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公开(公告)号：CN106059604B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610347830.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/12
Abstract: 本发明公开了一种基于信号分离的抗阻塞接收射频前端结构，包括高线性度的低噪声跨导放大器、电流开关无源混频器和具有频率邻近信号分离功能的中频电路，以电流模的方式工作，所述低噪声跨导放大器具有高线性度的跨导特性，减小输出电流信号中的非线性产物，中频电路在宽带范围内提供低输入阻抗，配合电流开关无源混频器，可防止阻塞信号在电路节点引发大电压摆幅并破坏工作点，中频电路还具有高频率选择性，能够有效滤除频率上接近有用信号的阻塞信号，分离出有用信号并向后级输出。本发明可用于无片外射频滤波器的接收机中，实现提取有用信号并抑制阻塞信号的功能。
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公开(公告)号：CN105553479B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610056385.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于近阈值SAR ADC的二进制电容阵列及其低功耗开关方法，通过对其核心模块DAC电容阵列的特殊构建并结合所提出的新的开关算法，能够大大降低SAR ADC转换过程中DAC部分的功耗。该算法只采用两个参考电平，适用于近阈值电压下的SAR ADC设计。通过灵活运用联合、分裂和浮置的电容开关技术，电容阵列的总面积与普通两电平电容开关技术所需要的电容阵列面积相比，减少50％。
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公开(公告)号：CN106026930B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610574994.7
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高转换增益无源混频器，包括巴伦跨导级、无源本振开关及跨阻放大器；其中，巴伦跨导级采用电流复用结构，包括射频跨导级和射频预放大器，且射频预放大器采用共源放大器结构，射频跨导级采用CMOS跨导结构；跨阻放大器包括跨导增强的共栅放大器。相比与传统的无源混频器结构，本发明同时降低了跨导级和跨阻放大器的工作电流，具有转换增益高、工作稳定、功耗低的特点，且实现了更高阶的频率选择特性及对带外干扰信号的有效抑制。
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公开(公告)号：CN104539241B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510041273.5
申请日：2015-01-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种低电压高线性度上变频器及上变频信号输出方法,由跨导电路、本振开关以及负载电路构成，利用负反馈电路构造基于超级源跟随结构的跨导电路，使得流过本振开关的中频电流与输入电压呈现高度线性关系；并利用电流镜将转换电流复制并注入到本振开关，经本振开关的变频作用产生上变频信号以及谐波混频产物，再经负载电路滤除谐波混频产物，输出纯净的上变频信号。本发明可显著提升整个上变频器的线性度。同时本发明的上变频器将电源地之间层叠的晶体管数目控制在三个以内，可有效适应低电源电压的应用场合。
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公开(公告)号：CN107945222A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711348132.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06T7/33 , G06T5/005 , G06T2207/20021
Abstract: 本发明公开了一种新型的立体匹配代价计算以及视差后处理方法用以提高无纹理区域，纹理相似但深度不同区域，以及倾斜平面区域的视差估计精度。本发明采用描述纹理丰富区域信息的灰度及梯度特征、体现大面积无纹理区域结构以及细微差别的Census特征共同构成联合立体匹配代价，以此进行视差计算；随后，在原始视差图基础上，引入二次视差修复提升了算法在纹理相似但深度不同区域的视差估计精度；通过基于平面拟合的视差精细化，提升了算法在倾斜平面区域的视差精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105207626B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510706256.9
申请日：2015-10-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明涉及一种折叠式线性跨导上变频器，包含高线性度中频跨导电路、双平衡本振开关以及负载电路；本发明为折叠结构，将跨导级产生的电流经电流镜复制到本振开关，从而将本振开关所在支路层叠的晶体管数目从四个减少到三个，缓和了电压裕度。跨导级通过基于运放的负反馈电路，实现了具有高线性度的电压—电流转换功能。同时为了保证跨导级的电压裕度，该线性跨导电路将跨导电阻两端的偏置电压相比输入电压上移了一个栅源电压。所述上混频电路可工作在较低电源电压下，并具有高线性度的特点。
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公开(公告)号：CN107359876A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710497938.2
申请日：2017-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种适用于双端SAR-ADC的DAC电容阵列及对应的开关切换方法，该电容阵列包括比较器和电容阵列，比较器的输入端P端和N端分别连接正输入Vip和负输入Vin，从正、负输入分别至P、N端依次设有第一最高位电容C1-1、第二最高位电容C1-2和非二进制电容阵列；所有电容的上极板均接到输入电平，第一最高位电容和第二最高位电容的下极板接GND，其余电容的下极板均接参考电平Vref。该电容阵列将最高位电容拆分为两部分，一部分作为新的最高位电容，一部分与原本的二进制电容阵列结合，形成非二进制电容阵列；对应的开关切换方法通过重复动作已经切换的电容，防止比较器的共模持续下降。
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公开(公告)号：CN104617970B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510066420.4
申请日：2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/16
Abstract: 本发明公开一种全集成抗阻塞射频接收前端架构，包括阻塞信号滤波级和下混频级。其中阻塞信号滤波级是一个前馈结构，主支路和前馈支路采用电路结构相同的低噪声放大器以实现匹配。此外，前馈支路利用无源混频器对阻抗具有在频域的搬移特性，在射频本振处产生一个带阻滤波器以滤除有用信号，然后将得到的阻塞信号与主支路的阻塞信号相减，得到射频有用信号。因为在两个低噪声放大器之后直接将阻塞信号滤除，不会对其他电路造成影响，所以避免了带来其他的非理想因素。其后接无源混频器实现下混频，得到中频有用信号。
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公开(公告)号：CN104639270B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510069711.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: H04B17/318
Abstract: 本发明公开了一种具有工艺稳定性的CMOS集成接收信号强度指示器，该接收信号强度指示器包含五个限幅放大器组成的限幅放大器链、六个偏置电流受控的全波整流器、电流源产生器以及第一至第二电阻和第一至第二N型金属氧化物晶体管组成的二阶低通网络；电流源控制器给电流受控的全波整流器提供与第一电阻成反比的偏置电流；使得在输入未饱和的情况下整流器的输出电流也与第一电阻成反比；所以最终在第一电阻上的电压不受电阻变化的影响；第一至第二N型金属氧化物晶体管的漏极和源极同时接地作为电容使用；在CMOS工艺中电阻往往受工艺变化影响很大，但是该CMOS集成接收信号强度指示器的输出对工艺变化具有较强的抑制能力。
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公开(公告)号：CN106301251A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610662312.8
申请日：2016-08-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反馈技术的高线性功率放大器结构，包括包络检测器一、输入匹配网络、主功率放大管及其辅助功率放大管、输出匹配网络、衰减网络、包络检测器二和误差放大器，主功率放大管及其辅助功率放大管用于放大射频输入的功率，输入匹配网络和输出匹配网络用于减小功率传递时的损耗，衰减网络用于衰减射频输出，包络检测器一用于检测射频输入的包络信号，包络检测器二用于检测衰减后射频输出的包络信号，误差放大器对两个包络信号的差值进行放大并反馈到辅助功率放大管的栅极。相比于传统的多栅晶体管功率放大器结构，所述高线性功率放大器的辅助功率放大管的栅极偏置是自适应的，在更宽的输入信号范围内可实现更高的线性度。
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