一种硒化钴/石墨碳复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109585823A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811404591.3

    申请日:2018-11-23

    Abstract: 一种硒化钴/石墨碳复合材料的制备方法是以Co(NO3)2·6H2O、2-甲基咪唑、甲醇、硒粉为原材料,分别经过多面体形金属有机骨架化合物ZIF-67的制备、基于MOFs模版构筑硒化钴/石墨碳复合材料的制备等步骤制得。本发明制备的ZIF-67为菱形十二面体,其骨架粒径小、可控制在300nm左右且均匀,比表面积大,整体分布也均匀。本发明复合材料,结晶度高,具有较高的比表面积和多孔性,可形成均相分布,制备骨架粒径小,整体分布均匀;同时,触电容量大,寿命长,具有优良的储锂性能,最多可经过200次充放电循环后不衰减,使用过程稳定性好,不会出现电流忽大忽小的状况,且产物纯度高,本发明制备方法产量高、可达高70%以上,制备工艺简单可行,值得市场推广。

    一种单分散硫化锑量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN107758740B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201710841943.0

    申请日:2017-09-18

    Abstract: 本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域,涉及一种单分散硫化锑量子点的制备方法,合成路线是按照以下方式进行的:硫代乙酰胺和乙酸锑分别溶于一种有机溶剂,先加热硫代乙酰胺溶液,然后快速加入乙酸锑溶液并快速冷却,通过上述两者快速反应合成获得硫化锑量子点并密封保存,制备的单分散硫化锑量子点分散性好,能在常见溶剂例如去离子水、乙醇、乙二醇甲醚、二氯甲烷等溶剂中形成较稳定的分散液,因此该硫化锑量子点可与低成本的喷墨打印、旋涂、喷涂等技术兼容,实现器件化应用。

    一种金属有机骨架Mn-BTC及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109400905A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811419191.X

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 一种金属有机骨架Mn-BTC的制备方法是以Mn(CH3COO)2·4H2O、PVP-30、乙醇与水的混合溶液、均苯三甲酸为原料,分别经过溶液A的制备、溶液B的制备、混合老化、离心洗涤、真空干燥等步骤制得。本发明制备的MOFs球形完整,具有球形形貌,产品分散性好,未见粘连状况结晶度高,利用其制备的微球状硒化锰/碳复合材料,具有较高的比表面积和多孔性,表现出优良的储锂性能,产物纯度高,纯度可高达99.2%,产率高,可高达70%以上,储电容量大,循环寿命长,工艺流程简单可行,值得市场推广。

    一种氧化镍薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108807687A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810611518.7

    申请日:2018-06-14

    Inventor: 胡荣

    Abstract: 本发明涉及一种氧化镍薄膜的制备方法。它依次包括以下步骤:(1)配置前驱溶液:分别取氢氧化镍,胺类和醇类有机溶剂,氨水,进行多次溶解至氢氧化镍完全溶解,所得清液即为前驱溶液;(2)制备薄膜:用前驱溶液在预先已清洁处理过的基底表面涂覆一层厚度为20~50nm的薄膜,之后将基底置于250~450℃热处理。本发明方法成本低廉、操作简单,且可制得综合性能优异的氧化镍薄膜。

    一种高氮含量碳量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN108101020A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711375812.4

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 一种高氮含量碳量子点的制备方法,将过期甲硝唑片和超纯水置于水热反应釜中并密封,然后放入烘箱或马弗炉进行水热反应,结束后,将水热反应釜取出自然冷却,然后倒出水热反应釜中的反应液,再经离心、过滤、冷冻干燥等步骤制得。本发明采用过期的甲硝唑片药物来制备碳量子点,原料简单易得,实现了原料高效利用,所制得的碳量子点具有较好的水溶性、高纯度、分散性好、无团聚现象、尺寸均一、高的稳定性、高的氮含量等一系列优点,其氮含量高达20.9%;另一方面本发明在获得碳量子点的同时,还从水热反应残渣中获取到了碳纳米球材料,实现对过期甲硝唑药物的高效利用,该制备方法简单易行,便于进行大规模的制备及工业化生产。

    一种单分散硫化锑量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN107758740A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201710841943.0

    申请日:2017-09-18

    Abstract: 本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域,涉及一种单分散硫化锑量子点的制备方法,合成路线是按照以下方式进行的:硫代乙酰胺和乙酸锑分别溶于一种有机溶剂,先加热硫代乙酰胺溶液,然后快速加入乙酸锑溶液并快速冷却,通过上述两者快速反应合成获得硫化锑量子点并密封保存,制备的单分散硫化锑量子点分散性好,能在常见溶剂例如去离子水、乙醇、乙二醇甲醚、二氯甲烷等溶剂中形成较稳定的分散液,因此该硫化锑量子点可与低成本的喷墨打印、旋涂、喷涂等技术兼容,实现器件化应用。

    一种超声喷雾热解镀膜装置

    公开(公告)号:CN104762613A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201510203385.6

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种超声喷雾热解镀膜装置,包括气柜(1)、超声雾化装置、喷雾头、和带基片(2)的加热台(3),其特征是:所述气柜(1)通过进气管(4)与超声雾化装置连通,所述超声雾化装置通过管道(5)与喷雾头连通,所述喷雾头位于加热台(3)方且与加热台(3)相对应,在所述加热台(3)下方设置有XY移动平台(13),在所述超声雾化装置外设置有冷却装置。本发明具有结构设计巧妙、操作方便、成本低廉的优点,采用它不但能够长时间进行大面积薄膜的制备,使薄膜的产品面积和厚度得到控制,而且还解决了镀膜过程中滴水问题的产生,提高了薄膜产品的成品率及品质。

    一种超声喷雾热解镀膜装置

    公开(公告)号:CN204570035U

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201520257987.5

    申请日:2015-04-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种超声喷雾热解镀膜装置,包括气柜(1)、超声雾化装置、喷雾头、和带基片(2)的加热台(3),其特征是:所述气柜(1)通过进气管(4)与超声雾化装置连通,所述超声雾化装置通过管道(5)与喷雾头连通,所述喷雾头位于加热台(3)方且与加热台(3)相对应,在所述加热台(3)下方设置有XY移动平台(13),在所述超声雾化装置外设置有冷却装置。本实用新型具有结构设计巧妙、操作方便、成本低廉的优点,采用它不但能够长时间进行大面积薄膜的制备,使薄膜的产品面积和厚度得到控制,而且还解决了镀膜过程中滴水问题的产生,提高了薄膜产品的成品率及品质。

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