公开(公告)号：CN101489720B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780027348.8

申请日：2007-08-22

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 数野淳 ,  下村哲生 ,  中井良之 ,  小川一幸 ,  木村毅

IPC: B24B37/00 ,  C08G18/32 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/26 ,  C08G18/12 ,  C08G18/4238 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/664 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/724 ,  C08G18/7621 ,  C08J9/30 ,  C08J2375/04 ,  C08L83/00 ,  C08G18/3243

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种平坦化特性及耐磨损性优良的抛光垫及其制造方法。本发明涉及抛光垫，其包含由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，其特征在于，所述聚氨酯发泡体是(1)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为100℃以上的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物A、(2)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为40℃以下的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物B以及(3)4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)的反应固化物，且异氰酸酯封端的预聚物A与异氰酸酯封端的预聚物B的混合比为A/B＝50/50～90/10(重量％)。

公开(公告)号：CN100551626C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710148751.8

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D3/20 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN101537601A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910135487.3

申请日：2006-05-10

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 数野淳 ,  小川一幸 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  下村哲生

IPC: B24D3/00 ,  B24D13/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304 ,  B24D18/00 ,  C08G18/65 ,  C08G18/10 ,  C08G101/00

Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25～120％。

公开(公告)号：CN101530988A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910135488.8

申请日：2006-05-10

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 数野淳 ,  小川一幸 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  下村哲生

IPC: B24D3/00 ,  B24D13/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304 ,  C08G18/10 ,  C08G101/00

Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25～120％。

公开(公告)号：CN101130232A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710148749.0

申请日：2002-10-03

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  增井敬志 ,  驹井茂 ,  小野浩一 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  木村毅 ,  濑柳博

IPC: B24B37/04 ,  B24D13/00 ,  B24D18/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。

公开(公告)号：CN1717785A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104102.8

申请日：2003-11-27

Applicant: 东洋橡胶工业株式会社

Inventor： 中森雅彦 ,  下村哲生 ,  山田孝敏 ,  小川一幸 ,  数野淳 ,  渡边公浩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫，进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫，在透光区域的波长400～700nm的全区域中的透光率，在50％以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5～4mm，并且在透光区域的波长600～700nm的全区域中的透光率，在80％以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间，并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。

公开(公告)号：CN1476367A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN01819489.3

申请日：2001-11-28

Applicant: 东洋纺织株式会社

Inventor： 小野浩一 ,  下村哲生 ,  中森雅彦 ,  山田孝敏 ,  驹井茂 ,  堤正幸

IPC: B24B37/00 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B37/22 ,  B24D3/28 ,  B24D11/001 ,  B24D11/008

Abstract: 一种研磨垫，稳定且以高的研磨速度对半导体装置用的硅晶片、存储盘、磁盘、光学透镜等要求高度表面平坦性的材料进行平坦化处理。本发明提供薄板化、槽等的表面加工等生产容易，厚度精度优异、研磨速度高、可得到均匀的研磨速度的研磨垫子；以及没有由个体差异的质量偏差，可容易改变加工图案，可进行微细加工，形成凹凸时不会有毛边的研磨垫子；以及可对应各种被研磨材料，能够把磨粒混合为极其高浓度、且即使分散磨粒，由于磨粒凝聚而引起的划痕产生少的研磨垫。做成研磨层由通过能量线固化的固化性组合物形成，并且上述研磨层表面具有通过光刻法形成的凹凸的研磨垫。做成分散有磨粒的研磨层树脂是具有20～1500eq/ton离子基的树脂的研磨垫。