公开(公告)号：CN103257254A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210032921.7

申请日：2012-02-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马中发 ,  庄弈琪 ,  吴勇 ,  张鹏 ,  陈祺 ,  包军林

IPC: G01R1/06 ,  G01R3/00

Abstract: 本发明公开了一种探针尖端及其制作方法，该探针尖端采用石墨烯加工而成。本发明最尖可达一个碳原子宽度，且可根据需要增大宽度一直到宏观尺寸。由于石墨烯的特性，这种尖端具有超高的电导率、强度、韧性、热导率和耐电流强度能力。本发明与传统的金属探针尖端相比，尖端更尖，同时强度和韧性更好。与碳纳米管探针尖端相比，本发明的尖端机械性能与其相当，但更容易加工、尖端宽度容易调节、且电导率更高。

公开(公告)号：CN101413976B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810232533.7

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杜磊 ,  陈文豪 ,  庄弈琪 ,  包军林 ,  郑磊

IPC: G01R29/26

Abstract: 本发明公开了一种电子材料与器件散粒噪声测试方法，解决现有散粒噪声测试方法准确性及可靠性差的问题。整个测试系统包括：低温装置、放大系统和数据采集与处理系统。其测试过程为：测试系统背景噪声Sc和被测样品电导G，确定被测样品的最小电流I及最高温度T；根据最小电流I及被测样品相关噪声测试标准优选m个测试电流点；将被测样品置于低温装置内的屏蔽样品室，选取m个测试电流点中最大电流值I′max作为工作电流，进行样品噪声初测；计算1/f噪声转折频率fC，确定放大系统和数据采集与处理系统相关参数；分别在m个测试电流点测试被测样品噪声时间序列和频谱，得到散粒噪声测试结果并生成测试报告。本发明具有测试精度、准确性高和测试系统灵活的优点。

公开(公告)号：CN202948933U

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201220047566.6

申请日：2012-02-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马中发 ,  庄弈琪 ,  吴勇 ,  张鹏 ,  张策 ,  包军林

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种石墨烯场效应晶体管，包括衬底、石墨烯沟道层、h-BN材质的底栅介质层、h-BN材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于石墨烯沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于石墨烯沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。本实用新型的石墨烯场效应晶体管的微波与射频特性好。

公开(公告)号：CN203055916U

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201220047573.6

申请日：2012-02-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马中发 ,  庄弈琪 ,  张鹏 ,  吴勇 ,  张策 ,  包军林

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种石墨烯纳米带场效应晶体管，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。本实用新型的开关电流比高达107，沟道电子的迁移率达到300cm2/Vs。