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公开(公告)号:CN109884402A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201811567263.5
申请日:2018-12-20
Applicant: 华中科技大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种三维非对称结构高温超导磁体交流损耗的获取方法,该方法根据超导磁体结构建立三维有限元分析模型,计算并提取超导域的磁场强度,将其作为狄利克雷边界条件加载到局部等效的二维模型中,实现超导绕组交流损耗的有效计算。本发明解决了在计算三维非对称高温超导磁体的交流损耗时,因模型自由度过高、无法实现正常求解的技术问题;同时,本发明提出的方法能够充分考虑超导体的非线性电阻特性和铁磁材料的非线性BH磁化特性,对实际工程超导磁体在设计时评估交流损耗具有重要意义。
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公开(公告)号:CN108845187A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810606759.2
申请日:2018-06-13
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种含铁心高温超导磁体交流损耗的获取方法,包括:(1)确定含铁心超导磁体结构和各组成部分材料参数;(2)根据超导磁体模型的结构和各组成部分材料参数建立交流损耗计算模型;(3)构建电流密度约束条件和相对磁导率约束条件;(4)根据电流密度约束条件和相对磁导率约束条件对交流损耗计算模型进行求解获得超导绕组在t时刻的电流密度J和电场强度E;(5)根据所得电流密度和电场强度获得超导绕组的交流损耗数值。本发明实现了交流损耗的有效计算;具有计算速度快、收敛性好以及对较大规模磁体适应性强的特点,且计算结果与传统方法相比误差小,建模过程不复杂,对实际工程超导磁体在设计时评估交流损耗具有重要意义。
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公开(公告)号:CN106950431A
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201710199706.9
申请日:2017-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种频域下电抗器电感的获取方法,包括在根据电抗器结构建立电抗器模型,对电抗器模型进行网格划分处理获得网格化的电抗器模型;根据网格化的电抗器模型的材料参数、空气域参数以及正弦激励获得绕组初始电流和网格化的电抗器模型的磁密;根据网格化的电抗器模型的磁密以及铁芯的磁化特性数据获得电抗器模型更新后的相对磁导率,根据电抗器模型更新后的相对磁导率、空气域参数以及正弦激励获得更新后的绕组电流和网格化的电抗器模型的磁密,通过判断绕组电流是否收敛判断频域计算获得的磁能分布与瞬态下磁能分布等效,并以收敛后的电流值和激励电压获得电抗器等效值。该方法计算次数少,且能够判断电抗器参数设计的合理性。
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公开(公告)号:CN118376846B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410819291.0
申请日:2024-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于超导技术领域,公开了一种高温超导磁体交流损耗评估方法、装置、电子设备及介质,包括计算高温超导磁体在不同充放电电流变化幅值下的交流损耗,并拟合后得到对应的交流损耗曲线;基于临界态模型,沿高温超导磁体超导带材宽度方向将超导带材离散为N个微元,从初始时刻开始,针对每个充电或放电过程,对每个微元按编号从小到大遍历,记录每次电流密度发生变化后各微元的电流密度,以得到此时的带材电流,当带材电流达到目标带材电流停止对微元遍历,由此得到待评估时间段电流密度发生变化的微元编号,基于拟合的曲线计算变化微元的充放电损耗,以得到待评估的损耗。本发明能实现在任意电流波形下损耗的实时评估,并提升评估的准确度。
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公开(公告)号:CN118465649A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410683999.8
申请日:2024-05-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本申请涉及超导磁体检测技术领域,为解决目前的超导磁体失超检测方法反应慢、容易受到噪声干扰的问题,公开了一种超导磁体失超检测方法。超导磁体的中心位置绕制有线圈,线圈的第一端和超导磁体连接,第二端悬空,该方法包括建立等效超导磁体,等效超导磁体包括串联连接的等效电感和电阻;获取在测试时间段内通入测试电流情况下等效超导磁体的实时电压;基于测试时间段内的多组测试电流和实时电压,通过最小二乘法计算等效超导磁体的实时电阻值;在实时电阻值超过预设阈值的情况下,确定超导磁体失超。采用本方法能够在毫秒级时间尺度下检测出超导磁体的失超情况,提高检测速度,还具有抗干扰能力强的优点。
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公开(公告)号:CN114999595B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202210589342.6
申请日:2022-05-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了基于有限元的超导线圈整体过流失超仿真建模方法和系统,属于超导电工学建模领域。包括:构建超导线圈的几何模型,为各层添加物理属性函数;建立冷却介质的几何模型,添加物理属性函数;将超导线圈模型作为热源,将超导线圈与冷却介质交界处设为热通量边界,通过H方程,对超导线圈电磁场进行建模;将热源当前产生焦耳热下计算出的温度用于计算电磁场的电流密度;获取在新电流密度下磁场强度;获取新磁场强度下电流密度,将其用于计算并更新热源产生的焦耳热;通过逐点约束添加电磁场的边界条件,求解待仿真超导线圈多物理场耦合失超计算模型,得到各物理场分布。本发明能够更加实际反映超导线圈的失超情况,仿真准确度比较高。
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公开(公告)号:CN111665462B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202010512523.X
申请日:2020-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12 , G01B11/16 , G01K11/3206 , G01R19/165
Abstract: 本发明公开了一种高温超导磁体失超检测装置及方法,包括:光纤光栅串FBG1、光纤光栅串FBG2、数据采集模块和数据处理模块;其中FBG1和FBG2上均有多个光纤光栅,光纤光栅可及时感测到磁体因失超而产生的微小形变和温升,对高温超导磁体的温度和应变均比较敏感,且本发明将FBG1和FBG2并联缠绕在高温超导磁体表面,将FBG1贴附在高温超导磁体表面,将FBG2使用粘胶固定在高温超导磁体表面,可以同时对高温超导磁体的各位置处的温度和应变进行快速检测,当磁体发生局部故障时,由于局部区域热量的积累,该区域将会很快发生温度和应变的变化,尽管此时的磁体电压仍未发生变化,也能通过温度和应变的变化检测到磁体发生故障,大大提高了高温超导磁体失超检测的速度。
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公开(公告)号:CN113435031B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202110701938.6
申请日:2021-06-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种空调所属房屋一阶ETP模型的参数辨识方法和系统,属于参数辨识领域。包括:获取待辨识居民空调各历史时段内负荷数据和对应时段室外温度数据;计算每个时段里空调平均负荷,以室外温度为自变量,以平均负荷为因变量,对所有时段数据进行线性拟合,拟合出的斜率倒数为房屋等效热阻;基于最小二乘的思想构建优化模型,求解所述优化模型得到室内温度和室内热源功率;根据待辨识居民空调历史负荷数据,计算空调工作功率;结合室外温度和辨识出房屋等效热阻、室内温度、室内热源功率、空调工作功率,计算房屋等效热容。本发明将待辨识参数分为稳态和动态,先求解稳态参数,再计算动态参数,提高了所构建的空调模型的准确性和鲁棒性。
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公开(公告)号:CN117310574B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311603443.5
申请日:2023-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种获取磁场转换矩阵的方法、外部磁场测量方法及系统,属于电磁参数测量技术领域,所述转换矩阵获取方法包括:建立与实际铁磁腔体尺寸相同的铁磁腔体模型,通过对铁磁腔体模型的磁化强度随机赋值与仿真3n次,得到磁化强度分布矩阵M、内部磁场分布矩阵B1、外部磁场分布矩阵B2;根据关系式B1=MA1、B2=MA2,求得铁磁腔体内外磁场的转换矩阵A,A=A1‑1A2。随后可基于求得的转换矩阵以及实时采集的内部磁场分布,计算得到外部特定点的磁场分布。本发明计算量小,计算效率高,且可根据需要调节预测精度。(56)对比文件Zhang, HP等.A transient magneto-mechanical numerical model of a tankbased on improved jiles-atherton theory.《Physica scripta》.2023,第98卷(第4期),全文.
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公开(公告)号:CN116222147A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202211715391.6
申请日:2022-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种实验级液氢冷凝制取装置,其包括冷源导热板、氢气注入接管和同心筒式导热组件;同心筒式导热组件包括导热套管外筒和内筒,各导热套管内筒沿轴向被垂直剖切成多片导热元件,同一导热套管内筒的导热元件之间存在剖切间隙,相邻两层导热套管之间存在间隙,同心筒式导热组件的顶端与冷源导热板接触,底端延伸至液氢缓冲罐;冷源导热板用于提供冷量;氢气注入接管沿同心筒式导热组件的径向贯穿同心筒式导热组件、且具有注入氢气的开口,当向氢气注入接管输入氢气后,氢气经开口注入同心筒式导热组件之间的间隙,多层同心筒式导热组件的多层设计加强套筒间的介质流通和扰动,增强对流传热效率,提高了氢气冷凝液化效率。
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