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公开(公告)号：CN114336061A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111624494.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高增益毫米波介质谐振天线，该天线从上至下包括顶层金属贴片，矩形介质谐振器，中间金属层，硅基介质层，金属化通孔，底层金属层。顶层金属贴片加载在矩形介质谐振器上，矩形介质谐振器和顶层金属贴片构成天线辐射结构，矩形介质谐振器置于中间金属层上，中间金属层置于硅基介质层和矩形介质谐振器之间，并开有矩形耦合窗，硅基介质层置于中间金属层和底层金属层之间，金属化通孔贯穿硅基介质层连接中间金属层和底层金属层。电磁波通过馈电结构馈入，并通过中间金属层的耦合窗耦合到天线辐射结构。本发明利用矩形介质谐振器上加载贴片的方式，组成具有两个介质谐振单元的二元天线阵列，大幅提高了天线的增益。
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公开(公告)号：CN110165346B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910354043.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种基于开环人工局域表面等离激元的可重构滤波器，包括三层结构，其中顶层包括谐振器和微带馈电结构，中间层为介质层，底层为金属地，所述微带馈电结构对称分布在谐振器两端，所述谐振器由末端连接在金属圆环上的周期性齿状阵列形成，所述周期性齿状阵列由若干齿状金属条带组成，所述金属圆环上开设有一个开口，所述开口设置在金属圆环上位于齿状金属条带的相互间隔区域部分上，所述开口用以改变原有的驻波谐振模式。本发明通过在金属圆环上增加开口结构，通过改变开口位置，可以激励或抑制特定的谐振模式，实现不同的驻波谐振效果和带通滤波特性，从而提升了滤波器的使用效果。
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公开(公告)号：CN115085675B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210719956.1
申请日：2022-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半封闭耦合结构的硅基太赫兹五倍频器，包括输入巴伦、四次谐波倍频单元、级间变压器、单平衡混频单元以及输出巴伦。单端基波信号由输入巴伦转成差分信号注入倍频单元，同时，从输入巴伦的差分端口功分一路差分信号作为混频单元的本振。倍频单元产生四次谐波以单端模式注入到混频单元的源级端并作为中频信号。混频单元将基波和四次谐波混频产生五倍频差分信号，输出巴伦将差分信号转为单端输出。输入巴伦和输出巴伦均采用一种半封闭耦合结构以降低无源器件的耦合损耗，该结构有着强耦合、高设计自由度的特点，解决了硅基毫米波太赫兹电路无源耦合结构损耗大的问题，提升了太赫兹倍频器的输出功率。
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公开(公告)号：CN118677372A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410580482.6
申请日：2024-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种可以实现5G毫米波频带切换的正交上混频器，包括：通路切换电路、正交上混频器、射频输出匹配电路和本振正交网络，通路切换开关电路的输入与四路正交中频信号对应相连，输出端与正交上混频器相连；单端输入本振信号通过本振正交网络为正交上混频器提供四路正交本振信号；通过改变通路切换开关电路的控制电压实现中频信号的通路切换，正交本振信号与不同路的正交中频信号进行混频，正交上混频器输出实现对输出射频信号的上下某一频带抑制，从而实现频带切换的功能。本发明降低了对本振带宽的要求，减少镜像信号的干扰，在较窄的中频信号和本振信号带宽下，实现了5G毫米波低频频带和高频频带之间的频带切换。
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公开(公告)号：CN118473452A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410614979.5
申请日：2024-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种全集成射频域自干扰信号消除电路及其调控方法，包括功分器、移相器、负群延时电路、衰减器、功率合成器和直流控制电路，功分器、移相器、负群延时电路、衰减器、功率合成器依次连接，所述直流控制电路分别连接所述移相器、负群延时电路、衰减器，其中，所述负群延时电路包括若干级谐振单元，每级谐振单元包括晶体管、电容和电感，所述晶体管、电容和电感相互并联，所述晶体管的源极和漏极分别与电容两端连接，栅极连接直流控制电路，所述谐振单元的谐振频率位于目标消除频率处。本发明群延时可调、消除带宽更大且电路调控更简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263644A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410582450.X
申请日：2024-05-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种具有不等功分功能的波导‑带状线过渡结构，包括空气波导、耦合金属贴片、信号吸收金属层、信号输出金属层、信号屏蔽金属层、第一介质基片、第二介质基片和三个带状线，所述信号吸收金属层、第一介质基片、信号输出金属层、第二介质基片、信号屏蔽金属层从下到上依次叠加，所述信号吸收金属层设有与空气波导形状匹配的第一窗口，所述空气波导在所述第一窗口处与所述信号吸收金属层垂直连接，所述耦合金属贴片位于所述第一窗口内，所述耦合金属贴片包括依次相连接的三个条带，中央条带的宽度大于两个侧边条带的宽度，三个带状线均设置在所述信号输出金属层内，所述第一介质基片上设有连接金属通孔，三个条带通过连接金属通孔分别连接三个带状线。本发明可同时实现过渡和不等功分功能，集成度更高。
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公开(公告)号：CN117539311A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311550164.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有自偏置电荷泵结构的NMOS低压差线性稳压器，其特征在于，包括电荷泵、电流调制环形振荡器、误差放大器、NMOS‑LDO功率级模块、反馈模块、负载电流采集模块和过流保护电路。本发明实现低电源电压环境下的稳压输出，使得低压输出时低压差线性稳压器仍具有高电源转换效率和稳压性能，并且负载电流采集模块实现了电路动态调制功能，使低压差线性稳压器具有更好的瞬态特性。
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公开(公告)号：CN107273967B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201710511151.7
申请日：2017-06-28
Applicant: 东南大学
IPC: G06K19/077 , G06K7/10
Abstract: 本发明涉及一种双圆极化无芯识别系统。该系统包含三个创新点：(1)读卡器采用双圆极化的收发天线，以识别随意放置的、非视距范围内的标签、并提高收发隔离度；(2)标签内不含有芯片，仅由数圈导电结构组成，采用包含石墨烯在内的导电油墨，可将该标签直接打印在纸张、布料、塑料等物体表面，该无芯标签可采用对环境温度及湿度等敏感的材料，以用于监测环境温度及湿度变化；这类无芯标签也可置于待检测物体内部，以用于保密场合；(3)通过添加哑元结构，提高无芯标签的信息容量。
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公开(公告)号：CN116190965A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211655436.5
申请日：2022-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种慢波朗格耦合器芯片。包括金属耦合线、端口连接线、金属通孔、金属连线、金属条带、金属栅条和金属地，其中金属耦合线和端口连接线相连并位于金属地的上方，金属耦合线通过金属通孔及金属连线相连；金属条带采用叉指结构，其位于金属耦合线下侧并通过金属通孔与耦合线连接；金属地开槽，金属栅条位于金属耦合线、金属连线及金属条带的下侧，并处于金属地开槽的中心。本发明实现了朗格耦合器性能，且易于调整耦合线的特征阻抗，更重要的是，该耦合器具有慢波效应，解决了朗格耦合器芯片面积大、加工成本高、在片实现难等问题。
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公开(公告)号：CN115149938A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210767982.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明提出一种基于耦合线的高隔离度片上开关拓扑结构，该结构包括主耦合线，第一副耦合线和第二副耦合线，辅助耦合线，匹配电容，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一偏置电压，第二偏置电压，射频输入端口，第一射频输出端口，第二射频输出端口。当第一偏置电压为低电平，第二偏置电压为高电平时，射频输入端口和第一射频输出端口之间导通，射频输入端口和第二射频输出端口之间关断。辅助耦合线在降低插入损耗的同时可以显著增强第一射频输出端口和第二射频输出端口之间的隔离度。本发明在缩小芯片面积的同时，解决了片上射频开关隔离度低的关键难题。
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