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公开(公告)号:CN103265183A
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201310177072.9
申请日:2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用单个水射流作为电极的大气等离子体的加工方法,它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的局部修形加工效率和表面质量问题。它的步骤一:将成形电极的上端面连接在工作架上;步骤二:在待加工零件的下方设置的喷头喷出的水接地;步骤三:使成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面;步骤四:预热射频电源和混合等离子体气源;步骤五:使喷头喷出的水喷射到待加工光学零件的下端面上,启动射频电源;步骤六:使喷头进行左右移动和前后移动;步骤七:取出待加工光学零件。本发明能对光学零件表面进行小去除量的局部修形,水射流可以保证在每个位置的放电特性相同,避免放电不均匀的问题。
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公开(公告)号:CN103237405A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310177048.5
申请日:2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/30
Abstract: 一体化等离子体发生装置,它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中,匹配器与等离子体炬距离过大,导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时,电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时,第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接;当匹配器与成形电极模块组合连接时,成形电极模块的第三连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接。本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体,无需负载线连接,缩短了匹配器和负载之间的距离,可有效降低外界对装置的电磁干扰,同时使阻抗匹配效果更加稳定。
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公开(公告)号:CN101659568B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200910072963.1
申请日:2009-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: WC、SiC光学模压模具的大气等离子体化学加工方法,属于光学模压模具的大气等离子体化学加工方法。它解决了SiC、WC材料的光学模压模具加工成型后,采用磨削及抛光工艺进行加工存在的加工效率低、表面质量差、会产生亚表层损伤使模具的使用寿命降低的问题。本方法通过向等离子体发生器的阴极和阳极之间通入等离子体气体、反应气体和氧气的混合物,并在阴极和阳极上施加射频功率信号,使两个电极之间产生等离子体放电后,将WC或SiC光学模压模具的欲加工表面置于等离子体射流区域发生化学反应,实现对加工成型后的SiC、WC材料的光学模压模具的光学表面加工。本发明用作对WC、SiC光学模压模具表面的光学加工。
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公开(公告)号:CN101659568A
公开(公告)日:2010-03-03
申请号:CN200910072963.1
申请日:2009-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: WC、SiC光学模压模具的大气等离子体化学加工方法,属于光学模压模具的大气等离子体化学加工方法。它解决了SiC、WC材料的光学模压模具加工成型后,采用磨削及抛光工艺进行加工存在的加工效率低、表面质量差、会产生亚表层损伤使模具的使用寿命降低的问题。本方法通过向等离子体发生器的阴极和阳极之间通入等离子体气体、反应气体和氧气的混合物,并在阴极和阳极上施加射频功率信号,使两个电极之间产生等离子体放电后,将WC或SiC光学模压模具的欲加工表面置于等离子体射流区域发生化学反应,实现对加工成型后的SiC、WC材料的光学模压模具的光学表面加工。本发明用作对WC、SiC光学模压模具表面的光学加工。
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公开(公告)号:CN101596641A
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200910072404.0
申请日:2009-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 大气低温等离子体化学修整金刚石刀具表面缺陷的方法,属于大气低温等离子体化学修整金刚石刀具表面缺陷的方法。本发明的目的是为了解决目前金刚石刀具采用机械式研磨进行加工之后,刀具研磨表面及刃口存在的微观缺陷无法去除,从而影响到金刚石刀具的切削性能和使用寿命的问题。本方法为向等离子体发生器的阴极和阳极之间通入等离子体气体和反应气体的混合物,并在阴极和阳极上施加射频功率信号,然后在两个电极之间产生等离子体放电,将研磨完成的金刚石刀具置于等离子体放电区域之内加工10-30分钟后取出,即可实现对刀具的修整,电极的内部空腔通入循环冷却水。本发明用作对金刚石刀具表面微观缺陷的去除。
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