一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN107188527A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710466058.9

    申请日:2017-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种由纳米线构筑的SiC弹性陶瓷及其制备方法,属于先进陶瓷制备技术领域。技术方案为:以多孔碳材料或多孔碳纤维材料为骨架,以烷氧基硅烷水解制备的聚硅氧烷溶胶为前驱体,通过浸渍‑裂解‑气相反应,获得多孔碳材料或多孔碳纤维材料/SiC纳米线中间结构,然后通过热氧化去除多孔碳材料或多孔碳纤维材料骨架,获得纳米线构筑的SiC弹性陶瓷。该材料是由SiC纳米线通过自组装形成的具有一定强度、良好弹塑性、优异隔热性能的轻质三维网络结构。该方法为制备弹性陶瓷的新方法,可实现大尺寸、形状复杂的SiC弹性陶瓷的制备,同时制备周期短,成本低,适于工业化生产。

    一种在锆合金基体表面制备包含h‑Zr<base:Sub>3</base:Sub>O相的致密氧化锆涂层的方法

    公开(公告)号:CN105039957B

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201510508723.7

    申请日:2015-08-18

    Abstract: 本发明公开了一种在锆合金基体表面制备包含h‑Zr3O相的致密氧化锆涂层的方法,属于锆合金表面改性技术领域。方法包括以下步骤:1)采用提拉法将液态的线性聚碳硅烷涂覆于锆合金基体表面;2)于Ar气氛中加热升温至线性聚碳硅烷的固化温度,保温处理;3)继续加热升温至涂层制备温度,再次保温处理;4)冷却至室温,在锆合金基体表面制得包含h‑Zr3O相的致密氧化锆涂层。该方法制备的涂层与基体之间为化学结合,结合性能良好。同时该方法工艺简单,灵活,易于工业化生产。

    一种多孔陶瓷表面致密陶瓷涂层的结构及制备方法

    公开(公告)号:CN103693997B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310608160.X

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 一种多孔陶瓷表面致密陶瓷涂层的结构及制备方法,其结构为在多孔陶瓷基体表面包括双层结构陶瓷涂层,即致密层以及多孔陶瓷基体和致密层间的过渡层,致密层和过渡层采用在多孔基体表面喷涂沉积非氧化物陶瓷粉体内层和氧化物混合物粉体外层,烧结之后得到;其制备方法为:在多孔陶瓷基体表面喷涂沉积非氧化物粉体内层和氧化物混合物粉体外层,通过高温,外层先形成液相,浸渗到内层中,促进非氧化物粉体烧结,形成致密层:部分液相通过内层浸渗到多孔基体表面,形成过渡层;本发明解决了陶瓷涂层易开裂,分层,以及液相易渗入到多孔基体内部等问题;该结构的陶瓷涂层可明显降低多孔陶瓷基体的吸水率,提高多孔陶瓷基体表面硬度和抗冲蚀能力。

    多孔氮化物陶瓷基体表面制备致密O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层的方法

    公开(公告)号:CN103664235A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310603630.3

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 多孔氮化物陶瓷基体表面制备致密O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层的方法,步骤如下:1、基体处理,2、钇铝硅陶瓷粉末的制备,3、料浆制备,4、料浆喷涂,5、试样干燥、6、试样烧结;所制备的O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层厚度均匀可控,结构致密,无微观裂纹,该方法可以在高气孔率的复杂形状的氮化物陶瓷基体表面制备O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层,并且通过控制喷涂次数和烧结温度来控制涂层中O’-sialon相含量;该方法具有简单、灵活、高效且易于工业化应用的特点。

    一种高强度柔性层状陶瓷纳米线气凝胶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117504748A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311436861.X

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种高强度柔性层状陶瓷纳米线气凝胶及其制备方法和应用,属于先进陶瓷制备技术领域,该方法以低密度柔性陶瓷纳米线气凝胶为原料,将其进行裁剪堆叠,然后将堆叠后的低密度气凝胶浸入溶剂中,将浸有溶剂的气凝胶取出,进行干燥,利用干燥过程中溶剂挥发产生的毛细力,实现纳米线的自组装,样品完全干燥后,获得高强度柔性陶瓷纳米线气凝胶。所获得的陶瓷纳米线气凝胶,具有压缩回弹性、延性拉伸变形、可回复的弯曲和屈曲变形,其强度可达大幅度提升,显示出高承载能力,实现了陶瓷气凝胶的强而柔。

    一种超弹性碳气凝胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN114314558B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202210087327.1

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明公开的一种超弹性碳气凝胶及其制备方法,利用SiC或Si3N4氧化后得到的SiO2纳米线气凝胶为模板,通过化学气相沉积法在纳米线表面均匀裹覆上热解碳/石墨碳,再通过腐蚀的方法去除SiO2,保留中空碳结构。得益于超弹性碳气凝胶内部丰富的缠结/交联结点,能使其在具有高强度的同时,还具有优异的压缩回弹性,经试验证明本发明的超弹性碳气凝胶能够在压缩应变高达98%时实现完全回复,同时具有较高的力学强度,大大地提高了气凝胶的使用可靠性。该制备方法具有效率高、工艺简单、制备周期短等特点,适合用作工业化生产。

    一种耐高温的轻质高强多孔陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114276163B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210087356.8

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明公开的一种耐高温的轻质高强多孔陶瓷及其制备方法,属于多孔陶瓷制备技术领域,通过在陶瓷纳米线表面沉积一层碳化硅,碳化硅为一种高温稳定性十分出色的陶瓷材料,同时具有高强度和高硬度的特点,因此在陶瓷纳米线表面沉积一层碳化硅,使原本通过物理接触的陶瓷纳米纤维被沉积的碳化硅连接起来,有利于提高陶瓷纳米线的高温稳定性,实验验证该耐高温的轻质高强多孔陶瓷具有高的缺陷容忍性,可承受高达40%时的压缩应变,具有稳定的承载功能和较高的可靠性,且具备高气孔率、低密度、高强度、可加工的以及最高耐1600℃高温的特点,大大提高了多孔陶瓷的可靠性,适合可用于隔热防火、催化剂载体、高温过滤等领域。

    一种碳化硅气凝胶基复合相变储能材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115746795A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211505156.6

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅气凝胶基复合相变储能材料,属于复合功能材料技术领域。该碳化硅气凝胶基复合相变储能材料由质量百分比为0.8%~15.6%的碳化硅气凝胶、0.1‑1%的界面改性剂和83.4%~99.1%的相变物质制得。所用碳化硅为具有三维联通网络结构的碳化硅纳米线气凝胶,相变物质均匀填充在碳化硅纳米线气凝胶的空隙中;本发明所采用的的复合方法为真空浸渍法,所得碳化硅气凝胶基复合相变储能材料的相变潜热为相变物质理论潜热的83~99%。本发明所采用的的界面改性方法为化学气相合成法,所得界面改性后的表面包覆改性剂的碳化硅气凝胶相变材料热导率提高至改性前的1.2‑3倍,实现了光热转化和热能储存,提高太阳能利用率至改性前的3‑8倍。

    一种具有高温稳定性的高熵块体陶瓷气凝胶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115448719A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202211242512.X

    申请日:2022-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种具有高温稳定性的高熵块体陶瓷气凝胶及其制备方法和应用,该高熵块体陶瓷气凝胶化学分子式为(La0.2Sm0.2Er0.2Y0.2Yb0.2)2Ce2O7,其晶体结构为缺陷萤石型结构。该方法具有简单易行,并且所合成的具有高温稳定性的高熵陶瓷气凝胶为块状的优点。该系列高熵氧化物均为高熵铈氧化物,具有极好的高温稳定性,能够在1500℃空气气氛下热处理10h不发生相变或偏析。该具有高温稳定性的高熵块状陶瓷气凝胶适合用作高温隔热涂层、抗腐蚀涂层和高放废物处理等领域。该系列具有高温稳定性的高熵氧化物填补了高熵块状陶瓷气凝胶的研究空白,丰富高熵材料体系,同时拓展高熵陶瓷的应用范围。

    一种石墨烯/碳化硅三维复合气凝胶的制备及其负载二硫化钼电催化剂

    公开(公告)号:CN113026053B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110264629.7

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/碳化硅三维复合气凝胶的制备及其负载二硫化钼电催化剂,属于无机纳米材料领域。该石墨烯/碳化硅三维复合气凝胶以质量百分比计,由23.6%~88.9%的石墨烯和11.1%~76.4%碳化硅组成;所用的石墨烯为石墨烯纳米片,碳化硅为碳化硅纳米线。结构为三维连接的碳化硅纳米线生长在石墨烯网络中。密度为5.6mg/cm3~32.6mg/cm3。本发明所采用的石墨烯/碳化硅三维复合气凝胶的制备方法为原位CVD法,通过硅凝胶裂解产生的一氧化碳和一氧化硅在石墨烯上形核长大,生长成为碳化硅纳米线。通过碳硅键结合,可以在石墨烯和碳化硅之间形成良好的界面,有利于提高材料的导电性和稳定性,该方法工艺简单,有利于大规模生产。

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