公开(公告)号：CN205212767U

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201521096244.0

申请日：2015-12-24

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 马红强 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王兴龙

IPC: H02S30/10

Abstract: 本实用新型公开了一种光伏旁路模块封装框架，一条封装框架包含20个引线材料单元，每个引线材料单元能封装成一只光伏旁路模块，每个引线材料单元包括一个载体区域和三个I/O管脚，每个引线材料单元的载体区域设置有精压沟槽，精压沟槽将矩形的载体区域分割成A、B、C、D四个单独的区域，其中A区域位于下排，D、C、B区域在上排从左到右依次设置，且D区域局部镀银，镀银区与D区域的边界之间留有空隙。在载体区域增设精压沟槽，将载体区域分割成A、B、C、D四个单独的区域，精压沟槽起到导流作用，并改善了分层，保障了产品的可靠性，有效提高光伏旁路模块封装的良率、可靠性及封装稳定性。

公开(公告)号：CN202094812U

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201120237843.5

申请日：2011-07-07

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 张成方 ,  吴维国

IPC: H02M7/162

Abstract: 本实用新型公开了一种新型开关整流半桥，用于摩托车专用线路，可组成整流全桥或三相桥，也可与其它电路配合组成整流电路或变压电路；其特征在于：在金氧半场效晶体管MOSFET的源极、栅极、漏极分别引出三个外接接线端，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极和漏极之间并联连接有一个寄生二极管D1，在金氧半场效晶体管MOSFET的源极引出的外接接线端上串联连接有一个外接二极管D2。与传统可控硅作开关的整流半桥相比，本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，用途广泛。

公开(公告)号：CN110610996A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910712748.7

申请日：2019-08-02

Applicant: 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  廖瑞金

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种沟槽肖特基整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区和上电极区。本发明可以获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。

公开(公告)号：CN110534584A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910712156.5

申请日：2019-08-02

Applicant: 重庆大学 ,  重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司

Inventor： 陈文锁 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  廖瑞金

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种高效整流器及其制造方法，高效整流器包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区、隔离介质区和上电极层。制造方法步骤为：1)准备重掺杂第一导电类型衬底层；2)形成第一导电类型漂移层；3)在第一导电类型漂移层表面刻蚀出槽型；4)形成沟槽栅介质区；5)形成沟槽栅填充区；6)形成隔离介质区；7)形成肖特基势垒接触区；8)形成上电极层；9)形成下电极层。本发明在不增加制造工艺步骤和制造成本的基础上获得反向恢复时间短，开关损耗小的性能。