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公开(公告)号：CN102431999A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110282370.5
申请日：2011-09-22
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及石墨烯领域，具体为一种以卤素或金属卤化物为插层剂的石墨插层化合物为原料，使用草酸或过氧化氢溶液进行膨胀，然后在溶剂中超声剥离制备高质量石墨烯的方法。即将石墨进行插层后，将石墨插层化合物粉体加入到草酸或过氧化氢溶液中，膨胀处理得到高度膨胀的蠕虫状石墨烯聚集体。随后将所得蠕虫状石墨烯聚集体在醇、酮等有机溶剂或表面活性剂水溶液中超声波震荡处理实现剥离，得到石墨烯分散液。干燥去除溶剂后即可得到高质量的石墨烯粉体。本发明方法简单、易控，可实现高质量石墨烯材料的高效、大量、低成本制备，解决了现有石墨烯制备技术中存在的成本高、产率低、质量差等问题。
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公开(公告)号：CN102275902A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010199086.7
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及石墨烯材料领域，具体为一种新的氧化石墨烯(GrapheneOxide，GO)还原制备石墨烯材料的方法，适用于各种基于氧化石墨烯的粉体和薄膜材料的还原。将氧化石墨烯制品在以氢碘酸、氢溴酸和氯化亚砜等为代表的卤化试剂中、-5到140℃的温度范围内浸泡10秒～24小时，取出干燥后即可完成对氧化石墨烯材料的还原，还原后得到的石墨烯材料具有优异的导电性并可保持薄膜制品的柔韧性。本发明方法简单、易控，可实现氧化石墨烯材料的低温、高效、大量、低成本还原，解决现有技术中存在的环境污染、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN101993060A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910013244.2
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种适用于宏量制备具有优异导电性能和良好热稳定性的高质量石墨烯的方法。该方法首先采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式快速加热，进而膨胀、解理氧化石墨制备剥离石墨，阳极为采用Hummer方法得到的氧化石墨，缓冲气体总压力为50-1000乇，放电电流为50-300A；然后采用超声方法将剥离石墨均匀分散在表面活性剂溶液中，最后采用高速离心方法去除尚未完全剥离的石墨以及大尺寸的厚石墨片，进而得到具有优异导电性能和良好热稳定性的高质量石墨烯。本发明可通过简单地控制工艺参数制备具有优异导电性能和良好热稳定性的高质量石墨烯，并且该方法具有成本低、产物产量高以及有望大量制备的特点。
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公开(公告)号：CN101618867A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810012116.1
申请日：2008-07-02
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及碳纳米管制备技术，具体为一种磁性金属(铁、钴、镍)颗粒修饰碳纳米管制备方法。该方法采用有机金属化合物为碳源和催化剂，其同时作为碳源和催化剂前驱体，有机金属化合物为有机铁、钻或镍的化合物，有机金属化合物催化剂快速升华并与含硫生长促进剂在气态下充分混合均匀；然后，在缓冲气体夹带下进入反应区生成磁性金属颗粒修饰碳纳米管。其中，硫与机金属化合物中铁(钴、镍)摩尔比为0～1/4。本发明通过控制有机金属化合物的升华温度和硫原子在反应区的浓度，从而实现磁性金属颗粒修饰碳纳米管的生长并能够控制磁性金属(铁、钴、镍)颗粒的直径。
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公开(公告)号：CN119852248A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411704906.1
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及封装材料领域，具体为一种柔性贴片式封装膜及其制备方法和封装方法。该封装膜以单层石墨烯作为核心水氧阻隔层，石墨烯外侧为聚合物防护层，石墨烯内侧为表面能依次降低的多层聚合物，使石墨烯与多层聚合物为梯度表面能结构，从石墨烯到最内层按照表面能从高到低的顺序堆栈多层聚合物，获得梯度阻隔水氧和吸水结构，形成逐层阻隔水氧的屏障，同时吸附水分使其逐层向外扩散。贴片式封装膜可以辊绕成卷，像常规胶带一样可直接贴附在器件需要封装的区域，简易且高效。本发明解决了传统封装材料在柔性化、操作便捷性和防护性能方面的不足，在电子器件、光电子器件及其他敏感设备的封装领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119465386A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411431599.4
申请日：2024-10-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及金属卤化物钙钛矿材料领域，具体为一种(NH4)AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用。首先利用“化学气相输运”的方法，以金属Bi、Sb和NH4I、NH4Br为前驱体，单质碘或Br为输运剂，通过控制反应物成分、反应端与生长端温度和温差制备得到层状(NH4)AZ3型三元卤化物单晶材料，通过机械剥离法或溶液插层剥离法获得(NH4)AZ3纳米片。该方法工艺简单，所得三元卤化物单晶材料无需引入长链胺类有机配体对其表面进行钝化即可被剥离成单晶纳米片，通过控制剥离条件可获得不同层数的单晶纳米片，其具有厚度依赖的带隙、高的结晶质量和光电性能，可广泛应用于发光二极管、光电探测器等光电器件。
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公开(公告)号：CN116062749B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111268446.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/23 , C01B32/198 , B08B3/08
Abstract: 本发明属于石墨烯制造领域，具体是一种不涉及盐酸的氧化石墨清洗方法。采用化学法制备氧化石墨，氧化反应结束后的氧化石墨、插层剂、氧化剂及其他反应产物的混合物加水稀释后固液分离收集滤饼；将滤饼加水清洗数次后得到纯度较高的滤饼，再加入水和双氧水浆化后固液分离，获得高纯度的氧化石墨滤饼。该方法具有滤饼清洗收集效率高、清洗废水和氧化石墨滤饼无盐酸等特点，可用于氧化石墨烯材料的工业化生产。
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公开(公告)号：CN118835314A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310444678.8
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维材料异质结构的制备技术，具体为一种石墨烯/六方氮化硼异质结阵列的制备方法，适用于制备图案可控、界线具有原子级尖锐的石墨烯/六方氮化硼异质结阵列。基于高质量的单层或少数层单晶石墨烯，采用聚焦激光束对其刻蚀形成缺陷，再利用替换反应从缺陷处将石墨烯外延转化为六方氮化硼，转化后的六方氮化硼保持与石墨烯同等的高质量，并形成具有原子级尖锐的异质结分界线；此外，经过聚焦激光束刻蚀石墨烯表面形成缺陷阵列，能够转化形成墨烯/六方氮化硼异质结阵列。本发明无需使用光刻技术即可形成异质结阵列，能够减少二维材料制备过程中的光刻胶污染，并保证平面异质结具有原子级尖锐的分界线。
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公开(公告)号：CN118563403A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410682538.9
申请日：2024-05-29
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单晶金属箔的制备领域，具体为一种大面积单晶金属箔的制备方法，该方法适用于单晶金属箔材的批量化制备。该方法包括以下步骤：(一)将未进行任何处理的工业级商业多晶金属箔平铺在平整基底上，并共同置于管式炉等加热设备中，然后在氧化气氛下开始升温；(二)以一定的速率升温至目标温度，进行一段时间的持续退火过程；(三)退火结束后，自然冷却至室温；(四)将金属箔从平整基底上缓慢揭下，即可实现与平整基底的完美分离，得到单晶金属箔。采用本发明可通过简单的工艺，高效率、低成本实现大面积单晶金属箔的批量化制备，因单晶金属箔具有较高的电学和机械性能，可广泛应用于电器、机械、建筑、国防等重要领域。
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公开(公告)号：CN114214042B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111537991.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C09K5/14 , C01B32/186 , C01B32/194 , F21V29/85 , F21W131/103 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及新材料及其应用技术领域，具体涉及一种石墨烯膜做为耐高温热界面材料或散热膜材料的应用。该石墨烯膜在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热性能：面内导热率为400～1500W/mK，垂直平面方向导热率为10～180W/mK；石墨烯膜具有良好的柔韧性，导热性能优异，作为一种全炭耐高温的在面内和垂直平面均具有优异导热性能的耐高温热界面材料或散热膜材料应用。所制备的石墨烯膜具有很高的结晶质量和柔韧性，在面内和垂直平面方向上均具有优异的导热性能。由于所述石墨烯膜为高结晶质量的全炭结构，可在800℃以下空气环境下稳定使用，在热管理领域具有巨大的应用潜力。
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