三电极场畸变气体开关的模型构建方法和导通过程模拟方法

    公开(公告)号:CN108229038A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810022759.8

    申请日:2018-01-10

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供了一种三电极场畸变气体开关的模型构建方法和导通过程模拟方法,旨在更为直观的表征从外部触发电压到来,到开关经过一定的触发与贯通延时后完全闭合的导通过程。本发明通过将整个开关导通过程等效为两个独立间隙各自的击穿过程,并通过导通起始条件确定整个开关的击穿模式,使其与开关的实际使用情况更为接近。通过对结构电路中压控开关的导通控制条件的设定,将间隙击穿起始判据、导通过程延时及抖动等信息引入了开关模型中,使整个导通过程的模拟更为真实。通过间隙导通起始判断条件的改变,可根据实际情况改变开关导通的控制方式,形式灵活多样,适用于脉冲功率技术领域大部分应用中该类开关导通过程的模拟与仿真。

    阳极箔产生等离子体加强箍缩聚焦的小焦斑X射线二极管

    公开(公告)号:CN105632856B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201610038206.2

    申请日:2016-01-20

    IPC分类号: H01J35/02 H01J35/08

    摘要: 本发明涉及一种小焦斑大剂量辐射输出的自磁聚焦X射线二极管,具体涉及一种阳极箔产生等离子体加强箍缩聚焦的小焦斑X射线二极管,包括阴极和阳极,阴极的发射端和阳极的接收端真空密封于阳极外筒中,该小焦斑X射线二极管还包括与阳极等电位的阳极箔,阳极箔位于阴极的发射端和阳极的接收端之间。本发明通过在阳极靶前设置阳极箔,可以在电子束的作用下产生阳极箔等离子体,电子束进入该区域后与阳极箔等离子体互作用过程发生强箍缩,获得小焦斑大剂量辐射的X射线输出。

    MV级电触发开关的触发引入装置及该装置的安装方法

    公开(公告)号:CN104993377B

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201510415846.6

    申请日:2015-07-15

    IPC分类号: H01T2/02 H01T1/00

    摘要: 本发明涉及一种MV级电触发开关的触发引入装置及该装置的安装方法,保护电阻处于传输线高压内筒与地电极外筒之间,电阻一端连接触发系统输出高压同轴电缆,另一端连接MV级电触发开关。本发明集触发引入与隔离保护于一体,可以避免使用预脉冲电感,安装简便,可靠性高,造价低;保护电阻处于传输线内外筒之间液体绝缘介质中,承受脉冲高电压时,电阻表面电场强度垂直分量弱,且沿面闪络发生的场强高,有利于电阻绝缘安全。

    共用腔体的多级串联LTD及其触发方法

    公开(公告)号:CN105187031A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510559741.8

    申请日:2015-09-06

    IPC分类号: H03K3/53

    摘要: 本发明涉及一种多级串联直线变压器驱动源(Linear Transformer Driver,简称LTD),以及该驱动源的触发方法。本发明包括多个串联叠放的LTD模块;所有的LTD模块位于一个共用的无磁性金属壳体内。本发明解决了常规多级串联LTD触发电路繁多,制造成本高且触发时序难以保证的技术问题。本发明将多级LTD模块串联叠放于一个共用壳体内,3-4级LTD模块可以共用一路触发脉冲,所有的LTD模块可以共用一路充电电缆,因此显著减少了引入的触发电缆路数和充电电缆路数,简化了原本十分复杂的线路排布,提高了设备运行可靠性。

    一种脉冲均匀馈入感应电压叠加器感应腔的方法及设备

    公开(公告)号:CN102360732B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201110147821.4

    申请日:2011-06-03

    IPC分类号: H01F19/08 H01F30/06

    摘要: 本发明公开了一种脉冲均匀馈入感应电压叠加器感应腔的方法,以及实施该方法的专门设备。脉冲均匀馈入感应电压叠加器感应腔的方法,将单点馈入感应腔的高功率脉冲分成多路等长度、等阻抗的传输线,其并联阻抗等于初级馈入脉冲源的阻抗,同时到达感应腔初级圆柱体端面的对称的多个点。实现脉冲均匀馈入感应电压叠加器感应腔的方法的专门设备与单点馈入IVA感应腔结构相比,增加了角向传输线(10)。本发明涉及的方法有利于提高电脉冲传输效率、减小电脉冲波形畸变,其专门设备具有结构简单可靠的优点。广泛应用于对称均匀同步激磁要求更高的同类型电磁感应原理装置和设备。

    一种X射线箍缩二极管复合阴极及其设计方法

    公开(公告)号:CN102097266B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201110008748.2

    申请日:2011-01-17

    IPC分类号: H01J9/04 H01J35/06

    摘要: 本发明涉及一种X射线箍缩二极管复合阴极及其设计方法,为了实现减小轴向焦斑的目的,本发明在阴极圆盘上贴覆可影响电子发射面的几何构型,以调控电子束箍缩状态和减小X射线侧向焦斑的电介质材料,所用的电介质材料为聚四氟乙烯,帖覆时使用鱼珠胶。其中石墨圆盘厚度为2.2mm,盘形阴极外半径为74mm,内半径为8mm,阴极石墨圆盘的后表面贴覆有1mm厚的电介质材料层。本发明的有益效果是,在相同的二极管工作电压环境下,通过采用复合阴极,阳极杆箍缩二极管产生X-射线的轴向焦斑明显减小。

    电晕均压装置及引入该装置的多间隙串联气体火花开关

    公开(公告)号:CN102324702A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110147825.2

    申请日:2011-06-03

    IPC分类号: H01T19/04 H01T1/00

    摘要: 本发明公开了一种电晕均压装置,同时还涉及一种引入该装置的多间隙串联气体火花开关。该电晕均压装置包括中间电极(1)、电晕针支撑(2)、电晕针(3),中间电极(1)中心装有电晕针支撑(2),电晕针(3)安装在电晕针支撑杆(2)上。多间隙串联气体火花开关,包括正极性高压电极(4)、触发引入接口(5)、绝缘气体引入接口(6)、开关绝缘子(7)、负极性高压电极(8)、均压装置,该均压装置为以上所述的电晕均压装置,负极性高压电极(8)中心也安装电晕针(3)。该电晕均压装置也可用于其他类似高电压需要均压而均压电阻或均压环不容易引入的设备。该装置具有体积小、结构简单、安全可靠、使用寿命长的优点。

    一种快脉冲电压下磁芯磁化特性的测试方法及装置

    公开(公告)号:CN102213753A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110007783.2

    申请日:2011-01-14

    IPC分类号: G01R33/12

    摘要: 本发明涉及一种磁芯在快脉冲电压下的磁芯磁化性能的测试方法及装置,采用单位面积单匝馈入感应腔初级的脉冲电压陡度,即Vp/(n·Se·tr)作为表征磁芯磁化磁场强度特性的特征参数,通过改变快前沿脉冲电压发生器的充电电压或绕组匝数,测试获得不同特征参数快脉冲电压下的磁芯磁滞回线。本发明的测试装置,包括低电感电容器C、快响应电阻分压器RD1/RD2、短间隙气体开关Gap、初级绕组、次级绕组、电流线圈和外圆柱筒,测试装置能够产生前沿小于20ns、幅值20~80kV的快前沿脉冲电压,达到FLTD和IVA实际工作条件下的磁化磁场强度特征参数值。

    感应腔磁芯复位机构
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102208267A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110007758.4

    申请日:2011-01-14

    IPC分类号: H01F30/00

    摘要: 一种感应腔磁芯复位机构,包括磁芯复位脉冲引入杆、圆筒状固定电极和运动电极,在运动电极和固定电极之间设有螺纹压套和开槽压套,运动电极内有弹簧驱动部件,磁芯复位脉冲引入杆位于运动电极的上部,馈入脉冲到感应腔的角向传输线连接结构位于固定电极下部。通过活塞式引入机构,实现了一个形成线驱动并联在一起的多个感应腔的分别磁芯高效复位和主脉冲同时正常激磁,使单个感应腔单独磁芯复位,不会对其他感应腔造成影响,可使每个感应腔磁芯复位电流相同。

    准单能脉冲γ射线源的用途和制备方法

    公开(公告)号:CN102097151A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110003337.4

    申请日:2011-01-10

    IPC分类号: G21K7/00 G21H5/00

    摘要: 本发明公开了一种准单能脉冲γ射线源的用途和制备方法,其可用于脉冲射线探测器的能量响应和时间响应研究、核辐射脉冲测试系统标定和考核以及开展模拟实验研究、脉冲核反应堆高能γ射线辐射防护及其它应用基础性研究工作。本发明制备准单能脉冲γ射线源的原理是利用高功率质子束轰击含19F核素的靶可以发生共振核反应形成20Ne*,处于激发态的20Ne*核退激时放出三种不同能量的α粒子后形成的16O*,16O*核仍处于激发态,退激时放出6.129、6.917和7.117MeV的三种能量的γ射线。在入射质子能量Ep<1MeV的情况下,主要产生能量为6.129MeV的单能γ射线,在质子能量Ep<0.48MeV的情况下,所产生的能量为6.129、6.917和7.117MeV的三种能量的单能γ射线分支比为0.9701∶0.0033∶0.0266。