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公开(公告)号：CN102522414A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110434532.2
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海中科高等研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种混合型CMOS图像传感器及其制作方法，包括：图像传感器，形成于支撑衬底表面；所述支撑衬底的材料是半导体材料；所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域；其特征在于：驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，所述顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于所述顶层半导体层中；光学传感区域中的支撑衬底中具有顶层光吸收层，所述顶层光吸收层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；光学传感区域中的光学传感器形成于所述顶层光吸收层中。本发明可以大大提高光的吸收效率，并防止由于宇宙射线照射产生的大量的电子空穴对CMOS图像传感器的感光区域以及驱动电路造成的器件失效或者质量下降等影响。
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公开(公告)号：CN102509730A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110455204.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海中科高等研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器制备方法，提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第一半导体衬底表面或第二半导体衬底表面形成第二绝缘埋层，键合第一半导体衬底和第二半导体衬底，并使第二绝缘埋层位于第一顶层半导体层与第二半导体衬底之间，将第二半导体衬底减薄形成与第一顶层半导体层厚度不同的第二顶层半导体层，在第二顶层半导体层表面定义出第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口直至暴露出第一顶层半导体层表面，分别在第I区域和第II区域完成光学传感器件和像素读出电路的制备，并形成相邻器件间的隔离，以完成图像传感器的制备。本发明制备的图像传感器具有良好的抗辐射性能和良好的半导体性能，且感光区域具有较高的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN102500411A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110407857.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 上海中科高等研究院 , 山西潞安环保能源开发股份有限公司
CPC classification number: Y02P20/52
Abstract: 本发明公开了一种用于合成丙烯的催化剂及其制备与应用，该催化剂主要是由以下原料制成的：a)SiO2/Al2O3(摩尔比)为10～1000的ZSM-5分子筛；b)占催化剂总质量的10～50％的粘结剂；c)以金属成分计，含量占催化剂总质量的0.2～5％的助剂；d)以P2O5计，含量占催化剂总质量的1～30％的含磷化合物；其制法为：将ZSM-5分子筛用粘结剂和助剂共同挤条成型后，焙烧并交换成HZSM-5，以含磷化合物对HZSM-5进行改性，再采用水蒸气对其进行二次处理而成。本发明的催化剂制备工艺简单、催化剂活性高、丙烯选择性可高达54.34％、时空收率高达0.80克/(克催化剂·小时)。
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公开(公告)号：CN102350228A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110193777.0
申请日：2011-07-12
Applicant: 上海中科高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种纳米负载钛基电催化膜，由导电性微孔分离钛膜基体和催化涂层构成。此外，本发明还公开了该纳米负载钛基电催化膜的制备方法，包括如下步骤：(1)钛膜基体预处理：包括喷砂、碱洗、酸刻蚀；具体为：将喷砂后的基体在NaOH溶液中浸泡0.5-2h，洗至中性后，再在质量百分比浓度为10％的草酸溶液中处理1-2h，水洗，在100-120℃下烘干；(2)催化涂层制备及负载：采用溶胶凝胶法、热分解法、电沉积法或化学气相沉积法制备催化涂层，负载在钛膜基体表面及孔内。此外，本发明还公开了一种由上述纳米负载钛基电催化膜组成的膜反应器。本发明解决了现有技术材料强度、工作电压范围限制以及催化氧化效能等不足。
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公开(公告)号：CN102332462A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110229921.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 上海中科高等研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102299163A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110270125.2
申请日：2011-09-13
Applicant: 上海中科高等研究院
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底的顶层半导体层上。感光结构包括横向排列的三个掺杂区，在耗尽区上形成有一厚度非均匀的介质层，在介质层上形成有多晶硅层。感光结构的掺杂区为横向结构能够使耗尽区的宽度突破SOI顶层半导体层厚度的限制，从而能够增加感光结构的光吸收效率。形成于耗尽区上的非均匀介质层和多晶硅层能够对耗尽区的能带进行调制，使耗尽区的能带更加陡峭，从能显著增加耗尽区中的光生电荷的转移效率。本发明还能减少图像传感器的寄生效应和提高其抗辐射能力。
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公开(公告)号：CN103325121B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310270349.2
申请日：2013-06-28
Applicant: 安科机器人有限公司 , 上海中科高等研究院 , 智慧城市信息技术有限公司
Abstract: 本发明适用于安防技术领域，提供了一种监控场景中摄像机网络拓扑关系估算方法及系统，所述方法包括：将监控网络中拍摄到的视频流中的监控场景分解为网格；获取所述监控场景中各网格的光流的颜色直方图信息；根据所述监控场景中各网格的光流的颜色直方图信息对所述监控场景中的网格进行聚类，得到所述监控场景的语义区域分割结果；根据每个监控场景的语义区域分割结果确定各台摄像机之间的网络拓扑关系。本发明解决了现有技术存在的，计算摄像机之间的拓扑关系都基于对具体目标活动的定位、追踪，当监控环境中存在遮挡或监控图像分辨率较低时，算法性能将急剧下降的问题。
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公开(公告)号：CN102228801B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110126410.7
申请日：2011-05-16
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种高通量、高盐截留率的疏水改性蒸馏膜材料及其应用，该材料以超滤或微滤膜材料为基础膜材料，通过干燥以及采用等离子体对所述基础膜材料表面进行清洗和刻蚀预处理后，再采用改性材料通过气相、液相或等离子态对所述基础膜材料的表面进行改性而获得。本发明公开了一种新型的经过疏水表面改性的中空纤维膜材料，具有高水通量，高截留率，并且膜材料的稳定性高。本发明制备的膜可用于直接接触式膜蒸馏或者气扫式膜蒸馏，真空膜蒸馏处理海水、反渗透浓排水、工业废水、生物质溶液、蛋白质溶液、果汁。
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公开(公告)号：CN102500411B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110407857.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 上海中科高等研究院 , 山西潞安环保能源开发股份有限公司
CPC classification number: Y02P20/52
Abstract: 本发明公开了一种用于合成丙烯的催化剂及其制备与应用，该催化剂主要是由以下原料制成的：a)SiO2/Al2O3(摩尔比)为10～1000的ZSM-5分子筛；b)占催化剂总质量的10～50％的粘结剂；c)以金属成分计，含量占催化剂总质量的0.2～5％的助剂；d)以P2O5计，含量占催化剂总质量的1～30％的含磷化合物；其制法为：将ZSM-5分子筛用粘结剂和助剂共同挤条成型后，焙烧并交换成HZSM-5，以含磷化合物对HZSM-5进行改性，再采用水蒸气对其进行二次处理而成。本发明的催化剂制备工艺简单、催化剂活性高、丙烯选择性可高达54.34％、时空收率高达0.80克/(克催化剂·小时)。
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公开(公告)号：CN103357410A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310338033.2
申请日：2013-08-05
Applicant: 上海中科高等研究院
CPC classification number: Y02P20/584
Abstract: 本发明公开了一种用于芳香环加氢的纳米镍基多面体催化剂及其制法和应用，该催化剂具有多面体结构，其粒径为2～100nm，是单独的镍纳米多面体催化剂或以NiM表示的双金属纳米多面体催化剂；其制法包括：单独的镍纳米多面体催化剂的制备或双金属纳米多面体催化剂的制备；该催化剂应用于芳香环加氢的催化反应中。本发明的催化剂结构稳定、形貌大小均一且暴露高活性晶面，对芳香环催化加氢具有较高的反应活性等特点，同时，该催化剂具有反应条件温和、稳定性好、产物和催化剂易分离、便于回收利用等优点，具有良好的工业化应用前景。
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