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公开(公告)号：CN103314403A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004999.6
申请日：2012-01-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L33/08 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/1345 , G02F2001/136231 , G02F2201/501
Abstract: 在有源矩阵基板的显示区域设置有：包括感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜；与层间绝缘膜不同的绝缘膜；和形成在层间绝缘膜的表面的多个像素电极。在有源矩阵基板的非显示区域形成有从显示区域引出的引出配线。在密封部件的形成区域，上述层间绝缘膜被去除，并且以覆盖引出配线的一部分的方式设置有绝缘膜，在绝缘膜的表面直接形成有密封部件。
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公开(公告)号：CN103229095A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201280003813.5
申请日：2012-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L33/0095 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136259 , G02F2001/136268 , G02F2201/508 , H01L27/1255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括：多个开关元件，其在透明基板（10）上按各子像素分别设置，各自具有以相互分离的方式配置的源极电极和漏极电极（14b）；以覆盖各开关元件的方式设置、依次叠层无机绝缘膜（15）和有机绝缘膜（16）而得到的层间绝缘膜（17）；设置在层间绝缘膜（17）上的电容电极（18a）；以覆盖电容电极（18a）的方式设置的电容绝缘膜（19）；和多个像素电极（20a），其设置在电容绝缘膜（19）上，与电容电极（18a）相对地按各子像素构成辅助电容（6），以与电容电极（18a）绝缘的状态分别与各开关元件的漏极电极（14b）连接，并且，包括漏极电极（14b）和电容电极（18a）隔着从有机绝缘膜（16）露出的无机绝缘膜（15）相互重叠的连接区域（R）。
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公开(公告)号：CN103155153A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048169.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H05B33/02
Abstract: 本发明的半导体装置（100）具备包括栅极电极（62a）、第一绝缘层（64）、氧化物半导体层（66a）、保护层（68）、源极电极（72as）和第二绝缘层（74）的薄膜晶体管（10），第一连接部（30）包括下部金属层（72c）、上部金属层（72c）和绝缘层（74），第二连接部（40）包括下部金属层（72d）和上部导电层（17d），在第二连接部（40）内形成有：下部金属层（72d）与上部导电层（17d）接触的区域；和在下部金属层（72d）与上部导电层（17d）之间层叠有包括与第一绝缘层相同的材料的绝缘层（74）和包括与氧化物半导体层（66a）相同的材料的半导体层（66d）的区域。由此，能够提供一种高的制造效率且更高性能的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101523282B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780037619.8
申请日：2007-10-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/13629 , G02F2201/123
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶显示装置和电子设备。本发明的有源矩阵基板(30)具有在绝缘基板(10)上设置的多个TFT元件(2)、和与所述各TFT元件(2)电连接的像素电极(7)。所述像素电极(7)包括：第一透明电极层(7a)、在所述第一透明电极层(7a)上叠层且面积小于该第一透明电极层(7a)的反射电极层(7b)、和以至少覆盖所述反射电极层(7b)的方式叠层的第二透明电极层(7c)。由此，能够实现抑制闪烁的发生、显示品质高的半透过型液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN101868757A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117216.9
申请日：2008-09-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 中田幸伸
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13458 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明的制造方法是利用光刻法来制造有源矩阵基板的方法。该方法包括如下工序：在非显示区域(周边区域)的形成端子部的区域中，在使源极金属膜(第2金属膜)成膜之前，除去层叠在栅极金属膜(第1金属膜)上的栅极绝缘膜GI(第1层间绝缘层)的至少一部分(工序(2))；以及在源极配线(信号配线)上使钝化膜Pas(第2层间绝缘层)成膜之后进行蚀刻，使得在显示区域中，除了TFT的漏极电极(16a)的一部分以外，钝化膜Pas和半导体层(i层)成为相同的图案(工序(4))。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563647A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780046615.6
申请日：2007-11-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133555 , G02F2001/133397
Abstract: 本发明提供液晶显示装置及其制造方法。本发明提供使为了将在液晶内部产生的偏置电场消除而施加的直流偏置电压的最佳值一致从而能够抑制闪烁、而不增加制造工序数的半透过型的液晶显示装置和上述液晶显示装置的优选的制造方法。本发明的液晶显示装置是在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且上述背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，上述反射电极的液晶层一侧的表面含有钼。
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公开(公告)号：CN100474086C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610003711.X
申请日：1996-08-12
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。
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公开(公告)号：CN1904707A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610100355.3
申请日：1996-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136
Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。
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公开(公告)号：CN104823230B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380060544.0
申请日：2013-11-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。
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公开(公告)号：CN103946742B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280056837.7
申请日：2012-11-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2202/10 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100)具备：薄膜晶体管(101)；包含第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；形成在层间绝缘层上，具有第一开口部(15p)的第一透明导电层(15)；覆盖第一透明导电层的第一开口部侧的侧面的电介质层(17)；和隔着电介质层与第一透明导电层的至少一部分重叠的第二透明导电层(19a)，电介质层具有第二开口部(17p)，第一绝缘层具有第三开口部(12p)，层间绝缘层和电介质层具有第一接触孔(CH1)，第一接触孔的侧壁包括第二开口部(17p)的侧面和第三开口部(12p)的侧面，第三开口部的侧面的至少一部分与第二开口部的侧面对齐，第二透明导电层在第一接触孔内与漏极电极接触地形成接触部(105)，当从基板的法线方向看时，接触部的至少一部分与栅极配线层重叠。
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