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公开(公告)号：CN116111339B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310383424.X
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q15/00 , H01Q5/10 , H01Q5/28 , H01Q5/378 , H01Q1/32
Abstract: 本发明公开了一种多频段的标志天线。馈电单元包括左右对称的馈电地板以及中部的馈电输出线；馈电地板和馈电输出线之间留有间隙；馈电输出线上端向上自由延伸；辐射单元包括能量环、馈电输入线和四辐射片；四辐射片位于能量环之内，每一辐射片是头大尾小的四边形，辐射片尾部与能量环内侧固定连接，头部向能量环中心延伸；且各辐射片的头部之间均留有一定距离，上下布置的辐射片之间形成横向辐射腔，左右布置的辐射片之间形成纵向辐射腔。优点在于，可通过外露的方式，直接设计成标志形状，可使天线同时具有外观辨识及收发无线信号的功能。而且能涵盖三到五个常用的频段。
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公开(公告)号：CN116155212A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310139411.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法，涉及放大器调节方法，针对现有技术中db线性增益误差较大的问题提出本方案。包括以下步骤：S1.将负载级、跨导级和偏置电路依次设置在VDD和地之间；S2.初始化配置MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M1的最小控制电压；S3.调节偏置电压令MOS管M4和MOS管M5工作于饱和区，从而确定MOS管M5的初始尺寸；S4.扫描控制电压观察增益调节曲线并调整所述MOS管M5的尺寸实现当前偏置情况下的最优补偿；S5.迭代调整MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M5的尺寸及偏置电压，使最大补偿范围达到预设范围。优点在于，实现高精度连续db线性增益调节，不需要指数生成器和复杂的电路结构，也不消耗额外功耗。
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公开(公告)号：CN116054745A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211441147.5
申请日：2022-11-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03B19/10 , H03K19/0175 , H03L7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于毫米波超宽带低功耗自混频架构的三倍频器，涉及5G通信技术，针对现有技术中功率增益低、寄生电容高等问题提出本方案。包括集成在芯片内并且依次电性连接的输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路；输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路在信号传输方向上直线分布，所述三倍频电路包括用于连接二倍频单元和自混频单元的第三变压器TR3，所述第三变压器TR3通过金属线连接，垂直于信号传输方向摆放，使电路布局更加紧凑。优点在于，第三变压器TR3其初级线圈和次级线圈可以分别吸收前级二倍频单元中NMOS管漏极和自混频单元中NMOS管源级的寄生电容，可以极大改善三倍频器在毫米波波段的功率增益和工作带宽。
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公开(公告)号：CN115865030A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211629814.2
申请日：2022-12-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03H7/18
Abstract: 本发明公开了一种毫米波宽带小型化的移相器，涉及半导体集成电路，针对现有技术中无源移相器移相角度单一的问题提出本方案。通过在Lange耦合器的输出端和耦合端分别接入电压调整阻抗的负载单元以实现整体移相器的输出相位多变。优点在于，采用无源结构，不需要消耗电能。实现单个移相器即可获得多角度的移相效果，无需串联多个移相单元，进而节省芯片面积，也降低了芯片设计和迭代的难度。实现宽带的效果，在仿真中达到20GHz到40GHz的宽带效果，既可以工作在30GHz至40GHz的毫米波频段，也可以工作在20GHz至30GHz的非毫米波频段。利用Lange耦合器作为主体模块，节省了输入和输出级匹配电路，大大节省芯片的面积。
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公开(公告)号：CN115332753A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211020655.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种应用于毫米波通信的功分器，涉及5G通信器件，针对现有技术中耦合效果不佳的问题提出本方案。包括级联设置的三个功分单元；每一功分单元包括依次连通的功率输入端、矩形耦合腔、耦合过渡段，Y型中部还向功率输入端方向延伸出一耦合切割栏，耦合切割栏将耦合过渡段后段分割成左右平行的两1/2功分段；每一1/2功分段在远离功率输入端的端部向外斜向延伸出一传输段，传输段远离功率输入端的一端再设置功率输出端；功率输出端的延伸方向与1/2功分段的延伸方向平行。优点在于，加载矩形耦合腔可以减小耦合效应，进一步拓宽带宽。可以扩大TE模电磁波的激励范围，减小反射，使电磁波传播模式的转换更为顺利，从单模传输变为多模传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113992221B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111625684.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高数据率的毫米波超再生接收机，涉及新一代信息技术的毫米波收发技术。针对现有技术中存在动态范围小，超再生振荡器SILO残留、前级电路码间串扰等问题提出本方案。采用低噪声放大器直连射频输入信号；超再生振荡器采用交叉耦合振荡结构，且在谐振腔处并联对称MOS管开关，对称MOS管开关由淬灭信号控制实现。优点在于，能够工作在高码元速率的情况；具有较大的动态范围；能够实现高阶数字调制；防止接收机的频谱泄露；相对简单且具有较强的灵活性。
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公开(公告)号：CN215288454U
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202120917662.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电加热剩余污泥热碱解设备。反应釜上设置有观察口、碱加药口、搅拌机、集气支管、进泥口和出泥口；所述进泥口进入的是未经处理的剩余污泥；所述碱加药口投加的碱为NaOH；所述搅拌机与搅拌杆连接，搅拌杆穿过釜盖伸向釜内的底部，搅拌杆的中间和底部分别安装搅拌桨，在搅拌下，反应釜中的污泥受热均匀，且能够和碱液充分混合反应，有利于污泥进行热碱解破胞；所述集气支管是为了将反应过程中产生的NH3汇集到集气主管中，并送至喷淋净化塔，用水喷淋生成NH3·H2O，进入下一个工序。该设备具有导热油夹套、保温层，可以对反应体系保温；同时还具有数显温度计和pH探头，可以实时监测反应釜内的温度和pH变化。
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公开(公告)号：CN215276612U
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202120917805.8
申请日：2021-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型提供了一种同步去除剩余污泥热碱解臭味与回收氨氮的酸喷淋设备。包括酸喷淋塔，酸喷淋塔前端连接有集气管，后端依次连接引风机和排气管，酸喷淋塔内部顶端设置除雾器；酸喷淋塔旁边设置循环水泵；所述循环水泵入口端与酸喷淋塔底部相连接，出口端与酸喷淋塔的喷头通过酸喷淋管相连接，酸喷淋塔底部设置水箱，用于控制酸喷淋塔中的水位，补加酸，存留含氨氮循环水。本实用新型既解决了剩余污泥在热碱解过程中逸出NH3的污染问题，又最大限度回收了氨氮用于磷酸铵镁(MAP)反应。
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公开(公告)号：CN221081166U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202420907796.8
申请日：2024-04-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种升压型DC‑DC超低电压冷启动的芯片电路系统，涉及冷启动电路，包括环振电路、时钟驱动电路、线性电荷泵、低功耗脉冲产生器和电压检测电路；所述低功耗脉冲产生器包括分压级、电容充电时延结构、电压翻转结构、放大电压翻转增益单元、时钟驱动链、场效应管NM37和场效应管NM52；放大电压翻转增益单元的输出端与时钟驱动链的输入端相连，时钟驱动链的输出端输出启动信号HCLK；放大电压翻转增益单元和时钟驱动链的连接端同时与场效应管NM37的栅极以及场效应管NM52的漏极相连，场效应管NM52的栅极输入控制信号CTR。本实用新型提高了低功耗脉冲产生器的可靠性，保证了冷启动电路的正常可靠的工作。
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公开(公告)号：CN222321499U
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202420926243.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于升压型DC‑DC超低电压冷启动芯片结构的环振电路，涉及冷启动电路，包括N个堆叠式反相器，堆叠式反相器由PMOS管PM1、NMOS管NM2、PMOS管PM3、NMOS管NM4、PMOS管PM5、NMOS管NM6组成；PMOS管PM1、NMOS管NM2、PMOS管PM3、NMOS管NM4、PMOS管PM5、NMOS管NM6的栅极及其衬底均连接在一起作为堆叠式反相器的输入端，PMOS管PM1的源极和PMOS管PM5的源极相连作为堆叠式反相器的电源输入端，PMOS管PM1的漏极同时与NMOS管的NM2的漏极、PMOS管PM3的源极相连，PMOS管PM3的漏极与NMOS管NM4的漏极相连作为堆叠式反相器的输出端，NMOS管NM4的源极同时与PMOS管PM5的漏极、NMOS管NM6的漏极相连。本实用新型降低了阈值电压，满足宽的能量采集源电压输出范围，实现了超低压振荡并进行冷启动。
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