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公开(公告)号：CN113393868B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN112466341B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN113889152A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN111681684B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910851771.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/35
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括：屏蔽件；磁极；第1磁性层，其设置在屏蔽件与磁极之间；第2磁性层，其设置在第1磁性层与磁极之间；第3磁性层，其设置在第2磁性层与磁极之间；第1非磁性层，其设置在屏蔽件与第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在第1磁性层与第2磁性层之间；第3非磁性层，其设置在第2磁性层与第3磁性层之间；以及第4非磁性层，其设置在第3磁性层与磁极之间。第1非磁性层和第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层和第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111210847B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910789284.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。磁性层设置于磁极与第1屏蔽件之间。第1导电层设置于第1屏蔽件与磁性层之间，与第1屏蔽件及磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于磁极与磁性层之间。第2导电层包括第1区域及第2区域。第1区域与磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域设置于第1区域与磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481211C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510134190.7
申请日：2005-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在衬底(1)和磁记录层(6)之间形成至少三个底层，即，包含选自Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)、包含Mg或Al和Si的第二底层(4)和包含选自Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)。
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公开(公告)号：CN1909071A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610107853.0
申请日：2006-07-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 前田知幸
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，包括基底(1)、第一衬层(21)，其形成在基底(1)上并且包括含Ni的非晶合金、结晶第二衬层(22)，其形成在第一衬层(21)上并且包括仅仅Cr或者含Cr的合金、以及磁记录层(31)，其形成在第二衬层(22)上并且包括Fe和Co中的至少一种元素和Pt和Pd中的至少一种元素，并且包含具有L10结构的磁性晶粒。保持在第二衬层(22)的上表面上的氧气量大于保持在第二衬层(22)的下表面上的氧气量，并且在磁记录层(31)中的磁性晶粒的(001)平面的法线取向为与介质平面的法线成3到25°范围内的倾斜角。
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公开(公告)号：CN1674102A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN114512149B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN118588118A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058923.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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