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公开(公告)号：CN114423890B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202080065954.4
申请日：2020-09-24
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明是所要解决的技术问题是提供高质量的SiC半导体装置。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC半导体装置的制造方法，其包括：生长步骤，在包括SiC单晶的被处理体上形成生长层；器件形成步骤，在所述生长层中形成SiC半导体装置的至少一部分；以及分离步骤，将所述SiC半导体装置的至少一部分从所述被处理体分离。通过采用这样的结构，本发明可以在晶片翘曲得到抑制的SiC晶片上形成SiC半导体装置的至少一部分之后，分离包含该一部分的SiC晶片，因而可以在抑制由晶片翘曲对SiC工艺的影响的同时实现经济性优异的SiC半导体装置的制造。
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公开(公告)号：CN114351248B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111339283.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
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公开(公告)号：CN114430781B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202080055202.X
申请日：2020-08-05
IPC: H01L21/324 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
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公开(公告)号：CN116745471A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280008934.2
申请日：2022-01-07
IPC: C30B33/08
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种用于在生长和蚀刻同时进行的热处理中测量蚀刻量的新技术。本发明包括：第一衬底厚度测量步骤(S10)，测量热处理前的半导体衬底(10)的厚度(10D)；第二衬底厚度测量步骤(S20)，测量热处理后的半导体衬底(20)的厚度(20D)；生长层厚度测量步骤(S30)，测量通过热处理而晶体生长的生长层(21)的厚度(21D)；以及蚀刻量计算步骤(S40)，基于热处理前的半导体衬底(10)的厚度(10D)、热处理后的半导体衬底(20)的厚度(20D)和生长层(21)的厚度(21D)来计算蚀刻量(ED)。
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公开(公告)号：CN116348640A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180070316.6
申请日：2021-10-27
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种评价热处理环境的新技术。本发明是一种热处理环境的评价方法，包括：图像取得步骤(S20)，以相对于热处理后的SiC衬底(10)的{0001}面的法线(N)倾斜的入射角度(θ)入射电子射线(PE)而取得图像(I)；以及环境评价步骤(S30)，基于图像(I)的对比度信息(C)评价SiC衬底(10)的热处理环境(HE)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115443353A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180028189.3
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制在AlN层中产生裂纹的新颖技术。本发明是一种AlN衬底的制造方法，包括：降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种抑制在AlN层(20)中产生裂纹的方法，包括：在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)之前降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)。
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公开(公告)号：CN115398047A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028216.7
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向氮化铝生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，包括去除碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述碳化硅衬底上形成氮化铝生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向氮化铝生长层引入的方法，包括在碳化硅衬底上形成氮化铝生长层之前去除所述碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
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公开(公告)号：CN115398045A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028166.2
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括去除基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述基底衬底上形成生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向生长层引入的方法，包括在基底衬底上形成生长层之前去除所述基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
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公开(公告)号：CN115398044A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028129.1
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制生长层的裂纹产生的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：用于降低基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和用于在基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种用于抑制生长层(20)中裂纹的产生的方法，包括在基底衬底(10)上形成生长层(20)之前降低基底衬底(10)强度的脆加工步骤(S10)。
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公开(公告)号：CN114430781A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202080055202.X
申请日：2020-08-05
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
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