公开(公告)号：CN113710615A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030274.9

申请日：2020-02-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野岛义弘 ,  青木伸司 ,  鸢岛一也

IPC: C01B19/04 ,  C01B25/08 ,  C01G3/00 ,  C01G5/00 ,  C01G9/08 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明为一种量子点，其为作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点，其中，所述量子点具有核壳结构，所述核壳结构包括包含第一金属元素的核颗粒与包含第二金属元素的壳层，在所述核颗粒与所述壳层的界面存在与所述第一金属元素及所述第二金属元素不同的第三金属元素，以摩尔比计，所述第三金属元素的量相对于所述核颗粒所含的所述第一金属元素的量为10％以下。由此，提供一种发射波长的控制性优异、且同时具有高发光特性及发光效率的量子点。

公开(公告)号：CN109104866B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201780024422.4

申请日：2017-02-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高桥光人 ,  野岛义弘

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种合成石英玻璃基板用研磨剂，其由研磨颗粒及水组成，其特征在于，所述研磨颗粒以二氧化铈颗粒为母体颗粒，在该母体颗粒的表面担载有铈与选自除铈以外的其他三价稀土元素中的至少一种稀土元素的复合氧化物颗粒。由此，可提供一种具有高研磨速度且能够充分降低因研磨导致的缺陷的产生的合成石英玻璃基板用研磨剂。

公开(公告)号：CN106687552B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580047692.8

申请日：2015-07-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野岛义弘

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨组合物，其包含金属氧化物颗粒作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，作为所述金属氧化物颗粒，包含：在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半值宽度不足1°的金属氧化物颗粒；进一步地，作为选择比调节剂，包含：2种以上的具有不同重均分子量的水溶性聚合物，该水溶性聚合物的不同重均分子量的比值为10以上。由此，提供一种研磨组合物以及使用该研磨组合物的半导体基板的研磨方法，所述研磨组合物维持高研磨速率，并能够抑制产生划痕、碟型凹陷、磨损等由研磨所引起的缺陷，并且能够任意地调节金属层与绝缘体层的研磨速度的比例即选择比。

公开(公告)号：CN102017070B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980116731.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。