公开(公告)号：CN101562197A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910140435.5

申请日：2004-03-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32 ,  H04M1/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及电子设备。薄膜晶体管的特征在于，由具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的多晶半导体薄膜构成，所述小热容量部分至少被用作沟道部分，所述多晶半导体薄膜由下述的晶粒膜形成，所述晶粒膜通过所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光退火而形成，并且形成于所述小热容量部分上的所述沟道部分的沟道宽度方向上的端部比所述大热容量部分的沟道宽度方向上的端部位于内侧。

公开(公告)号：CN1311563C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410003727.1

申请日：2004-02-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/136209 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括透明绝缘衬底，设置在透明绝缘衬底质上方的下遮光膜，设置在下遮光膜上方的基础层间膜，设置在基础层间膜上方的半导体膜。薄膜晶体管还包括形成在基础层间膜和半导体膜之间界面处的凹凸，设置在半导体膜上方的栅极绝缘膜和设置在栅极绝缘膜上方的栅电极。本发明还提供了一种制作薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：CN1309091C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410005375.3

申请日：2004-02-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 奥村展

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供一种薄膜晶体管衬底，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一激活层、第一栅极绝缘薄膜和第一栅电极。第二薄膜晶体管包括形成的第二激活层、第二栅极绝缘薄膜和第二栅电极。第二栅极绝缘薄膜的厚度大于第一栅极绝缘薄膜的厚度，第二激活层具有至少两个叠盖第二栅电极的杂质掺杂区域，第一激活层具有至少两个相对于第一栅电极以自对准方式形成的杂质掺杂区域，以及第二栅电极包括半导体层。