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公开(公告)号:CN103050631A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210491584.8
申请日:2012-11-27
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种低电压工作的OLED器件,包括电荷传输层,所述电荷传输层包括电子传输层和空穴传输层,所述电荷传输层由包含电荷复合界面和电荷分离界面的多层结构构成,所述电荷传输层的多层结构中每层结构的厚度均小于电荷的库伦捕获半径。本发明的低电压工作的OLED器件的电荷传输层采用多层结构,多层结构之间形成电荷复合界面和电荷分离界面,在电荷复合界面和电荷分离界面之间,由于电荷库伦力的作用,电荷的传输能力非常强,从而促进电荷传输。本发明的低电压工作的OLED器件中,电荷传输层具有非常高的电荷迁移率(1х10-3到1х10-1cm/Vs),可以有效降低器件的工作电压。
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公开(公告)号:CN101977458B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201010263692.0
申请日:2010-08-26
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种照明光源,具体说是一种采用有机电致发光器件的照明光源,包括基板及设置在基板上的微发光单元,该微发光单元为层状结构的有机电致发光器件单元,微发光单元的形状为在平行于基板方向上阵列排布的图形,该微发光单元在基板上所占的表面积为基板总表面积的1-50%,本照明光源的整体透光率为50-99%,光源的发光面与非发光面的光强度比值大于5∶1。本发明的光源提高了照明光线的利用率,并且照明面均匀,增加了显示的对比度。
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公开(公告)号:CN102324463A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201110267763.9
申请日:2011-09-09
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明一种有机电致发光器件的制备方法,其包含制备电子注入层,该制备电子注入层的方法中,对于材料具有如下要求:采用至少两种金属的混合物,并且,低升华温度的金属为相对活泼的金属;上述金属混合物相比活泼金属本身,安全性、稳定性高;上述混合物在蒸镀过程中,至少有一种金属能被蒸发出来,并且,至少有一种金属没有被蒸发出来;蒸镀温度控制在使得低升华温度金属蒸发,而另外的金属没有蒸发。本发明在蒸镀合金的过程中控制蒸发温度,使合金在相对较低温下蒸镀,使碱金属或活泼金属蒸发,而另外的合金金属没有蒸发。通过蒸发出的碱金属或活泼金属做电子注入层,提高注入效果,同时没有其他金属或气体蒸发,不影响腔体的蒸镀气氛,保证了器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号:CN102208431A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN201110062513.1
申请日:2011-03-07
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法,其包括基板,于基板上形成的阳极层,于阳极层上形成的有机功能层,于有机功能层上形成的阴极层,所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。本发明在发光层后制备一层阴极修饰层,增加该层提高了阴极界面电子注入能力,使得器件性能得到显著提高;同时,制备过程中,该材料工艺可行性好,进一步提高了器件在工艺制备过程中的良率。
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公开(公告)号:CN101452997B
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200810246831.1
申请日:2008-12-31
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D213/06 , C07D401/10 , C07D401/14 , C07D417/14 , C07D409/14
Abstract: 本发明公开了一种叠层有机电致发光器件,其包含一对电极和设置在该对电极之间的有机发光介质,有机发光介质包含至少两个发光单元,发光单元间设置连接层,连接层包含至少一种选自下述通式I或II中的化合物:其中,Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃,或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃;n选自2至4的整数;同时掺杂碱金属材料或碱金属化合物。本发明将两个或两个以上的发光单元连接起来,起到了电荷生成层的作用。叠加N个发光单元的器件的电流效率是单个发光层器件电流效率的N倍。且器件功率效率也获得一定提高。此外本发明所选择的连接层材料相比常规的叠层器件,具有较低的成膜温度,制备工艺相对简单。
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公开(公告)号:CN102073860A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010610038.2
申请日:2010-12-17
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种光学指纹采集装置、光学指纹识别系统及方法,该光学指纹识别系统包括:光学指纹采集单元,用于照射手指指纹,并使照射后获得的手指指纹反射光有效透过所述光学指纹采集装置,并将该反射光传输向光接收单元;光接收单元,用于接收上述由光学指纹采集装置传输出的手指指纹的反射光,并根据该反射光生成指纹图像数据,并传输到信息处理单元;信息处理单元,用于接收所述的指纹图像数据,根据所述的指纹图像数据生成指纹识别信息。本发明简化了光学指纹识别装置的光学结构,减小了光学指纹识别装置的体积,并使光学指纹识别装置的安装更为方便。
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公开(公告)号:CN101452997A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810246831.1
申请日:2008-12-31
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D213/06 , C07D401/10 , C07D401/14 , C07D417/14 , C07D409/14
Abstract: 本发明公开了一种叠层有机电致发光器件,其包含一对电极和设置在该对电极之间的有机发光介质,有机发光介质包含至少两个发光单元,发光单元间设置连接层,连接层包含至少一种选自上述通式I或II中的化合物,其中,Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃,或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃;n选自2至4的整数;同时掺杂碱金属材料或碱金属化合物。本发明将两个或两个以上的发光单元连接起来,起到了电荷生成层的作用。叠加N个发光单元的器件的电流效率是单个发光层器件电流效率的N倍。且器件功率效率也获得一定提高。此外本发明所选择的连接层材料相比常规的叠层器件,具有较低的成膜温度,制备工艺相对简单。
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公开(公告)号:CN101368264A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200710120335.7
申请日:2007-08-16
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L51/5052 , H01L51/56 , Y10T428/12583
Abstract: 本发明涉及一种Li膜的制备方法,其特征在于所述Li膜是由真空蒸镀条件下直接分解为Li的化合物制成,所述化合物是Li3N,Li3N在蒸镀速率为0.01-0.25nm/s,蒸镀温度为300-450℃的条件下分解得到金属Li,Li的膜厚为0.3-5.0nm。本发明还涉及一种上述Li膜作为电子注入层的有机电致发光器件及其制备方法,和电子注入层为电子传输性材料掺杂由Li3N在真空蒸镀条件下分解为Li的有机电致发光器件及其制备方法。
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公开(公告)号:CN100452935C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200710098872.6
申请日:2007-04-28
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光光源,包括基板、阳极、有机功能层、阴极和封装片,其特征在于所述封装片上设置与光源的控制电路进行电连接的电极引线区域,所述电极引线区域包括阳极引线区域与阴极引线区域,其中阳极引线区域在所述封装片表面的两端对称设置,阴极引线区域在封装片表面的另外两端对称设置,并且所述阳极引线区域、阴极引线区域分别与基板上相对应的阳极、阴极实现电连接,本发明还涉及一种双面有机电致发光光源。
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公开(公告)号:CN105810846B
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201410846786.9
申请日:2014-12-31
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件,其包括发光层,所述发光层的主体材料包含热活化延迟荧光材料中的一种,所述主体材料中掺杂染料,所述染料包含至少一种磷光染料。本发明选择热活化延迟荧光材料,该类材料的三线态能级与单线态能级差(ΔEST)较小。采用该类材料作为磷光主体,则部分三线态激子能级传递到单线态激子,整体三线态激子的数量较少。从而三线态激子浓度降低复合区域变窄。有效降低了激子进入电荷传输层的几率,同时复合区域变窄有效防止了N型掺杂剂向激子复合区域的扩散。同时采用该类主体材料,器件对应较低的工作电压。
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