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    一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法
    41.
    发明授权
    一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105924150B

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201610231281.0

    申请日：2016-04-14

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  王琪琳 ,  黄豪 ,  李军 ,  高春华

    IPC: C04B35/457

    Abstract: 本发明涉及导电氧化物，特指一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法。其配方为：SnO291～98wt.％，Sb2O3 0.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,Ba(Yb1/2Nb1/2)O30.1～4wt.％，SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉(SLB)0.1～2.8wt.％。所制备的导电陶瓷材料导电性能好，电阻率小于10mΩ·cm；体积密度较高，为5.9g/cm3以上；烧结温度较低，烧结温度不大于1250℃；该导电陶瓷适合于制备玻璃电熔窑炉用高性能电极材料和利用磁控溅射制备导电薄膜的陶瓷靶材。

    一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法
    45.
    发明公开
    一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN105924150A

    公开(公告)日：2016-09-07

    申请号：CN201610231281.0

    申请日：2016-04-14

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  王琪琳 ,  黄豪 ,  李军 ,  高春华

    IPC: C04B35/457

    Abstract: 本发明涉及导电氧化物，特指一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法。其配方为：SnO291～98wt.％，Sb2O3 0.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,Ba(Yb1/2Nb1/2)O30.1～4wt.％，SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉(SLB)0.1～2.8wt.％。所制备的导电陶瓷材料导电性能好，电阻率小于10mΩ·cm；体积密度较高，为5.9g/cm3以上；烧结温度较低，烧结温度不大于1250℃；该导电陶瓷适合于制备玻璃电熔窑炉用高性能电极材料和利用磁控溅射制备导电薄膜的陶瓷靶材。

    一种低温烧结的巨介陶瓷电容器介质及其制备方法
    47.
    发明授权
    一种低温烧结的巨介陶瓷电容器介质及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103508730B

    公开(公告)日：2015-08-26

    申请号：CN201310463153.5

    申请日：2013-10-08

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  左源 ,  高春华 ,  李军

    IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种低温烧结的巨介电容温度变化率小的陶瓷电容器介质及其制备方法；介质配方组成包括：CaCu3Ti4O1288~96wt.%，(Ba0.65Sr0.35)TiO30.01~7.0wt.%，Nd2O30.01~0.6wt.% ，SiO2-Li2O-B2O3玻璃粉0.1~4 wt.%， MnO20~0.5wt.%，（Li1/2Na1/2）NbO30.5~4wt.%;其中CaCu3Ti4O12、(Ba0.65Sr0.35)TiO3、（Li1/2Na1/2）NbO3和SiO2-Li2O-B2O3玻璃粉（SLB）分别是采用常规的化学原料以固相法合成。本发明采用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的巨介电容温度变化率小的陶瓷电容器介质，还能大大降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器。

    一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法
    48.
    发明授权
    一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103524127B

    公开(公告)日：2015-03-04

    申请号：CN201310462413.7

    申请日：2013-10-08

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  李军 ,  高春华

    IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，配方组成包括（重量百分比）：(Sr0.96Ba0.04)TiO388-96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%，Al2O30.1-2.5%，SrCO30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉（ZLB）0.1-2.0%，CuO0.01-2%。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。

    一种近零温度系数声表面波用压电陶瓷及其制备方法
    49.
    发明授权
    一种近零温度系数声表面波用压电陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103086713B

    公开(公告)日：2015-03-04

    申请号：CN201310066078.9

    申请日：2013-03-04

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  高春华 ,  蔡尔华

    IPC: H01L41/18 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明是关于一种近零温度系数声表面波用压电陶瓷的配方组成，它采用常规的固相法压电陶瓷的制备方法,利用普通化学原料,制备得到近零温度系数声表面波用压电陶瓷,其特征在于所述压电陶瓷的配方包括：[(Pb(1-3/2x+y/2)Lnx][Ti(0.98-y)Mn0.02By]O3，0.01≤x≤0.5，Ln=Ce、Sm或Gd；0.01≤y≤0.8，B=In或Yb。所制备的压电陶瓷的延迟时间温度系数(TCD)接近于零，声表面波传播速度（υs）为2500m/s左右，介电常数约为230左右；机械品质因素（Qm）为2000左右，声表面波机电耦合系数（Ks）为0.18左右，居里温度为350℃左右。

    一种高介电高压陶瓷电容器介质
    50.
    发明授权
    一种高介电高压陶瓷电容器介质 失效

    公开(公告)号：CN102568821B

    公开(公告)日：2015-02-04

    申请号：CN201210034278.1

    申请日：2012-02-16

    Applicant: 江苏大学

    Inventor： 黄新友 ,  高春华

    IPC: H01G4/08 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高介电高压陶瓷电容器介质；所述电容器介质的组份按重量百分比计算为：BaTiO355-90%，SrTiO32-25%，MgZrO32-15%，Bi3NbZrO32-10%，CeO20.1-1.0%，ZnO0.5-1.5%，MnCO30.2-1.0%；其中BaTiO3、SrTiO3、MgZrO3和Bi3NbZrO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成。所制备的电容器陶瓷耐电压高，直流电压,可达10kV/mm以上，介电常数高，可以达到10000以上，电容温度变化率小，符合Y5U特性的要求，介质损耗小于0.5%，使用过程中性能稳定性好，安全性高，对环境无污染。

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