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公开(公告)号:CN103811653A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201410027252.3
申请日:2014-01-21
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L37/00
Abstract: 一种多钴p型填充方钴矿热电材料,它是一种分子式为EzFe2-xCo2+xSb12-yMy的物质,其中E是La、Ce、Pr、Nd、Eu、Yb、Ba、Sr、Ca中的一种或多种,M为Ge或Sn的复合掺杂物,并且0.2≤z≤0.8,0≤x≤1,0<y≤0.5。本发明制备方法包括以下步骤:将E、Fe、Co、Sb和M等各种原料,放入石英管中密封,置入炉中熔融,然后淬火形成固态材料,将淬火后的块体取出,再次置于石英管中加热退火;将退火后的块体制成粉末;将粉末加压烧结为所需形状的块体,将烧结后的块体加热退火。本发明可使具有低热膨胀系数的EzFe2-xCo2+xSb12(0≤x≤1)基方钴矿材料具有高的热电性能(ZT接近或大于1)。
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公开(公告)号:CN102650005A
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201110051407.3
申请日:2011-02-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种高性能致密化填充方钴矿热电材料的高压合成制备方法,其特征是:1)按照拟合成的填充方钴矿热电材料的化学配比,取相应剂量的反应原料混合并冷压成型;2)第一步高压合成,压力范围1-6GPa,反应温度700-900℃,时间10-120分钟,将原料融合并初步反应生成过渡产物,冷却卸压后将所得产物研磨均匀并冷压成型;3)第二步高压合成,压力范围1-5Gp,反应温度550-650℃,时间30-600分钟,冷却卸压后将合成出的填充方钴矿材料研磨、酸洗、干燥,并冷压成型;4)采用高压烧结或电火花放电烧结技术,得到最终的块体热电材料。所得产物密度高,具有良好的机械加工性能,热电性能优越,无量纲热电优值(ZT)普遍高于1,同时本发明工艺简单,耗时短,节约能源,具有优良的产业化生产及应用前景。
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公开(公告)号:CN101100385A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200710062296.X
申请日:2007-07-14
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/645 , H01B12/00 , B01J3/06
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明涉及一组Mg1-xCaxB2(0<x<0.07)系列化合物及其制备方法。其特征是:所述化合物具有与MgB2相同的六方结构,Mg1-xCaxB2的晶格常数a和c值随Ca含量的增加而单调增加,其超导转变温度随Ca含量的增加呈单调下降。其制备方法是:采用纯Mg、B和Ca3B2N4作为原料,Ca3B2N4作为Ca源,将试样(1)按比例混合压成圆片用钽片(2)包裹,放入石墨加热管(5)中,然后将石墨加热管装入高压组装腔内,先将压力升至4-5GPa,再升温至1000-1200℃,保温保压0.5-1小时后,将温度降至室温后卸掉压力,即可得到Mg1-xCaxB2化合物。本发明以Ca3B2N4作为Ca源,与纯Mg和纯B按比例混合,在高温高压下合成得到了系列Mg1-xCaxB2(0<x<0.07)化合物。
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公开(公告)号:CN116693296A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310555292.4
申请日:2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm,维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤:A)预处理:称取一定质量的碳化硅纳米粉,酸洗处理,水稀释至接近中性后取出烘干;B)预压成型:将A)预处理后的原料进行预压,得到预压坯体;C)烧结:对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结;D)出料:对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压,取出烧结后的碳化硅块体,进行任选的后处理,获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号:CN113526475B
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202010305181.4
申请日:2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料,利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体,其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成,并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体,其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变,具有可调的新奇物理性能。
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公开(公告)号:CN115340380A
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202210581528.7
申请日:2022-05-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种新型异质结构金刚石/立方氮化硼(cBN)复合块材及其制备方法,属于超硬复合材料领域。本发明以洋葱碳纳米颗粒和六方BN微米片为原料,通过静电自组装工艺精心制备了洋葱碳纳米颗粒包裹六方BN微米片的前驱体,然后结合高温高压条件下的结构相变,使洋葱碳纳米颗粒转变成了纳米孪晶金刚石,六方BN微米片转变成了细长片层状cBN,两者构筑成异质结构金刚石/cBN复合块材。合成的异质结构金刚石/cBN复合块材的努氏硬度为50‑180GPa,断裂韧性为15‑25MPa·m1/2。这种金刚石/cBN复合块材在精密机械加工、地质勘探及化石燃料开采等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN114315361A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111574952.0
申请日:2021-12-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm,维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤:A)预处理:称取一定质量的碳化硅纳米粉,酸洗处理,水稀释至接近中性后取出烘干;B)预压成型:将A)预处理后的原料进行预压,得到预压坯体;C)烧结:对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结;D)出料:对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压,取出烧结后的碳化硅块体,进行任选的后处理,获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
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公开(公告)号:CN110342943B
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN201910651003.4
申请日:2019-07-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/5831 , C04B35/5833 , C04B35/5835 , B23D79/00
Abstract: 本发明公开了工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用,属于聚晶氮化硼合成领域,方法主要包括将cBN、hBN、oBN、pBN中的任意一种或任意几种粉末混合进行提纯、真空加热预处理后预制成柱状坯体,再在高温和工业压力下处理得到聚晶氮化硼块材;应用主要在于加工制备成切削刀具,实现对铁基材料以及硬质合金(WC)等高硬难加工材料的切削加工。本发明大幅降低合成压力,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN110372394B
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201910791250.4
申请日:2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷及其制备方法,制备方法包括以下步骤:A)装料:称量一定质量的洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体,预压成型,将预压成型后的预压坯放入烧结模具;B)烧结:将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结;C)出料:待设备内温度自然冷却至室温后取出模具,退模获得高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷块体。本发明通过烧结洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体,获得高强度高塑性的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号:CN110395988B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201910790924.9
申请日:2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法,制备方法包括以下步骤:A)装料:称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体,预压成型,将预压成型后的预压坯放入烧结模具;B)烧结:将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结;C)出料:待设备内温度冷却至室温后取出模具,退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体,获得高强度的氮化硼陶瓷。
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