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公开(公告)号：CN103594579A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310543241.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN：Mg构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成，且不掺杂，可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流，从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中，不引入新的制造工序，不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。
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公开(公告)号：CN119923033A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411897170.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
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公开(公告)号：CN119630132A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411495607.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN113921600B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111097152.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113257973B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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公开(公告)号：CN112490303A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011168549.3
申请日：2020-10-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构，所述LED芯片包括基板、粘结保护层、p电极，在p电极的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：p型层、发光层、n型层、n型欧姆接触层；在图形化外延层上面设有钝化层和n电极；n电极与图形化外延层接触的区域为n型欧姆接触层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明应用于指示、显示等领域，具有光的品质更佳、光的显指更高等优点，并且更加节能和有利于批量生产。
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公开(公告)号：CN109920893A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910126473.9
申请日：2019-02-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流扩展特性的反极性AlGaInP LED芯片及制备方法，该反极性AlGaInP LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P面电流扩展层、发光层、粗化层、N面欧姆接触层、N面扩展电极和焊盘。本发明的反极性AlGaInP LED芯片的制备方法采用等于或小于N面扩展电极线宽的掩膜版对N面欧姆接触层进行图案化蚀刻，完全去除N面扩展电极两侧具有吸光作用的N面欧姆接触层，先完成粗化腐蚀、腐蚀切割道等化学蚀刻工艺，最后制备N面扩展电极和焊盘，提高产品的光提取效率和良率；并在P面电流扩展层上制备P面反射电极，可以避免遮光的N面扩展电极和焊盘正下方区域不必要的出光，更大程度地提高反极性AlGaInP LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN107134513A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710286221.3
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是：所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN104037290B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410219231.1
申请日：2014-05-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层、AlyGa1-yN(0≤y≤1)掩模层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层，其特征在于：在所述AlyGa1-yN掩模层中、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层之间，设有呈间隔排布、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1-xN缓冲层中设有一个空腔；微孔的直径小于空腔的直径。本发明是通过一次性在线生长的外延工艺，在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：(1)增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1-x-yN薄膜所受到的来自衬底的应力；(2)对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
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