公开(公告)号：CN102738391A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210186988.6

申请日：2012-06-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 宋成 ,  潘峰 ,  陈光 ,  彭晶晶

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀磁氧化物薄膜，该具有稀磁特性的ZnO薄膜由下述原子百分数的元素组成：过渡金属为1.0～3.0at.﹪，Zn为47.0～49.0at.﹪，其余为O。采用阻变的方式调控ZnO基稀磁氧化物存储介质层磁性的变化，这种磁性强弱的变化可以用作信息的存储，增加了信息存储的维度。

公开(公告)号：CN101118948A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710121299.6

申请日：2007-09-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 潘峰 ,  杨玉超 ,  曾飞 ,  宋成

IPC: H01L41/18 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d33＝55－110pC/N和高的电阻率ρ＞1011Ω·cm的ZnO薄膜材料。本发明使用V掺杂对ZnO体系进行掺杂改性，由于掺杂后ZnO薄膜产生了铁电性，因而使得压电性能大幅度提高；此外c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数c变小，并且平均等效原子电荷数变大也都使得压电性比掺杂前有所提高。由于V4+或V5+离子的3d层具有很多空能态，能够俘获薄膜中的自由电子，获得结构简单、成本低廉。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出大的压电常数和高的电阻率。