硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器

    公开(公告)号:CN104935277A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510379019.6

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    CPC classification number: H03F3/213 H03F3/265 H03F2203/21139

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器,由三个固支梁栅NMOS管,一个固支梁栅PMOS管,恒流源和LC回路构成。三个固支梁栅NMOS区别仅在于它们的固支梁栅的形状不同,第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅为宽梁,第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。该功率放大器的固支梁栅MOS管是制作在Si衬底上,其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的,形成固支梁结构。当固支梁栅MOS管关断,固支梁处于悬浮状态,也就没有栅极漏电流,从而降低了电路的功耗,该交叉耦合的固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路,从而补偿LC回路中电感的寄生电阻,从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

    氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器

    公开(公告)号:CN104935263A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510379774.4

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器,该乙类推挽功率放大器是由三个具有悬臂梁开关N型MESFET,一个具有悬臂梁开关P型MESFET,LC回路组成。三个悬臂梁开关N型MESFET区别仅在于它们的悬臂梁开关的形状不同,第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的悬臂梁开关为宽梁,到第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的悬臂梁开关为窄梁。该功率放大器使用的悬臂梁开关MESFET基于GaN衬底,源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成,栅极由金属和沟道区形成肖特基接触构成,在MESFET的栅极上方悬浮着悬臂梁开关,交流信号加载在悬臂梁开关上,从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

    一种高油酸环氧植物油的制备方法及其在沥青热再生中的应用

    公开(公告)号:CN114890708B

    公开(公告)日:2023-02-14

    申请号:CN202210409904.4

    申请日:2022-04-19

    Abstract: 本申请公开了一种高油酸环氧植物油的制备方法及其在沥青热再生中的应用,向三口烧瓶中加入高油酸植物油、羧酸与酸类催化剂,在恒温25℃下混合均匀后,逐滴加入50%过氧化氢溶液,在恒温30‑80℃,搅拌速率为600r/min的条件下,反应1‑4h,得到环氧化程度不同的高油酸植物油,测定产物的基本性能;制备方法简单,作为沥青再生剂,用于沥青再生时,不需要额外添加抗氧化剂,成本较低,同时再生效率高、环保效果好,可以实现95%以上的高RAP掺量再生沥青混合料的制备。所得到的高油酸环氧植物油再生沥青和再生沥青混合料均能够达到规范标准,且能够解决传统热再生沥青混合料低温性能不良的问题。可以广泛运用于废旧沥青材料的热再生中。

    一种高油酸环氧植物油的制备方法及其在沥青热再生中的应用

    公开(公告)号:CN114890708A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210409904.4

    申请日:2022-04-19

    Abstract: 本申请公开了一种高油酸环氧植物油的制备方法及其在沥青热再生中的应用,向三口烧瓶中加入高油酸植物油、羧酸与酸类催化剂,在恒温25℃下混合均匀后,逐滴加入50%过氧化氢溶液,在恒温30‑80℃,搅拌速率为600r/min的条件下,反应1‑4h,得到环氧化程度不同的高油酸植物油,测定产物的基本性能;制备方法简单,作为沥青再生剂,用于沥青再生时,不需要额外添加抗氧化剂,成本较低,同时再生效率高、环保效果好,可以实现95%以上的高RAP掺量再生沥青混合料的制备。所得到的高油酸环氧植物油再生沥青和再生沥青混合料均能够达到规范标准,且能够解决传统热再生沥青混合料低温性能不良的问题。可以广泛运用于废旧沥青材料的热再生中。

    一种基于图像低频信息相似度的匹配图像对识别的方法

    公开(公告)号:CN109544614B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201811415363.6

    申请日:2018-11-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于图像低频信息相似度的匹配图像对识别的方法,能够区分匹配图像对与非匹配图像对在匹配点所在区域的相似度,实现匹配图像对识别。本发明包括如下步骤:(1)通过匹配特征点对来选取对比区域;(2)通过反余弦变换获取对比区域的低频信息;(3)根据感知哈希算法来评价对比区域的相似度,并通过中值过滤掉噪点数据;(4)求对比区域相似度均值,并根据阈值设定判别是否为匹配图像对。本发明可以快速可靠地识别出匹配图像对,筛除大量非匹配图像对,可用于提高特征点匹配环节的效率。

    氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法

    公开(公告)号:CN104993792B

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201510380061.X

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法,用具有固支梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的固支梁开关的下拉电极接地,设计两个固支梁开关MESFET的阈值电压相等,固支梁开关MESFET的阈值电压和它的固支梁下拉电压相等,当固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值,所以固支梁开关被下拉到栅极上,固支梁开关与栅极紧贴,同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压,所以MESFET导通。当MESFET的固支梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压,固支梁开关是悬浮在栅极上方,处于截止。降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。

    硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门

    公开(公告)号:CN104954008B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510379768.9

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOS管或非门由一个双悬臂梁可动栅NMOS管和一个电阻构成,该NMOS管的源极接地,两个悬臂梁栅极作为信号的输入端,漏极都与电阻相接,电阻与电源电压相接;该或非门制作在P型硅衬底上,下拉电极在悬臂梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖,下拉电极接地;该或非门所用的悬臂梁栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在二氧化硅层上方,而是依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方;悬臂梁栅的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等,当该或非门工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂梁栅就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。

    氮化镓基低漏电流固支梁开关乙类推挽功率放大器及制备

    公开(公告)号:CN104935278A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510379705.3

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    CPC classification number: H03F3/213 H03F3/265 H03F2203/211

    Abstract: 本发明的一种氮化镓基低漏电流固支梁开关乙类推挽功率放大器,包括第一固支梁开关N型MESFET(1),第二固支梁开关N型MESFET(19),第三固支梁开关N型MESFET(20)和固支梁开关P型MESFET(2),恒流源(18),LC回路;该交叉耦合的第二固支梁开关N型MESFET(19),第三固支梁开关N型MESFET(20)能够提供负阻给LC回路,从而补偿LC回路中电感的寄生电阻,从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。并且GaN基的MESFET具有高电子迁移率,能够满足射频信号下电路正常工作的需要。

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