公开(公告)号：CN101167191A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋顺重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101164173A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013914.5

申请日：2006-04-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  石川直挥 ,  高桥正俊

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第一涂布剂，然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层；该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域；该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成，其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN110073499B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201680090769.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  森山隼 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  C08G73/10

Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其特征在于具备：备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域，接在前述发射领域的射极电极，具有前述第1导电型的基极领域，接在前述基极领域的基极电极，与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池，前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成；前述绝缘膜在TOF‑SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此，可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。

公开(公告)号：CN117613134A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311207172.1

申请日：2016-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  三田怜 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法、太阳能电池模块和发电系统。该太阳能电池的制造方法具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN109891599B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201680090321.2

申请日：2016-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  森山隼 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。

公开(公告)号：CN109844961B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN201680090007.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  三田怜 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224

Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN110785856A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042175.5

申请日：2018-04-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN110121788A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201680090735.5

申请日：2016-11-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02 ,  H01L21/67 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。

公开(公告)号：CN110100317A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201680090730.2

申请日：2016-12-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18

Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。

公开(公告)号：CN110050352A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201680090581.X

申请日：2016-11-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  植栗丰敬 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/321 ,  H01L31/068 ,  H01L31/028 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其具有下列步骤：于半导体基板的第1主表面形成第1电极的步骤，及以覆盖前述第1电极的至少一部分的方式涂布绝缘膜前驱物的步骤，及使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤，及于至少前述绝缘膜前驱物上，以与前述第1电极电绝缘的方式涂布导电性糊料的步骤，及使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤，以及使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤，将前述导电性糊料以与前述第1电极电绝缘的方式进行涂布的步骤在使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤之后进行，使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤的至少一部分与使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤的至少一部分同时进行。由此，可提供生产性高、且具有高光电转换特性的太阳能电池的制造方法。