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公开(公告)号：CN112410630B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011191275.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁相变合金材料技术领域，为解决现有磁相变材料元素掺杂调控方式对磁性的改变不可控，实效可行性较差的问题，提供了一种柔性MnNiTi基磁相变合金材料及其制备方法、调控方法和应用，所述柔性MnNiTi基磁相变合金材料的化学式为Mn50Ni50‑a‑bCobTia，其中，9≤a≤12，8≤b≤10。本发明的柔性MnNiTi基磁相变合金材料通过将Co元素掺杂到MnNiTi基Heusler合金体系中，得到的合金能够在室温条件下表现出较大的磁熵变效应；调控方法基于弯曲和旋转，有效调控柔性MnNiTi基磁相变合金材料的磁各向异性，有利于获得较大的旋转磁热效应，使得磁化强度和磁热效应都有所增强，获得应变可调控的旋卡效应。
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公开(公告)号：CN113571277A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110863861.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明是一种应用于低温磁制冷的稀土RE2BaZnO5材料及制备方法，RE为稀土Gd，Dy，Ho，Er中的一种或两种；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.22‑11.16J/kg K，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.28‑16.91J/kg K；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为13.55‑19.59J/kg K。首先将原料和柠檬酸按照比例溶解在去离子水中，将溶解后的液体放入鼓风干燥箱中干燥得到粉末状样品，最后将得到的粉末状样品煅烧，研磨再退火后得到成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域，成品化学稳定性好，制备方法工艺简单，对制备时间安排要求不苛刻，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108987016B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810771587.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁体制备领域，尤其涉及一种高效利用高丰度稀土元素的纳米晶钕铁硼磁体的制备工艺，其步骤主要包括：1)熔炼成分均匀的母合金；2)破碎母合金并通过甩带工艺制备带材，再次破碎成添加物粉末；3)将添加物粉末与MQ粉末混合制备各向同性磁体；4)热压制备纳米晶钕铁硼磁体。其通过有效利用La、Ce和Y等高丰度稀土元素，制备出类似La/Ce基化合物等高丰度稀土元素基化合物，同时使其在基体材料中进行原位扩散对钕铁硼磁体的永磁性能进行大幅度强化提高。
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公开(公告)号：CN112614935A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011459906.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁相变材料技术领域，尤其涉及一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法，通过对一级磁相变材料进行温度调控或电场调控，调节其输运性能和磁电阻效应，模拟人工突触的信息传递功能；电场调控包括离子液体电压调控和铁电衬底的电场调控。本发明通过多种方法进行调节一级磁相变薄膜材料的输运特性与磁电阻效应，可以实现电阻值随着连续的温度变化而逐渐变化的忆阻行为；此外磁相变材料在磁场中磁矩的翻转可模拟突触的记忆信息传递，有效扩展了应用前景，有望代替氧化物、二维材料制作人工突触器件。
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公开(公告)号：CN110176433B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910362021.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种柔性基复合衬底及其制备方法。所述的复合衬底包括一层柔性有机聚合物层以及与柔性有机聚合物层粘结并且成为一个整体的单晶薄片。其通过将有机聚合物溶液主剂与固化剂按一定比例混合后旋涂于玻璃基片，形成柔性薄膜；然后当柔性薄膜固化至半固化状态后；将单晶薄片转移至半固化状态的柔性薄膜表面，待固化完全后，将其从玻璃基底剥离，得到柔性基复合衬底。本发明克服了现有技术中的电子器件衬底无法兼顾器件优良的物理性能和柔韧性的缺陷，因而在具有稳定物理性能的前提下还具有较好柔韧性以及延展性的优点；同时本发明制备方法还具有简单有效，无须复杂的仪器以及昂贵试剂的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111910149A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010657263.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种周期性多方向厚度梯度薄膜的制备方法，包括以下步骤：将掩模板悬空固定于基底上方，放入溅射仪的真空腔内，将靶材固定于阴极上，基底置于正对靶面的阳极上，抽真空后，通入惰性气体，采用溅射法制备周期性多方向厚度梯度薄膜；所述掩模板与基底的距离为h；所述掩模板具有网孔，所述网孔的尺寸记为w，肋宽记为d，所述h、w和d可调节；所述h＞0。本发明可以一次性制备出多方向的厚度梯度薄膜，并且为周期性密布排列，该周期性多方向厚度梯度薄膜具有高通量的特点，有利于大规模的集成研究与应用，在柔性电子材料与器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111074130A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911343061.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法，RE为轻稀土Ce，Pr，Nd中的一者或多者之间的混合；所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构，属于P6/mmm空间群；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.5-7.2J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.8-13.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为9.4-12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子，破碎成粉末与锌粉按比例混合，利用热压的方法制备出致密的合金块，对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉，制备方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN111074129A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911236485.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用，其化学通式为稀土Ra(Mn1-xGe1+x)bZc，其中R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种的混合，Z为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Si，Sn、Cd中的一种或多种；20≤a≤25，75≤b≤80，0≤x≤0.1，0≤c≤10，a+b+c＝100，a、b、c、x表示原子百分比含量，本发明在20K-400K温度范围内具有磁性斯格明子结构，而且具有原材料成本低廉、成分可控、是一种理想的基于斯格明子的磁存储和逻辑运算的候选材料，该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN103468224B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310361934.3
申请日：2013-08-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7 J/kgK和635 J/kg。本发明RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN103468224A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310361934.3
申请日：2013-08-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7J/kgK和635J/kg。本发明RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。
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