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公开(公告)号：CN112075038A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980028873.4
申请日：2019-04-25
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 描述了涉及在参考信号时机之间的多天线射频(RF)收发机的天线配置的改变的方法和装置。在一组示例中，存储在第一RF发射机的第一参考信号时机处的第一天线配置，以及如果在第一(相同)RF发射机的第二参考信号时机开始时天线配置已经改变，则将天线配置切换回第一天线配置。在另一组示例中，取得补偿数据，该补偿数据使得能够在用于测量参考RF发射机的第一参考信号的第一天线配置与用于测量相邻(不同)RF发射机的第二参考信号的第二天线配置之间进行补偿，以及当计算第一参考信号与第二参考信号之间的时间差时使用该补偿数据。
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公开(公告)号：CN110999412A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051293.2
申请日：2018-08-05
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H04W52/02
摘要： 所公开的是用于使用多个接收链处理下行链路信号的部分的装置和过程。在一个实施方案中，当在接收器装置的两个或大于两个接收链处接收消息流量时，可以在所述接收器装置处的最近活动事件之后起始不活动计时。响应于在所述不活动计时器的起始之后在所述接收器装置处获取下行链路信号的部分的请求，所述两个或大于两个接收链中的至少一个可以经调度以获取所述下行链路信号的所述部分。在所述不活动计时器的到期之后其它未调度的接收链可以过渡到较低功率状态。
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公开(公告)号：CN109196642B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201780033575.5
申请日：2017-03-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/08 , H01L27/092
摘要： 在本公开的一方面，提供了一种用于使用块交叉耦合的薄氧化物去耦电容器的MOS器件。MOS器件包括pMOS晶体管(202)和nMOS晶体管(204)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第一晶体管体部连接集合。第一晶体管体部连接集合将第一电压源(Vdd)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第一晶体管体部连接集合还将第二电压源(Vss)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第二晶体管体部连接集合。第二晶体管体部连接集合将nMOS晶体管栅极(204g)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第二晶体管体部连接集合还将pMOS晶体管栅极(202g)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。
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公开(公告)号：CN110622025A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032637.5
申请日：2018-04-20
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本发明公开用于获得移动装置(404)的所估计方位的轨迹的方法和系统。根据一实施例，移动装置可获得至少部分地基于在到多个基站(402、406)的上行链路信道上从所述移动装置发射到所述多个基站的帧的多个定时提前参数。可从所述多个定时提前参数当中选择到所述多个基站中的特定基站的定时提前参数，其中所述特定基站不是主小区的基站。接着可至少部分地基于所述特定基站的方位和所述选定定时提前参数，确定所述移动装置的所述所估计方位的所述轨迹。
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公开(公告)号：CN110050487A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075536.1
申请日：2017-12-20
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本公开内容的某些方面总体上涉及无线通信。无线通信设备可以至少部分地基于参数值集合中的至少一个参数值来确定多个差分回退值，所述参数值集合与以下各项中的一项或多项有关：与上行链路载波聚合相关联的多个上行链路载波、或者与所述多个上行链路载波相关联的任何上行链路授权。所述多个差分回退值可以与所述无线通信设备的比吸收率(SAR)回退或热回退有关。所述无线通信设备可以将所述多个差分回退值应用于分别与所述多个上行链路载波相关联的相应的多个发送功率。
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公开(公告)号：CN105191424B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480025750.2
申请日：2014-04-28
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 本发明的实施例包括用于防止呼叫掉线的设备、系统和方法。例如，描述了用于无线通信的方法。无线通信设备开始捕获。使用宽带接收机，执行针对支持的频带的绝对射频信道号的扫描。识别包括频率校正信道的绝对射频信道号。使用与所识别的一个或多个频率校正信道相对应的数据来解码同步信道。此外，还主张和描述了其它方面、实施例和特征。
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公开(公告)号：CN109196642A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780033575.5
申请日：2017-03-29
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/08 , H01L27/092
摘要： 在本公开的一方面，提供了一种用于使用块交叉耦合的薄氧化物去耦电容器的MOS器件。MOS器件包括pMOS晶体管(202)和nMOS晶体管(204)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第一晶体管体部连接集合。第一晶体管体部连接集合将第一电压源(Vdd)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第一晶体管体部连接集合还将第二电压源(Vss)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第二晶体管体部连接集合。第二晶体管体部连接集合将nMOS晶体管栅极(204g)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第二晶体管体部连接集合还将pMOS晶体管栅极(202g)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。
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公开(公告)号：CN106133638A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017474.X
申请日：2015-04-03
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04M1/675 , G06F1/206 , G06F1/3206 , H04M1/026 , H04M1/21
摘要： 一种为移动设备提供热抑制的方法包括：接收指示该移动设备的至少一个操作温度的至少一个温度信号；将所述至少一个温度信号与多个渐进升高的温度门限进行比较；以及基于多个移动设备操作模式中的一个移动设备操作模式和所述至少一个温度信号与所述多个温度门限的比较来选择多个热抑制计划中的一个热抑制计划。
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公开(公告)号：CN104885052A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380066018.5
申请日：2013-11-07
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F2212/7202 , G11C29/82
摘要： 本发明提供了用于配置具有数据映像的读写存储设备的方法、系统和设备。该方法包括：基于针对读写存储设备指定的一系列虚拟块的虚拟块大小，来确定数据映像分布。将该数据映像分割成一个或多个数据映像部分，其中向这些数据映像部分中的至少一个添加虚拟边界码。将这些数据映像部分存储在上述一系列的虚拟块的各个虚拟块中，跳过该读写存储设备中的任何坏块(即使是虚拟块之间)。
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公开(公告)号：CN118675302A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410988499.5
申请日：2018-05-23
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G08B25/10 , G08B3/10 , H04L67/1396 , H04L67/54 , H04L67/55 , H04L67/306 , H04W4/02 , H04W4/029 , H04W4/33 , H04W4/38 , H04W4/70 , H04W4/80
摘要： 本发明提供用于将通知提供给家庭网络中的用户的技术。根据本公开的实例方法包含接收针对所述用户的警报；确定所述用户的方位；基于所述用户的所述方位确定一或多个附近装置；基于所述附近装置确定一或多个附近不感兴趣的用户的方位；确定所述用户的活动；至少部分地基于所述用户的所述方位、一或多个附近不感兴趣的用户的所述方位和所述用户的所述活动，确定偏好通知装置；至少部分地基于所述偏好通知装置产生通知消息；和将所述通知消息发送到所述偏好通知装置。
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