电子器件以及包括该电子器件的显示装置

    公开(公告)号:CN107768541B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN201710710708.X

    申请日:2017-08-18

    Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;包含多个量子点的发射层,其中发射层设置在第一电极和第二电极之间;第一电荷辅助层,设置在第一电极和发射层之间;以及光学功能层,设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧,其中第一电极包括反射电极,其中第二电极是光透射电极,其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构,并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。

    量子点器件和量子点显示装置
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113764592A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110510733.X

    申请日:2021-05-11

    Abstract: 公开了一种量子点器件和包括其的量子点显示装置,该量子点器件包括:阳极,设置在基板上并包括反射层;空穴辅助层,设置在阳极上并包括空穴注入层、空穴传输层或其组合;量子点层,设置在空穴辅助层上并包括量子点;电子辅助层,设置在量子点层上;和设置在电子辅助层上的阴极,阴极是能够透射从量子点层发射的光的至少一部分的光透射电极,其中,量子点层配置为发射第一波长谱的光,第一波长谱是蓝色波长谱、绿色波长谱和红色波长谱之一,空穴辅助层具有使量子点器件的共振波长落入第一波长谱内的厚度,量子点层的峰值发射波长和穿过阴极的光的峰值发射波长共同属于第一波长谱,穿过阴极的光的发射谱的半峰全宽比量子点层的发射谱的半峰全宽窄。

    量子点器件和电子设备
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113410403A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110284603.9

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 公开了量子点器件和电子设备,所述量子点器件包括:第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层,其中所述电子辅助层包括无机纳米颗粒和添加剂的混合物,所述无机纳米颗粒包括碱土金属,所述添加剂选自碱金属、碱金属化合物、或其组合,所述电子设备包括所述量子点器件。

    显示器件
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109239974B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201810952629.4

    申请日:2014-10-08

    Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体‑聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元,特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体‑聚合物复合物,所述半导体纳米晶体组合物包括:半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质,其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40%的雾度。

    发光器件及其制造方法、显示设备和发光膜

    公开(公告)号:CN112993175A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202011484381.7

    申请日:2020-12-16

    Abstract: 公开了发光器件及其制造方法、显示设备和发光膜,所述发光器件包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光膜。所述发光膜包括含氟有机盐、以及量子点,所述量子点不包括镉、铅、或其组合,并且所述含氟有机盐包括硼和磷的至少一种、取代或未取代的C1‑C30烃基团、能够形成盐的非金属元素、以及氟,并且所述非金属元素包括碳、氮、氧、磷、硫、或硒。

    量子点发光器件和电子设备
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112687817A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011107926.2

    申请日:2020-10-16

    Abstract: 本发明涉及量子点发光器件和电子设备。量子点发光器件包括:第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层。所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间,其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料。所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅,和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。电子设备包括所述量子点发光器件。

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