公开(公告)号：CN101860335B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201010191621.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 尹睿 ,  唐长文

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明属于集成电路设计中的数据转换器技术领域，具体为一种双输入运算放大器共享的余量增益放大电路。该放大电路包含一个双输入运算放大器，时钟产生电路，子数模转换器，子模数转换器，电容，开关等。本发明采用两组输入差分对的运算放大器，以双向交叠时钟控制的嵌入在运算放大器内部的开关控制两组差分输入对管，在时钟两个相位交替使用，同时输入差分对交替复位至共模输入电压，完全消除了传统电路中存在的记忆效应和级间馈通的影响，在保持相同面积，功耗，电路复杂度的情况下，可以提高信号建立精度，从而提高模数转换的精度。

公开(公告)号：CN214477473U

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202120719895.X

申请日：2021-04-09

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种GAA晶体管结构、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积大于NMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积，提高了GAA晶体管结构的性能。

公开(公告)号：CN213958961U

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202120230732.5

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本实用新型提供了一种GAA晶体管及电子设备，包括：鳍片、设于源极区域的源极与设于漏极区域的漏极，所述鳍片包括鳍片中基底，以及设于所述鳍片中基底上的外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，与所述鳍片中基底相接触的牺牲层为底层牺牲层；所述源极区域与所述漏极区域分布于所述鳍片的第一侧与第二侧，且位于所述鳍片中基底上侧，所述源极区域与所述漏极区域的底部不低于所述鳍片中基底与所述底层牺牲层的连接处，所述源极区域与所述漏极区域的底部低于所述底层牺牲层的顶部，鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧。