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公开(公告)号:CN116979156A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202311147372.2
申请日:2023-09-07
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01M10/0587 , H01M10/0525 , H01M50/426 , H01M50/509 , H01M50/489 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/1397
Abstract: 本发明提供了一种纤维型柔性自充电电池及其制备方法和柔性自充电电池组件,涉及电池材料技术领域。本发明提供了一种纤维型柔性自充电电池,包括电池基体和电解液;所述电池基体包括由内而外依次同轴设置的内集流体、内活性材料层、压电隔膜、外活性材料层、外集流体和封装层。本发明同轴结构的设计可收集来自四面八方的机械能,线性的结构使之克服外层缓冲造成的机械能损失大幅减小,纤维状的单一器件利于通过编织等形式串联或并联起来,使之具有丰富的应用场景。本发明提供的纤维型柔性自充电电池可收集低频机械能。
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公开(公告)号:CN116744776A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310729176.X
申请日:2023-06-19
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明涉及柔性电子器件技术领域,尤其涉及离子型忆阻器及其制备方法和应用。本发明提供了一种离子型忆阻器,包括第一丝印银电极层、金属离子复合聚合物层和第二丝印银电极层;所述金属离子复合聚合物层位于第一丝印银电极层和第二丝印银电极层之间,且所述第一丝印银电极层、金属离子复合聚合物层和第二丝印银电极层之间形成桥连结构。所述离子型忆阻器具有稳定的阻态转变、超低的开关电压、极高的开关比和良好的数据保持性。
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公开(公告)号:CN111657961B
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202010638269.8
申请日:2020-07-03
Applicant: 北京印刷学院
IPC: A61B5/1455 , B41M1/12 , B41M5/025
Abstract: 本发明提供一种在皮肤上制备超表面用于血糖检测的方法,属于柔性可穿戴电子技术和医疗健康交叉技术领域。其中,血糖检测方法包括:预先设计具有谐振环结构的超表面,通过模拟建立血糖浓度与所述超表面的电磁吸收特性之间关系的模型;在皮肤上制备超表面;利用电磁波扫描所述皮肤上形成的超表面在不同频率下的反射光谱,得到S11参数与所述频率之间的关系曲线;根据所述模型以及所述关系曲线上谐振峰的频移,以确定血糖浓度的变化。本发明实现了在皮肤上直接构筑形成与皮肤相容性好的、电磁性能稳定、血糖测试准确性高的电磁波超表面,并且,该方法可直接检测人体的血糖浓度,无须采集人体血液,实现了真正无创地检测人体血糖。
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公开(公告)号:CN111657961A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN202010638269.8
申请日:2020-07-03
Applicant: 北京印刷学院
IPC: A61B5/1455 , B41M1/12 , B41M5/025
Abstract: 本发明提供一种在皮肤上制备超表面用于血糖检测的方法,属于柔性可穿戴电子技术和医疗健康交叉技术领域。其中,血糖检测方法包括:预先设计具有谐振环结构的超表面,通过模拟建立血糖浓度与所述超表面的电磁吸收特性之间关系的模型;在皮肤上制备超表面;利用电磁波扫描所述皮肤上形成的超表面在不同频率下的反射光谱,得到S11参数与所述频率之间的关系曲线;根据所述模型以及所述关系曲线上谐振峰的频移,以确定血糖浓度的变化。本发明实现了在皮肤上直接构筑形成与皮肤相容性好的、电磁性能稳定、血糖测试准确性高的电磁波超表面,并且,该方法可直接检测人体的血糖浓度,无须采集人体血液,实现了真正无创地检测人体血糖。
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公开(公告)号:CN110136889B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201910435395.0
申请日:2019-05-23
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种三维可拉伸导体的制备方法,属于弹性导体制备技术领域。本发明通过紫外曝光、显影和烘干得到具有三维结构的弹性复合材料,相比于模板复型技术,具有成本低,图案结构完整无缺陷、形状和平面尺寸灵活可调控等优点。通过柔印印刷设备将导电油墨转移到复合材料的三维结构的凸起部分。由于具有三维结构的弹性复合材料在拉伸时凸起部分形变小,使得附着在三维结构凸起部分的导电油墨即便在拉伸的情况下也能保持原来形貌,维持优异的电阻稳定性。实施例的数据表明:所得三维可拉伸导体的最大拉伸率可达到150%;在拉伸60%以下时电阻不变,且循环拉伸1000次电阻变化小于10%;在拉伸80%以上时,电阻增加20~50%。
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公开(公告)号:CN109273598A
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201811451369.9
申请日:2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料,它具有独特的介电效应和压电效应,同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来,对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面,器件在外加电场作用下表现出电阻变化,具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件,且制作工艺简单,可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸,具有产业化前景。
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公开(公告)号:CN109215687A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810954380.0
申请日:2018-08-21
Applicant: 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
IPC: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/0045 , G11B7/26
Abstract: 本发明提供了一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法,其中,存储器包括:透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层;所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜;所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜丝网印刷于透明下电极层表面,然后与透明上电极层采用PDMS封装。本发明提供了一种可用于智能包装、柔性可穿戴设备和柔性生物芯片领域的柔性透明存储器,在光作用下,其电阻发生改变,可用作光信息存储器。在柔性基底上采用喷墨打印和丝网印刷技术等方法制作器件,能大幅度降低成本,具有大规模量产的前景。
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公开(公告)号:CN109211428A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810955488.1
申请日:2018-08-21
Applicant: 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域,为了解决温度传感器很难在弯曲界面使用的问题,本发明提供了一种温度传感器及制备方法,其中,温度传感器,包括可降解柔性薄膜基材,所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极,所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体,所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接,所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同;所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连,所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连,所述的第一引线可降解,所述的第二引线可降解。本发明的温度传感器柔性好,与待测曲面有较好的贴合度,可以安装在弯曲界面实现精准测量。
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公开(公告)号:CN105957963B
公开(公告)日:2018-09-21
申请号:CN201610500658.8
申请日:2016-06-29
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器,其特征在于,包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层;所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层,该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面,结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器,在外加电场作用下,其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件,且便于插取,该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单,成本低,具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN105957963A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610500658.8
申请日:2016-06-29
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器,其特征在于,包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层;所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层,该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面,结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器,在外加电场作用下,其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件,且便于插取,该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单,成本低,具有重要的应用价值。
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