-
公开(公告)号：CN112748901A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
-
公开(公告)号：CN108475522B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201680058624.6
申请日：2016-01-18
IPC: G11C11/21
Abstract: 本发明实施例提供一种内存设备，该内存设备包括用于进行逻辑运算的RRAM交叉阵列，且该RRAM交叉阵列中的电阻的阻值均设置为Ron或Roff，以表示布尔值1或0。在以上设置的基础上，通过RRAM交叉阵列实现布尔运算，能够提高RRAM交叉阵列逻辑运算的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105191259B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201480000179.9
申请日：2014-03-03
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L29/08
Abstract: 本发明实施例公开了提供数据服务的方法和网络设备，包括：基于第一时间粒度统计该数据中心节点保存的每个数据的点击率；根据该每个数据的点击率，确定该每个数据的热度等级；基于节能优化策略，确定每个热度等级对应的镜像节点；基于节能优化策略，将该数据中心节点保存的数据复制到与该保存的数据的热度等级对应的镜像节点。根据本发明实施例，用户设备可以从多个数据中心节点中的任一数据中心节点来获取数据。此外，由于这些镜像节点是根据最小平均跳数和最小平均传输延时确定的，因此可以提高用户设备获取这些镜像节点上的数据的效率并降低获取数据时的能耗。
-
公开(公告)号：CN108475522A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680058624.6
申请日：2016-01-18
IPC: G11C11/21
Abstract: 本发明实施例提供一种内存设备，该内存设备包括用于进行逻辑运算的RRAM交叉阵列，且该RRAM交叉阵列中的电阻的阻值均设置为Ron或Roff，以表示布尔值1或0。在以上设置的基础上，通过RRAM交叉阵列实现布尔运算，能够提高RRAM交叉阵列逻辑运算的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105633276B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410594041.8
申请日：2014-10-29
Abstract: 本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105095122B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410154996.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F13/16
Abstract: 本发明的实施例提供一种控制内存芯片的方法、芯片控制器和内存控制器。该芯片控制器包括：寄存模块，用于寄存单独片选信息；控制模块，用于：接收内存控制器输出的第一片选信号；根据第一片选信号和寄存模块寄存的单独片选信息生成多个单独片选信号，其中多个单独片选信号与多个内存芯片一一对应，第一片选信号用于指示选择多个内存芯片，单独片选信息用于指示单独选择多个内存芯片中的至少一个内存芯片；分别向多个内存芯片输出多个单独片选信号，以便多个内存芯片中的至少一个内存芯片根据内存控制器输出的控制命令信号执行与控制命令信号对应的操作。本发明的实施例能够有效地减少对DRAM系统的传输带宽的占用。
-
公开(公告)号：CN105264608B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201480000446.2
申请日：2014-04-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C14/0045 , G06F12/0802 , G06F12/0868 , G06F12/128 , G06F2212/1016 , G06F2212/205 , G11C7/1048 , G11C14/009
Abstract: 本发明公开了一种存储数据的方法、内存控制器和中央处理器。该方法包括：接收CPU发送的预设置命令，该预设置命令指示将缓存线在内存中对应的位置写1；根据该预设置命令，将该缓存线在该内存中对应的位置写1；接收该CPU发送的将该缓存线中的数据写入该内存的写命令；根据该写命令，将该缓存线中的0数据写入该0数据在该内存中对应的位置。本发明实施例的存储数据的方法、内存控制器和中央处理器，能够降低访问时延。
-
-
公开(公告)号：CN104575581B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201310496697.1
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G11C8/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明实施例提供一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度和降低功耗。其中，一种存储单元包括：U型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；U型磁性轨道包括第一端口，第二端口，第一存储区域和第二存储区域；第一驱动电路用于驱动第一存储区域，第二驱动电路用于驱动第二存储区域；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域内产生电流脉冲，并驱动第一存储区域内的磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域内产生电流脉冲，并驱动第二存储区域内的磁畴移动。
-
公开(公告)号：CN107113323A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580001239.3
申请日：2015-06-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L29/08
CPC classification number: H04L29/08
Abstract: 一种数据存储方法、装置和系统。用于将源节点的待存储的数据分布存储到分布式存储系统中，该方法包括：从所述分布式存储系统确定N个存储节点(S202)；获取所述N个存储节点中每个存储节点的带宽信息(S204)，所述每个存储节点的带宽信息为所述每个存储节点到所述源节点的数据传输路径的传输带宽；根据所述待存储的数据以及所述每个存储节点的带宽信息，为所述每个存储节点分配对应的待存储的数据(S206)；将所述每个存储节点分配到的待存储的数据发送给所述每个存储节点(208)。根据传输带宽为每一个存储节点分配数据块大小，为传输带宽大的存储节点分配的较大的数据块，从而提高了数据传输效率，缩短了数据的访问时间，实现了资源的合理利用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
181
records
(took 0.087 seconds)
