公开(公告)号：CN102034548A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297753.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  韩真晚 ,  朴起台 ,  郭俊荣

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/10

Abstract: 一种非易失性存储器包括多个N位多电平单元(MLC)存储单元和控制器。所述多个N位MLC存储单元用于存储N页数据，每个MLC存储单元可编程为2N个阈值电压分布中的任一个，其中N是正数。所述控制器被配置成将N页数据编程到MLC存储单元，并且进行部分插入处理，在所述部分插入处理中N页数据被划分为M个页组，其中M是正数且每个页组包括N页数据中的至少之一，并且其中M页组中的每一个被应用于纠错码(ECC)电路以对相应M个页组生成奇偶校验位，其中M个组中的每组内的页当中的误码率(BER)被所述部分插入处理均衡。