公开(公告)号：CN1770958A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106829.0

申请日：2005-09-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 平井利充 ,  守屋克之

IPC: H05K3/10 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/4867 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/1292 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/1241 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过在形成图案时使微细图案和其它图案的各自高度相同，从而提供平坦地形成含有上述图案的区域的贮格围堰结构体、图案形成方法及电光学装置、电子仪器。该发明是设有与由功能液形成的图案对应的凹部的隔壁结构体，其特征在于，包含：与第1图案对应设在隔壁(34)上的第1凹部(55)、和与第1图案连接而且与比第1图案宽度窄的第2图案相对应设在隔壁(34)上的第2凹部(56)，第2凹部(56)的底面的高度设置得比第1凹部(55)的底面的高度高。

公开(公告)号：CN1763616A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510108592.X

申请日：2005-10-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 守屋克之 ,  平井利充

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供在基板的表面成为配线的形成微细图案的图案形成方法、配线形成方法、半导体装置、TFT器件、电光学装置和电子仪器。其特征在于：使用液滴喷出装置(40)形成的TFT1的栅配线(3)和栅电极(5)，具有：由Mn构成的栅中间层(10)、由Ag构成的栅导电层(11)、由Ni构成的栅被覆层(12)。配线的形成工序具有：为了设置具有与TFT基板2的密接性、而且对于形成导电层(11)的液滴(32)具有亲液性的中间层，而对于栅配线区域(3a)和栅电极区域(5a)喷出中间层形成功能液的液滴(31)的工序；用于与栅中间层重叠形成栅导电层(11)而对于栅配线区域(3a)喷出液滴(32)的工序；和通过与栅中间层(10)的亲液性使液滴(32)自己流动到栅电极区域(5a)的工序。