用于指出最近临时缺陷列表的位置的位置信息，一更有效地管理临时缺陷列表。
-
公开(公告)号：CN1682285A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821406.7
申请日：2003-09-30
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/10009 , G11B20/22 , G11B2020/1288 , G11B2020/1873 , G11B2220/20 , G11B2220/2541
Abstract: 提供一种可一次写入的记录介质，以及一种用于管理所述记录介质上缺陷区的方法和设备。所述方法包括：在进行数据写入操作时，数据一经写入数据区，则在该记录介质的数据区内检测存在的缺陷区；如果检测到缺陷区，则将写入缺陷区的数据写入数据区的备用区；将与缺陷区相关的临时管理信息写入该记录介质的临时管理区；以及将用于存取临时管理信息用的存取信息写到该记录介质的保留区。
-
公开(公告)号：CN1610938A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN03801864.0
申请日：2003-09-26
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/218 , G11B2220/2541
Abstract: 提供了一种一次性写入记录介质以及一种用于管理该记录介质上的缺陷区的方法和装置。该方法包括：在数据写操作中，当数据被写到数据区上时检测记录介质的数据区中的缺陷区的存在；如果检测到缺陷区，则把写在缺陷区中的数据写到另一数据用户区上；以及把与该缺陷区相关的缺陷管理信息写到记录介质上的至少一个缺陷管理区上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.024 seconds)
