半导体模块
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109690768B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN201680089135.7

    申请日:2016-09-13

    Abstract: 本发明的目的在于提供对半导体芯片短路时的电流路径的断开以及电弧放电的产生进行抑制的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具备:至少1个半导体芯片(2);框体(5),其对半导体芯片(2)进行收容;以及至少1个压力部件(10),其配置在半导体芯片(2)的上部电极(2a)与设置于框体(5)的上侧电极(3)之间,将上部电极(2a)与上侧电极(3)电连接,压力部件(10)具有弹性,压力部件(10)具备:导电块(12);以及板簧部件(11),其具备电流路径(11a、11b),所述电流路径(11a、11b)以使得导电块(12)的至少一部分进入所述电流路径(11a、11b)之间的方式彼此相对。

    半导体装置
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114730756A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201980102108.2

    申请日:2019-11-15

    Abstract: 半导体装置(100)具有绝缘部(4)、第1电极(11)、第2电极(12)、第1母线(21)、第2母线(22)和多个半导体芯片(3)。绝缘部(4)将多个半导体芯片(3)包围。第1电极(11)被压接于多个半导体芯片(3)。第2电极(12)与第1电极(11)在第1方向上夹着多个半导体芯片(3)。第2电极(12)被压接于多个半导体芯片(3)。第1母线(21)与第1电极(11)连接。第2母线(22)与第2电极(12)连接。第1母线(21)与第2母线(22)在与第1方向交叉的第2方向上夹着绝缘部(4)。

    半导体装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111725191A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010187073.1

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小,并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内,将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

    变压器
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102648505B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201080052488.2

    申请日:2010-10-19

    CPC classification number: H01F27/245

    Abstract: 变压器(10)包括:包含沿一个方向(Z轴方向)层叠的多个磁性板的脚铁心(14);以及卷绕于脚铁心(14)的线圈(21)。在多个磁性板中,至少在多个磁性板层叠方向上的与线圈内周面相对的磁性板上形成有切口(16)。由切口(16)来分开涡流,因此,能减小涡流密度。通过减小涡流密度,能减小铁心(15)的损耗密度。通过减小铁心(15)的损耗密度,从而能降低变压器(10)的损耗。

    感应加热烹调器
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102342177B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201080010556.9

    申请日:2010-03-04

    CPC classification number: H05B6/062 H05B6/1272 H05B2213/05 Y02B40/126

    Abstract: 本发明的感应加热烹调器的特征在于,包括:中央线圈,其卷绕成平面状;多个周边线圈,其配设于上述中央线圈的周边;多个电源电路部,其分别独立地向上述中央线圈及上述周边线圈供给高频电流;检测机构,其检测被加热体载置于上述中央线圈及上述各周边线圈的上方的状态;驱动控制部,其根据上述检测机构所检测到的上述被加热体的载置状态来控制上述电源电路部,从而选择性地分别向上述中央线圈及上述周边线圈供给高频电流。采用本发明的感应加热烹调器,能够利用中央线圈及多个周边线圈,根据各线圈上方的锅的载置状态(锅的不同的大小、形状及载置的锅的位置偏移),来抑制无助于加热的不需要的磁通的发生,且高效地进行加热。

    电磁操作装置
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100367425C

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200510097879.7

    申请日:2003-08-27

    Abstract: 一种电磁操作装置(100),驱动以往的电力输送配电系统中使用的开关装置(500),用于在轭(1)上保持动子(2)的永磁铁(6)设置在用于驱动动子(2)的励磁线圈(3)、(4)产生的磁路上,所以伴随着励磁电源的通、断而产生涡电流,损伤电磁操作装置(100)的响应特性,并且对电源造成不良影响。为了解决这一问题,在与励磁线圈(3)、(4)产生的磁路不同的磁路上设置永磁铁(6),来减少涡电流的产生。在第一轭(1)内设置在第一方向往返移动的动子(2)和第一、第二线圈(3)、(4),具有设置在第二方向上的第二轭(5),在第二轭(5)上,与动子(2)相对配置永磁铁(6)。

    半导体装置
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111725191B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202010187073.1

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小,并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内,将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

    磁制冷装置及制冷循环装置

    公开(公告)号:CN115427742B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202080099771.4

    申请日:2020-04-20

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下,制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下,制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。

    磁制冷机
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115516258B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202080100647.5

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 磁制冷机(200)具备磁制冷用电磁铁(100)。磁制冷用电磁铁包括:旁轭(1);至少1组对置磁极(2、3),在旁轭(1)的内侧,相互隔开间隙(6A)地配置;配管(9A),配置于间隙内,且流过热输送介质;磁热构件(10A),配置于配管的内部且与热输送介质热交换;以及线圈(7),包围至少1组对置磁极中的至少一方,且在通电时产生通过间隙的磁通。

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