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公开(公告)号：CN102522423B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110455661.X
申请日：2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L29/78645 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种发光装置及电子设备，该发光装置在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接，设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上，形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察，元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此，可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。
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公开(公告)号：CN102244089B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110187972.2
申请日：2007-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L51/5228
Abstract: 发光装置，具备：与选择信号对应地成为导通状态或截止状态的选择晶体管，与选择晶体管重叠，且形成开口部的绝缘层；第1电极与覆盖绝缘层的第2电极，至少在开口部的内侧隔着发光层相对的发光元件；通过成为导通状态的选择晶体管，按照由数据线供给的数据信号，控制供给发光元件的电流量的驱动晶体管；以及用电阻率比第2电极低的材料在绝缘层的面上形成，与第2电极导通的辅助布线，选择晶体管，与辅助布线重叠。能够降低发光装置的各部寄生电容。
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公开(公告)号：CN103000657A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210336763.4
申请日：2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L29/78645 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种发光装置及电子设备，在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接，设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上，形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察，元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此，可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。
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公开(公告)号：CN102610632A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210090813.5
申请日：2007-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L51/5228
Abstract: 一种发光装置，具备：被供给数据电位的数据线；被供给规定电位的电源线；在第1电极与第2电极之间配置有发光层的发光元件；具有第1栅电极的第1晶体管；和导通部，所述第1晶体管经过所述导通部与所述第1电极连接，所述电源线至少具有第1部分，俯视观察时，所述电源线的所述第1部分配置在所述导通部与所述数据线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522423A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110455661.X
申请日：2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L29/78645 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种发光装置及电子设备，该发光装置在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接，设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上，形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察，元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此，可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。
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公开(公告)号：CN101145315B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710142499.X
申请日：2007-08-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 神田荣二
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0861 , G09G2320/0209 , G09G2320/045
Abstract: 本发明用于简单化供电线的配线结构。在复位期间晶体管(Tr1)变为导通状态，驱动晶体管(Tdr)二极管连接。晶体管(Tr4)变为导通状态。此时，来自驱动晶体管(Tdr)的电流流入供电线(17)。供电线(17)由于配置在对于诸如扫描线(121)的控制线交叉的方向上，来自多个像素电路的复位电流不会同时流入供电线(17)。因此能够使供电线(17)的线宽做窄。
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公开(公告)号：CN101009308B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710004053.0
申请日：2007-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L23/522 , H05B33/12 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L51/5228
Abstract: 单位元件(P)包含发光元件(E)，该发光元件(E)的发光层(23)介于第1电极(21)和第2电极(22)之间、驱动晶体管(Tdr)，该驱动晶体管(Tdr)控制供给发光元件(E)的电流量、电容元件(C1)，该电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接、选择晶体管(Tsl)，该选择晶体管(Tsl)旨在按照数据信号，设定驱动晶体管(Tdr)的栅电极的电位、初始化晶体管(Tint)，该初始化晶体管(Tint)旨在控制驱动晶体管(Tdr)的栅电极和漏电极的电连。第1电极(21)，和电容元件(C1)重叠；而选择晶体管(Tsl)和初始化晶体管(Tint)不重叠。从而降低发光装置的各部寄生的电容。
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公开(公告)号：CN101330089A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810127114.7
申请日：2008-06-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种检测装置，具有：配置在基板上的扫描线(10)、检测线(14)、第1电源线(11a、11b)、第2电源线(12)、及对应于扫描线(10)与检测线(14)的交叉点而设置的像素电路(40)。像素电路(40)具有向检测线(14)供给与栅电极的电位对应的检测信号的放大晶体管(45)；与放大晶体管(45)的栅电极连接，使放大晶体管(45)的栅极电位按照外界因素变化的检测元件；按照扫描线(10)的电位进行动作的复位晶体管(41)；保持放大晶体管(45)的栅极电位的第1电容元件。扫描线(10)形成在与放大晶体管(45)的栅电极和复位晶体管(41)的栅电极不同的层中，且配置为在俯视情况下与复位晶体管(41)的栅电极的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN101009308A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710004053.0
申请日：2007-01-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L23/522 , H05B33/12 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/326 , H01L27/3276 , H01L51/5228
Abstract: 单位元件(P)包含发光元件(E)，该发光元件(E)的发光层(23)介于第1电极(21)和第2电极(22)之间、驱动晶体管(Tdr)，该驱动晶体管(Tdr)控制供给发光元件(E)的电流量、电容元件(C1)，该电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接、选择晶体管(Tsl)，该选择晶体管(Tsl)旨在按照数据信号，设定驱动晶体管(Tdr)的栅电极的电位、初始化晶体管(Tint)，该初始化晶体管(Tint)旨在控制驱动晶体管(Tdr)的栅电极和漏电极的电连。第1电极(21)，和电容元件(C1)重叠；而选择晶体管(Tsl)和初始化晶体管(Tint)不重叠。从而降低发光装置的各部寄生的电容。
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