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公开(公告)号：CN102963857B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210396317.2
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种电磁驱动调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括左移电磁执行器、右移电磁执行器、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，左移电磁执行器与左移定齿的一端连接，左移定齿的另一端连接在第一锚区上，右移电磁执行器与右移定齿的一端连接，右移定齿的另一端连接在第一锚区上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、两个第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、两个第二折叠梁；动齿包括质量块、动齿梳齿、两个第二锚区和两个第三折叠梁；第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在电磁驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN104122012A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410247676.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构及其测试方法，包括硅衬底，硅衬底上设二氧化硅层和氮化硅层，氮化硅层上设东南西北向偏转结构，东西镜面对称，南北镜面对称，东南西北向偏转结构采用偏转结构，偏转结构包括指针梁，在指针梁上垂直连接有驱动梁，指针梁及驱动梁分别连接于设在氮化硅层上的第一和第二锚区，东西向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，南北向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，东西向偏转结构中的指针梁与南北向偏转结构中的指针梁相垂直，各个偏转结构的指针梁及驱动梁连接于设在氮化硅层上的PSG牺牲层，当PSG牺牲层被释放后，测得东北向偏转结构中的指针梁的夹角及西南向偏转结构中的指针梁的夹角，计算残余应力σ。
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公开(公告)号：CN104034603A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410242784.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提供了一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅悬臂梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅杨氏模量的单元是薄膜硅悬臂梁，而这两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅悬臂梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅悬臂梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅悬臂梁弯曲到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN104034575A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243664.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料泊松比的测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅十字梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成；实际测量薄膜硅泊松比的单元是薄膜硅十字梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅十字梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅十字梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅十字梁扭转到测试角度所需要的力，由力、测试角度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的泊松比。
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公开(公告)号：CN103064261B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210538668.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/20 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102589965A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
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公开(公告)号：CN102012287B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010501581.9
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 圆形硅薄膜微机电压力传感器是一种采用圆形的P型半导体硅薄层的微机电压力传感器结构，传感器的最下层是用于密闭空腔的玻璃基片，玻璃基片之上是N型硅衬底，靠近玻璃基片的N型硅衬底背面具有圆形空腔，在圆形空腔上是硅薄膜，圆形的P型掺杂薄层覆盖整个硅薄膜，在硅片的上表面覆盖了二氧化硅层，沿着圆形的P型掺杂薄层一周，均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极。其特征在于采用圆形的P型掺杂薄层作为传感层，以圆形的P型掺杂薄层的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。
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公开(公告)号：CN102042887A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010501549.0
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 矩形硅薄膜微机电压力传感器是一种采用矩形的P型半导体硅薄层的微机电压力传感器结构，传感器的最下层是用于密闭空腔的玻璃基片，玻璃基片之上是N型硅衬底，靠近玻璃基片的N型硅衬底背面具有矩形空腔，在矩形空腔上是硅薄膜，矩形的P型掺杂薄层覆盖整个硅薄膜，在硅片的上表面覆盖了二氧化硅层，沿着矩形的P型掺杂薄层一条直边，均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极。其特征在于采用矩形的P型掺杂薄层作为传感层，以矩形的P型掺杂薄层的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。
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公开(公告)号：CN101510509B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910030067.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，提供了一种补偿图形的拓扑结构，由此拓扑结构可以产生出多种多样的直角形式凸角补偿图形，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条 晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。硅的各向异性腐蚀技术是指在硅的腐蚀过程中，硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，采用硅各向异性腐蚀技术能够制造许多种微机电系统(MEMS)结构。本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。
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公开(公告)号：CN101980025A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010501568.3
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 圆形铂金薄膜二维风速风向传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上制作发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上是二氧化硅绝缘层(103)，二氧化硅绝缘层(103)之上采用圆形的铂金薄膜(104)作为传感面，铂金电极(105)位于圆形的铂金薄膜(104)的圆周外；由发热电阻产生的热量形成圆形的铂金薄膜电阻率的初始分布，流动的空气移动了热量并导致圆形的铂金薄膜电阻率分布发生变化，利用热分布变化引起铂金薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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