一种碳化硅外延材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104465721A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410737773.8

    申请日:2014-12-05

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括:N+碳化硅单晶衬底层,位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N-漂移层,其制备方法包括以下步骤:1、N+型衬底的准备;2、对N+型衬底的背面化学机械抛光;3、在背面进行P+支撑层的生长;4、N+型衬底正面的减薄;5、正面化学机械抛光;6、在正面进行N-型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言,采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高,满足高压器件的需求。同时,该外延材料缺陷少,制作方法简单,工艺重复性好,适合工业化生产。

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