公开(公告)号：CN1971797B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610149262.X

申请日：2006-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟硕 ,  权相旭 ,  金东均 ,  金载兴 ,  李相勋 ,  洪荣泽 ,  李昌承 ,  宋寅相

IPC: H01H57/00 ,  H01H49/00

CPC classification number: H01P1/127 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明公开了一种RF MEMS开关及其制造方法，其中RF MEMS器件利用压电效应在低电压下向下驱动。该RF MEMS开关包括提供有RF信号线和凹腔的衬底、位于凹腔上且一端固定到所述衬底的悬臂、及当所述悬臂向下驱动时接触所述RF信号线而使所述RF信号线与所述悬臂连接的接触焊盘。

公开(公告)号：CN1982923A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610109194.4

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵纪德 ,  宋寅成 ,  李昌承 ,  金俊成 ,  金圣雄 ,  金佑植

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明涉及一种制造滤色器的黑矩阵的方法。在该方法中，由疏水有机材料形成的黑矩阵层形成在透明基板的上表面上。通过构图该黑矩阵层来形成黑矩阵。该黑矩阵的侧表面通过将紫外线辐照到该透明基板的下表面上同时加热该黑矩阵而被亲水化。