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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543168A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210018967.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制阻变存储器阻态波动性的方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该方法将阻变存储器件R与控制器件D并联，所述控制器件D为二极管或定值电阻，在读取电压作用下，流过处于高阻态的阻变存储器的电流IHRS的最大值小于流过控制器件D的电流ID，ID＞IHRS-max，流过控制器件D的电流ID小于阻变存储器处于低阻态时的电流ILRS，即ID＜ILRS。。本发明可以有效地消除高阻态的波动性，从而降低读取电路的复杂度。
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公开(公告)号：CN101826598B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010162689.X
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制。一是，利用顶电极加足够的正压使得金属Cu或者Ag纳米丝熔断形成关态；加负压后金属Cu或者Ag纳米细丝再次形成而转换成开态；二是，利用顶电极和有机薄膜的氧化还原反应的正向进行和逆向进行实现阻变。本发明实现了多态的阻变特性和多值存储功能，在低成本、高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101630719B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910089612.1
申请日：2009-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制造方法，属于集成电路技术领域。该阻变存储器，为MIM结构，该MIM结构的底层和顶层分别为金属电极，该MIM结构的中间层为，依次叠加的第一层聚对二甲苯聚合物膜、金属或金属氧化物纳米层和第二层聚对二甲苯聚合物膜。本发明利用聚对二甲苯聚合物和金属/金属氧化物的组合作为阻变材料，可制备出有较好的阻变特性和工艺兼容性的阻变存储器。聚对二甲苯聚合物的制备方法采用无副产品和无溶剂污染的室温汽相化学淀积工艺，与CMOS其他模块兼容。且聚对二甲苯耐标准光刻工艺中使用的溶液和溶剂，可以使用CMOS标准光刻技术工艺制备该阻变存储器，从而提高了存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN101853922A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010158789.5
申请日：2010-04-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(SixOyNz)。本发明通过对标准CMOS工艺中后端的等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺进行参数调节，制备出和标准CMOS工艺完全兼容的氮氧硅单极阻变存储器，其可以在低温工艺下实现，同时达到了人为控制缺陷浓度的目的，从而得到了较低的阻变电压和阻变电流，在低压低功耗存储器方面，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101789778A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910243256.4
申请日：2009-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/94
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高抗干扰性的射频开关，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。本发明的射频开关为串联和并联两种，串联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感为串联；阻变器件R与电感的连接端与信号输出端口连接；电感另一端与地线连接；阻变器件R另一端与输入信号端连接；阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。并联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感并联；阻变器件R与电感的一连接端分别与输出信号端口连接、经电容与输入信号端口连接；阻变器件R与电感的另一连接端与地线连接；阻变器件R控制器与阻变器件R的一端口连接。本发明具有结构简单、功耗低、成本低、开关速度快、高抗干扰性等特点。
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