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公开(公告)号：CN106603017A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611007307.X
申请日：2016-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种谐波抑制功率放大器，属于无线发射领域。该谐波抑制功率放大器中输入信号经第一微带低通滤波器后进入第一级功率放大器，然后经过第二微带低通滤波器后进入第二级功率放大器，经第三微带低通滤波器滤除杂波后输出。在第一级功率放大器的漏极馈电端、第一级功率放大器的控制极馈电端、第二级功率放大器的漏极馈电端、第二级功率放大器栅极馈电端加入了滤波电路和电容。本发明功率放大器各级功放间串接的微带低通滤波器初步降低了谐波成分传输到下一级电路的份额，同时两级功放的馈电端除采用常规的滤波电容组合外，还加入针对点频信号的基频、二次谐波和三次谐波的扇形微带滤波枝节，以降低基频和谐波由馈电电路泄露到接收机端的功率。
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公开(公告)号：CN104818518A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510182491.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜的制备方法，用于TE-TM光模式转换调制器的应用。本发明采用液相外延工艺，实现了Bi离子和Lu离子共掺杂的单晶石榴石(BiLuIG)在钆镓石榴石(GGG)衬底基片(取向为〈111〉)上生长，经过配料、升温-保温-三次降温方法使熔体达到薄膜的生长温度、控制薄膜生长过程、最终制备得到了具有面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜。本发明采用三步降温模式对于薄膜生长而言，能够获得良好的温度稳定性和熔体状态稳定性。本发明制备得具有面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜，制备工艺简单，稳定性高。
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公开(公告)号：CN104775160A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510204731.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶石榴石厚膜的制备方法，属于石榴石厚膜制备领域。具体包括以下步骤：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12，混料，熔料；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。本发明得到的单晶石榴石厚膜与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态；薄膜的结构均匀，厚度可达40μm以上；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。
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公开(公告)号：CN104201442A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410338740.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/195
Abstract: 本发明提供一种基于LTCC技术的微带线移相器，包括：矩形铁氧体基片、第一、二、三、四耦合弯曲线段、螺线管及焊盘，其特征在于，所述矩形铁氧体基片中心开设矩形基片窗口；所述四段耦合弯曲线分布位于基片上表面，其中第一、四耦合弯曲线段分别位于基片窗口宽边两侧的铁氧体基片上，第二、三耦合弯曲线段并列设置于基片窗口长边一侧的铁氧体基片上；所述螺线管设置于基片窗口长边另一侧铁氧体基片上，与铁氧体基片形成绕制结构，其首尾端导线连接焊盘。该微带线移相器除了具有插入损耗低和平均功率容量大的自身优点外，将磁化回路集成到铁氧体基片中，显著减小了一般铁氧体移相器体积，有利于实现移相器的小型化。
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公开(公告)号：CN104158539A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410377133.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03L7/06
Abstract: 本发明提供了一种铁氧体移相器的驱动控制系统及相移量的控制方法，属于微波器件测控领域。该驱动控制系统包括第一耦合器、第二耦合器、鉴相器、滤波器、保持器、相位解调器、MCU、驱动电路、铁氧体移相器，第一和第二耦合器将功率大小为2～10dBm的微波信号耦合分离，输出至鉴相器，鉴相器对微波信号进行鉴相，输出至滤波器，滤波器选择出所需要的相位差信号，输出至保持器，保持器对保留的信号进行放大或衰减，输出至相位解调器，相位解调器对信号进行相位解调，输出至MCU，MCU对解调出的信号进行判断分析，控制驱动电路。本发明驱动控制系统克服了温度对铁氧体移相器的影响及磁化脉冲信号非理想问题，实现了对相移量的精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103984126A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410221850.4
申请日：2014-05-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明的目的在于提供一种平面磁光隔离器，用于克服现有磁光隔离器尺寸大，无法满足小型化、平面化要求的缺陷。一种平面磁光隔离器，包括沿通光方向相互平行放置的起偏器、法拉第转子与检偏器，其特征在于，所述法拉第转子由基片及基片两侧对称设置的磁光薄膜层、第一微带线层、绝缘层与第二微带线层构成。所述第一微带线层为横向微带线，第二微带线层为纵向微带线或第一微带线层为纵向微带线，第二微带线层为横向微带线。本发明通过法拉第转子结构的优化设计大大减小磁光隔离器尺寸，实现了磁光隔离器的小型化、平面化。
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公开(公告)号：CN101017922A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610022473.7
申请日：2006-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 静磁表面波带通滤波器，主要属于微波及射频器件领域，它特别涉及静磁波理论及器件设计技术。本发明由磁性薄膜(25)、换能器和磁场发生器构成，磁性薄膜(25)覆盖于换能器上，并处于磁场发生器产生的磁场作用范围内。本发明的有益效果是大幅度降低器件的插入损耗，其调谐范围可达到1.5GHz，即器件的工作范围展宽了，且带内损耗小于6dB，达到了实用化的要求。设计的滤波器具有中心工作频率和器件带宽同时可调的优点，大大增加了器件的灵活性。
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公开(公告)号：CN118007412B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410214669.4
申请日：2024-02-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: D06M11/74 , D06M101/32
Abstract: 本发明属于太赫兹吸波材料领域，具体提供一种基于Ti3C2Tx材料的超宽带太赫兹复合织物的制备方法，用以解决太赫兹吸收材料存在的吸收带宽窄、厚度大及实用性差等问题。本发明通过简易、可靠的工艺路线制备得到具有强电磁吸收、超宽带的Ti3C2Tx复合织物，采用表面具有丰富纤维微结构的绒面布，通过浸泡法将Ti3C2Tx纳米片附着于绒面布，当Ti3C2Tx分散液浓度在1.0～3.0mg/ml时，Ti3C2Tx复合织物在0.3～1.2THz范围内的吸收效率可达到100％；并且，Ti3C2Tx复合织物在20～300GHz中低频部分的反射损耗依旧保持在‑10dB左右，在79.2GHz得到最低反射损耗为‑34.8dB；另外，Ti3C2Tx复合织物在经历了500次的弯曲折叠后，反射损耗依旧在‑30dB以下，且前后的电导率变化较小。
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公开(公告)号：CN115498420B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210977545.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
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公开(公告)号：CN115725265B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211407909.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种微波/太赫兹波兼容吸收气凝胶，通过共价键合MXene材料的合成，共价键合MXene三维多孔结构的构筑制备的三维多孔气凝胶具有超低的密度，可调孔隙结构，可压缩性，超宽频段的有效吸收等特点；通过控制不同共价键比例的MXene气凝胶实现不同频段电磁波吸收的自由设计。本发明制备的三维多孔共价键合MXene气凝胶可以实现微波、太赫兹波多频段的兼容吸收(RL＜‑10dB)。
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