-
公开(公告)号：CN112746178B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011583218.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种电子束精炼高温合金促进脱硫的方法，包括如下步骤：S1、高温合金原材料的预处理；S2、电子束精炼提纯高温合金，得到高纯的FGH4096高温合金铸锭。本发明利用电子束精炼的手段对高温合金进行脱硫，利用电子束精炼真空度高、束斑区域温度高的特点，强化S杂质元素的脱气反应；利用精炼过程中采用水冷铜坩埚无污染的特点，解决VIM等传统工艺坩埚耐火材料侵蚀的问题；利用夹杂物与熔体的密度差以及电子束特殊的诱导凝固机制促进夹杂物的迁移与富集，解决高温合金母材的超纯净化问题。
-
公开(公告)号：CN112143922A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010802381.0
申请日：2020-08-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种Ti2Ni中间合金及其制备方法，包括如下步骤：称取Ti2Ni中间合金的各原料：海绵钛和电解镍，之后，将称取得到的块状电解镍原料切割成尺寸合适的块体；将切割后的块状电解镍原料的表面进行打磨，之后，对打磨后的电解镍和称取得到的海绵钛分别在酒精浸泡下，用超声清洗机清洗干净，备用；将清洗干净后的各原料置于电子束熔炼炉的水冷铜坩埚中；对电子束熔炼炉进行真空预抽、洗气，之后，进行真空预抽、抽高真空，达到高真空标准；对水冷铜坩埚中的原料进行电子束熔炼，之后，直接降束，得到Ti2Ni中间合金。本发明采用电子束真空熔炼制备的Ti2Ni中间合金，杂质含量更低，可有效避免原料中的氧、氮元素及其夹杂对镍基高温合金性能的影响。
-
公开(公告)号：CN111961897A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010963709.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种真空感应熔炼-浇铸-电子束精炼工艺制备高纯镍基高温合金的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、装炉；S3、真空感应熔炼；S4、电子束精炼，得到精炼后的合金。本发明采用真空感应熔炼方法制备高温合金母合金，再使用电子束精炼进一步提纯高温合金，降低偏析程度，充分利用感应熔炼和电子束精炼的优势提高高温合金铸锭的冶金质量，最终实现合金的高纯净制备。
-
公开(公告)号：CN110217833A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910420778.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料的制备方法，将锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源和镍源混合并进行球磨；将球磨得到的锰源和镍源的混合物干燥成粉末；称量一定量的草酸，将上述草酸、称量得到的锂源和干燥成粉末的锰源和镍源的混合物通过球磨混合；在上述得到的混合物中加入一定量的PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物进行预加热；将预加热得到的混合物先在300℃下保温1～5h，后升温到800℃下保温1～5h并退火到室温下，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料，使得性价比有较大提升。
-
公开(公告)号：CN109082643A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811025321.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种砷、磷元素共掺制备n型多晶硅靶材的铸造工艺，具有如下步骤：用Si3N4喷涂石英坩埚内壁，所述石英坩埚内壁底部铺满一层细单晶锅底料，所述石英坩埚内壁侧壁用p型低阻小方锭护边，之后向所述石英坩埚内依次加入掺磷、砷元素的n型小方锭，MR循环料和一层细单晶锅底料，并用p型低阻小方锭封口，铺平压实；之后经过预热、熔炼、长晶、退火和冷却脱模得到n型多晶硅靶材。本发明可将多晶硅料的纯度要求从5N降到3N，节约了原料成本；通过共掺砷和磷元素，实现了n型多晶硅靶材中元素含量和电阻率的精确调控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106591946A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611184522.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法，所述设备包括炉体，位于所述炉体内的硅料容器，所述硅料容器的侧壁外侧设有与所述炉体固定连接的环形发热体，所述环形发热体外侧设有与所述炉体固定连接的环形加热体，所述硅料容器的下端设有旋转托盘，所述旋转托盘通过连接栓与所述硅料容器的下端固定连接，所述硅料容器的轴线处设有可沿所述硅料容器的轴线上下移动的水冷柱，所述水冷柱内设有循环流道。本发明采用的是逆向凝固方式，在重力作用条件下，保证杂质扩散，同时用离心力保证固液界面扩散层厚度降低，增加其分凝效果。
-
公开(公告)号：CN106367625A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610707859.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材用硅锆合金的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：筛选后的高纯硅粉和水封锆粉经清洗处理和烘干处理，提高纯洁度；按照预设比例将高纯硅粉和水封锆粉置于容器中，制成均匀分布的混合粉；将混合均匀的混合粉过筛，放入坩埚中，再将坩埚放入石墨模具中，装入热压炉腔内部；采用惰性气体加压，在真空环境下热压烧结，轴向施压，升温到1000-1500℃，保温预设时间；保温程序结束后，降温处理，在400℃以下关闭抽真空设备，炉体自然冷却降温，最终获得热压烧结好的硅锆合金铸锭。本发明硅锆合金靶材的制备方法工艺流程简单，能耗少，成本低，且制备的靶材组织成分分布均匀，具有优异的溅射使用性能。
-
公开(公告)号：CN104528734A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410834688.3
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置和方法，属于冶金领域，装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷熔炼坩埚内壁底部设有10～50mm石墨衬底，所述石墨衬底上表面有SiC膜层；在熔炼坩埚与硅熔体之间增加石墨衬底，由于石墨材质的热导率远远小于铜材质的热导率，所以在熔炼过程中会减少热量被水冷熔炼坩埚大量带走而带来的热量损失，从而达到节能的目的；加入石墨衬底后，若保持电子枪功率不变，可使熔炼时间缩短1/5～1/2；加入石墨衬底后，若保持熔炼时间不变，可使熔炼功率降低1/4～1/2；形成的SiC膜层可多次使用。
-
公开(公告)号：CN104195638A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410441332.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种冶金法制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②杂质去除：利用定向凝固方法去除硅原料中的金属杂质；③磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤②所得物料中的磷；④硼母合金制备：利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。
-
公开(公告)号：CN103553052A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530845.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅逆向凝固装置及方法，属于多晶硅生产领域。一种多晶硅逆向凝固装置，包括炉体、真空系统、充气系统、定向凝固熔炼系统、顶部升降机构、底部升降机构，所述顶部升降机构包括顶部升降旋转装置，顶部升降旋转装置的下端固定顶部连接杆，顶部连接杆的另一端固定籽晶盘；所述顶部升降旋转装置位于炉体的外部，所述顶部连接杆穿过炉体的上表面；所述籽晶盘位于定向凝固熔炼系统中硅液承装装置的上方。本设备和方法，保证硅由顶部向下凝固，当凝固后期富集杂质硅液不再进行定向凝固，抑制反扩散同时提高生产效率和产品的出成率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.046 seconds)
