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公开(公告)号：CN101434418A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810203984.8
申请日：2008-12-04
申请人： 上海大学
IPC分类号： C01G51/04
摘要： 本发明涉及一种在磁场作用下水热法制备Co3O4纳米材料的方法，属于化学化工材料工艺技术领域。本发明方法是采用钴盐、分散剂、沉淀剂、表面活性剂、溶剂做原料；按照沉淀剂与钴盐的摩尔质量比为1∶1～6∶1，填充度为50～85％，在水热法的基础上采用磁场强度为1～100T(特斯拉)，反应温度为100～240℃条件下，在反应釜中反应4～36小时，得到反应生成物，然后将产物在60～80℃真空干燥箱中干燥6～12小时，即制得纳米Co3O4粉体材料。本发明方法制得的Co3O4纳米粉体材料，其晶粒更加细化、分散均匀、纯度很高，没有其他杂质。
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公开(公告)号：CN100376009C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510111916.5
申请日：2005-12-23
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及一种高密度MgB2超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导块材。本发明方法制得的MgB2超导块材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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公开(公告)号：CN101016158A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510111919.9
申请日：2005-12-23
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15％加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10－300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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公开(公告)号：CN1794366A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510111917.X
申请日：2005-12-23
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E40/64 , Y02E40/641
摘要： 本发明涉及一种高密度MgB2超导线材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导线材。本发明方法制得的MgB2超导线材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
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